PDTA115T系列
PNP电阻配备晶体管; R1 = 100千欧， R2 =开放
牧师05 - 2009年9月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP电阻配备晶体管。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PDTA115TE
PDTA115TK
PDTA115TM
PDTA115TS
[1]
PDTA115TT
PDTA115TU
[1]
类型编号
NPN补
JEITA
SC-75
SC-59
SC-101
SC-43A
-
SC-70
PDTC115TE
PDTC115TK
PDTC115TM
PDTC115TS
PDTC115TT
PDTC115TU
SOT416
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2部分）
1.2产品特点
I
内置偏置电阻
I
简化网络连接的ES电路设计
I
减少了元件数量
I
减少取放成本
1.3应用
I
通用开关和
放大器阳离子
I
逆变器和接口电路
I
线路驱动器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
条件
开基
民
-
-
70
典型值
-
-
100
最大
50
100
130
单位
V
mA
k
恩智浦半导体
PDTA115T系列
PNP电阻配备晶体管; R1 = 100千欧， R2 =开放
2.管脚信息
表3中。
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab347
006aaa217
R1
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
1
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab348
006aaa217
R1
2
1
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab447
006aaa217
R1
2
1
3
SOT23 ， SOT323 ， SOT346 ， SOT416
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
1
2
006aaa144
sym009
3
R1
3
2
SOT883
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
3
2
透明
顶视图
1
R1
3
2
sym009
PDTA115T_SER_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年9月2日
2 17
恩智浦半导体
PDTA115T系列
PNP电阻配备晶体管; R1 = 100千欧， R2 =开放
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PDTA115TE
PDTA115TK
PDTA115TM
PDTA115TS
[1]
PDTA115TT
PDTA115TU
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT416
SOT346
SOT883
SC-75
SC-59
SC-101
SC-43A
-
SC-70
塑料单端含铅（通孔）包; SOT54
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
12
11
E8
TA115T
* AC
*11
类型编号
PDTA115TE
PDTA115TK
PDTA115TM
PDTA115TS
PDTA115TT
PDTA115TU
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
PDTA115T_SER_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年9月2日
3 17
恩智浦半导体
PDTA115T系列
PNP电阻配备晶体管; R1 = 100千欧， R2 =开放
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
O
I
CM
P
合计
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT416
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
最大
50
50
5
100
100
150
250
250
500
250
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
参阅标准安装条件。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
请参考SOT883标准安装条件;带60的FR4印刷电路板
m
铜带线。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT416
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
[1]
[2]
[3]
参阅标准安装条件。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
请参考SOT883标准安装条件;带60的FR4印刷电路板
m
铜带线。
条件
在自由空气
[1]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833
500
500
250
500
625
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
PDTA115T_SER_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年9月2日
4 17
恩智浦半导体
PDTA115T系列
PNP电阻配备晶体管; R1 = 100千欧， R2 =开放
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
偏置电阻器1 （输入）
集电极电容
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
I
C
=
5
毫安;我
B
=
0.25
mA
民
-
-
-
-
100
-
70
-
典型值
-
-
-
-
-
-
100
-
最大
100
1
50
100
-
150
130
3
mV
k
pF
单位
nA
A
A
nA
I
EBO
h
FE
V
CESAT
R1
C
c
10
3
001aab511
1
001aab512
(1)
h
FE
(2)
(3)
V
CESAT
(V)
10
2
10
1
(1)
(2)
(3)
10
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
10
2
10
1
1
10
I
C
（MA ）
10
2
V
CE
=
5
V.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
AMB
= 100
°C.
(2) T
AMB
= 25
°C.
(3) T
AMB
=
40 °C.
图1 。
直流电流增益作为集电体的功能
电流;典型值
图2 。
集电极 - 发射极饱和电压为
集电极电流的函数;典型值
PDTA115T_SER_5
NXP B.V. 2009保留所有权利。
产品数据表
牧师05 - 2009年9月2日
5 17
QQ：2881677436 复制
