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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1278页 > PDTA123EM
分立半导体
数据表
PDTA123E系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
产品speci fi cation
取代2004年的数据4月7日
2004年8月02
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA123E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
2.2
2.2
马克斯。
50
100
单位
V
mA
k
k
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA123EE
PDTA123EEF
PDTA123EK
PDTA123EM
PDTA123ES
PDTA123ET
PDTA123EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
5C
6C
42
F7
TA123E
*21
(1)
*42
(1)
PDTC123EE
PDTC123EEF
PDTC123EK
PDTC123EM
PDTC123ES
PDTC123ET
PDTC123EU
标识代码
NPN补
2004年8月02
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
简化外形，象征与钉扎
PDTA123E系列
钉扎
类型编号
PDTA123ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA123EE
PDTA123EEF
PDTA123EK
PDTA123ET
PDTA123EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA123EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月02
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
订购信息
包
类型编号
名字
PDTA123EE
PDTA123EEF
PDTA123EK
PDTA123EM
PDTA123ES
PDTA123ET
PDTA123EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTA123E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0× 0.6× 0.5毫米
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+10
12
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
2004年8月02
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
m
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
20
mA
I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
C
=
1
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
20
毫安; V
CE
=
0.3
V
参数
从结点到环境的热阻
条件
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA123E系列
价值
250
500
500
625
830
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
30
2
1.54
0.8
典型值。
1.2
1.6
2.2
1
马克斯。
100
1
50
2
150
0.5
2.86
1.2
3
单位
nA
A
A
mA
mV
V
V
k
pF
2004年8月02
5
分立半导体
数据表
PDTA123E系列
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
产品数据表
取代2004年的数据4月7日
2004年8月02
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA123E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
2.2
2.2
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA123EE
PDTA123EEF
PDTA123EK
PDTA123EM
PDTA123ES
PDTA123ET
PDTA123EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
5C
6C
42
F7
TA123E
*21
(1)
*42
(1)
PDTC123EE
PDTC123EEF
PDTC123EK
PDTC123EM
PDTC123ES
PDTC123ET
PDTC123EU
标识代码
NPN补
2004年8月02
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
简化外形，象征与钉扎
PDTA123E系列
钉扎
类型编号
PDTA123ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA123EE
PDTA123EEF
PDTA123EK
PDTA123ET
PDTA123EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA123EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月02
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
订购信息
包
类型编号
名字
PDTA123EE
PDTA123EEF
PDTA123EK
PDTA123EM
PDTA123ES
PDTA123ET
PDTA123EU
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
PDTA123E系列
VERSION
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
无铅超小型塑料封装; 3焊区;体
1.0× 0.6× 0.5毫米
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
+10
12
100
100
V
V
mA
mA
条件
发射极开路
开基
集电极开路
分钟。
马克斯。
50
50
10
V
V
V
单位
2004年8月02
4
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R1 = 2.2千欧，R2 = 2.2千欧
热特性
符号
R
号（j -a）的
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
I
E
= i
e
= 0 ; V
CB
=
10
V;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 ;吨
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
20
mA
I
C
=
1
毫安; V
CE
=
5
V
I
C
=
20
毫安; V
CE
=
0.3
V
参数
从结点到环境的热阻
条件
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
PDTA123E系列
价值
250
500
500
625
830
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
分钟。
30
2
1.54
0.8
典型值。
1.2
1.6
2.2
1
马克斯。
100
1
50
2
150
0.5
2.86
1.2
3
单位
nA
μA
μA
mA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
pF
2004年8月02
5
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PIC16C65A-04E/SO
PL34120191000JHDD
PSD935F1V-A-70M
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    PDTA123EM
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    -
    -
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