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分立半导体
数据表
PDTA114E系列
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
产品数据表
取代2003年的数据04月10日
2004年8月02
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
特点
内置偏置电阻
简化的电路设计
减少元件数量
减少取放成本。
应用
通用开关和放大
逆变器和接口电路
电路的驱动程序。
描述
PDTA114E系列
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2
参数
集电极 - 发射极
电压
输出直流（DC）
偏置电阻
偏置电阻
典型值。
10
10
马克斯。
50
100
单位
V
mA
kΩ
kΩ
PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，
符号和牵制“的包的详细信息） 。
产品概述
包
类型编号
飞利浦
PDTA114EE
PDTA114EEF
PDTA114EK
PDTA114EM
PDTA114ES
PDTA114ET
PDTA114EU
记
1. * = P ：香港制造。
* = T：在马来西亚进行。
* = W ：中国制造。
SOT416
SOT490
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
EIAJ
SC-75
SC-89
SC-59
SC-101
SC-43
SC-70
03
03
03
E5
TA114E
*03
(1)
*03
(1)
PDTC114EE
PDTC114EEF
PDTC114EK
PDTC114EM
PDTC114ES
PDTC114ET
PDTC114EU
标识代码
NPN补
2004年8月02
2
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
简化外形，象征与钉扎
PDTA114E系列
钉扎
类型编号
PDTA114ES
手册， halfpage
简化的外形和符号
针
1
2
2
R1
1
R2
3
MAM338
描述
BASE
集热器
辐射源
1
2
3
3
PDTA114EE
PDTA114EEF
PDTA114EK
PDTA114ET
PDTA114EU
1
顶视图
2
MDB271
1
2
手册， halfpage
BASE
辐射源
集热器
3
R1
1
R2
3
3
2
PDTA114EM
手册， halfpage
1
2
3
R1
3
1
底部视图
MDB267
BASE
辐射源
集热器
3
2
1
R2
2
2004年8月02
3
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
热特性
符号
R
日J-一
SOT54
SOT23
SOT346
SOT323
SOT416
SOT490
SOT883
笔记
1.参考标准安装条件。
2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。
3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60
μm
铜带线。
2004年8月02
4
参数
从结点到环境的热阻
条件
在自由空气
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C
注1
注1
注1
注1
注1
注1和2
注意到图2和3
65
65
条件
发射极开路
开基
集电极开路
PDTA114E系列
分钟。
马克斯。
50
50
10
+10
40
100
100
500
250
250
200
150
250
250
+150
150
+150
V
V
V
V
V
单位
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
价值
250
500
500
625
833
500
500
单位
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
恩智浦半导体
产品数据表
PNP电阻配备晶体管;
R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2
-------
-
R1
C
c
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
输入截止电压
输入导通电压
输入电阻
电阻率
集电极电容
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0; T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
5
mA
I
C
=
100 μA;
V
CE
=
5
V
I
C
=
10
毫安; V
CE
=
0.3
V
PDTA114E系列
分钟。
30
2.5
7
0.8
典型值。
1.1
1.8
10
1
马克斯。
100
1
50
400
150
0.8
13
1.2
3
单位
nA
μA
μA
μA
mV
V
V
kΩ
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
10
毫安;我
B
=
0.5
mA
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10
V ; F = 1 MHz的
pF
2004年8月02
5
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