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分立半导体

数据表

PDTA114E系列

PNP电阻配备晶体管;

R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k

产品数据表

取代2003年的数据04月10日

2004年8月02

恩智浦半导体

产品数据表

PNP电阻配备晶体管;

R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k

特点

内置偏置电阻

简化的电路设计

减少元件数量

减少取放成本。

应用

通用开关和放大

逆变器和接口电路

电路的驱动程序。

描述

PDTA114E系列

快速参考数据

符号

首席执行官

参数

集电极 - 发射极

电压

输出直流（DC）

偏置电阻

典型值。

马克斯。

100

单位

kΩ

PNP电阻配备晶体管（参见“简体外形，

符号和牵制“的包的详细信息）。

产品概述

包

类型编号

飞利浦

PDTA114EE

PDTA114EEF

PDTA114EK

PDTA114EM

PDTA114ES

PDTA114ET

PDTA114EU

记

1. * = P ：香港制造。

* = T：在马来西亚进行。

* = W ：中国制造。

SOT416

SOT490

SOT346

SOT883

SOT54 （ TO-92 ）

SOT23

SOT323

EIAJ

SC-75

SC-89

SC-59

SC-101

SC-43

SC-70

TA114E

*03

(1)

*03

(1)

PDTC114EE

PDTC114EEF

PDTC114EK

PDTC114EM

PDTC114ES

PDTC114ET

PDTC114EU

标识代码

NPN补

2004年8月02

恩智浦半导体

产品数据表

PNP电阻配备晶体管;

R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k

简化外形，象征与钉扎

PDTA114E系列

钉扎

类型编号

PDTA114ES

手册， halfpage

简化的外形和符号

针

MAM338

描述

BASE

集热器

辐射源

PDTA114EE

PDTA114EEF

PDTA114EK

PDTA114ET

PDTA114EU

顶视图

MDB271

手册， halfpage

BASE

辐射源

集热器

PDTA114EM

手册， halfpage

底部视图

MDB267

BASE

辐射源

集热器

2004年8月02

恩智浦半导体

产品数据表

PNP电阻配备晶体管;

R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

合计

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

SOT54

SOT23

SOT346

SOT323

SOT416

SOT490

SOT883

英镑

AMB

笔记

1.参考标准安装条件。

2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。

3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60

μm

铜带线。

热特性

符号

日J-一

SOT54

SOT23

SOT346

SOT323

SOT416

SOT490

SOT883

笔记

1.参考标准安装条件。

2.回流焊是唯一推荐的焊接方法。

3.参考SOT883标准安装条件; FR4 60

μm

铜带线。

2004年8月02

参数

从结点到环境的热阻

条件

在自由空气

注1

注1和2

注意到图2和3

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C

注1

注1和2

注意到图2和3

条件

发射极开路

开基

集电极开路

PDTA114E系列

分钟。

马克斯。

+10

100

500

250

200

150

250

+150

150

+150

单位

°C

价值

250

500

625

833

500

单位

K / W

恩智浦半导体

产品数据表

PNP电阻配备晶体管;

R 1 = 10 k ，R 2 = 10 k

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

首席执行官

EBO

CESAT

我（关闭）

我（上）

-------

参数

集电极 - 基极截止电流

集电极 - 发射极截止电流

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

条件

V ;我

= 0

V ;我

= 0

V ;我

= 0; T

= 150

°C

V ;我

= 0

V ;我

100 μA;

毫安; V

0.3

PDTA114E系列

分钟。

2.5

0.8

典型值。

1.1

1.8

马克斯。

100

400

150

0.8

1.2

单位

μA

kΩ

集电极 - 发射极饱和电压I

毫安;我

0.5

= i

= 0; V

V ; F = 1 MHz的

2004年8月02

分立半导体

数据表

M3D173

PDTA114EE

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据7月3日

在分离式半导体文件， SC04

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值的10kΩ ）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 75塑料封装。

NPN补充： PDTC114EE 。

钉扎

针

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

PDTA114EE

手册， halfpage

顶视图

MAM345

Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。

记号

TYPE

数

PDTA114EE

记号

CODE

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

首席执行官

合计

------

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

电阻率

AMB

≤

°C

毫安; V

条件

开基

0.8

分钟。

典型值。

马克斯。

100

150

1.2

单位

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

CBO

首席执行官

EBO

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

合计

英镑

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

CBO

首席执行官

EBO

CESAT

我（关闭）

我（上）

------

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

条件

= 0; V

V ;牛逼

= 150

°C

= 0; V

毫安; V

毫安;我

0.5

100 A;

毫安; V

300

分钟。

2.5

0.8

= i

= 0; V

V ; F = 1 MHz的

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

833

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

AMB

≤

°C;

注1

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTA114EE

马克斯。

+10

100

150

+150

150

+150

单位

°C

单位

K / W

典型值。

1.8

马克斯。

100

400

150

1.2

单位

1100 800

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA114EE

手册， halfpage

MBK780

手册， halfpage

MBK779

的hFE

(2)

(1)

VCEsat晶体管

(V)

(3)

(1)

(2)

(3)

IC （MA ）

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

40 °C.

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

MBK782

手册， halfpage

第六章（上）

MBK781

六（关闭）

(V)

(1)

(2)

(3)

(1) (2) (3)

IC （MA ）

(1) T

AMB

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

0.3

(1) T

AMB

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA114EE

SOT416

细节X

0.5

规模

1 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

0.95

0.60

最大

0.1

0.30

0.15

0.25

0.10

1.8

1.4

0.9

0.7

0.5

1.75

1.45

0.45

0.15

0.23

0.13

0.2

概要

VERSION

SOT416

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-75

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年7月23日