【分立半导体数据表M3D173PDTA114EEPNP电阻配备晶体管初步speci fi cation】,IC型号PDTA114,PDTA114 PDF资料,PDTA114经销商,ic,电子元器件-51电子网

分立半导体

数据表

M3D173

PDTA114EE

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据7月3日

在分离式半导体文件， SC04

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值的10kΩ ）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 75塑料封装。

NPN补充： PDTC114EE 。

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

PDTA114EE

手册， halfpage

3

R1

1

R2

3

1

顶视图

2

MAM345

2

Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。

记号

TYPE

数

PDTA114EE

2

1

3

记号

CODE

03

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

R2

------

-

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

电阻率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

30

7

0.8

分钟。

10

1

典型值。

马克斯。

50

100

150

13

1.2

k

单位

V

mA

mW

1998年7月23日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

条件

I

C

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

300

mV

分钟。

30

2.5

7

0.8

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

833

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTA114EE

马克斯。

50

10

+10

40

100

150

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

单位

K / W

典型值。

1.8

10

1

马克斯。

100

1

50

400

150

13

1.2

3

单位

nA

A

mV

V

k

1100 800

pF

1998年7月23日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA114EE

手册， halfpage

10

3

MBK780

手册， halfpage

1

MBK779

的hFE

(2)

(1)

VCEsat晶体管

(V)

10

2

(3)

10

1

(1)

(2)

(3)

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MBK782

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MBK781

六（关闭）

(V)

10

(1)

(2)

(3)

(1) (2) (3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1998年7月23日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA114EE

SOT416

D

B

E

A

X

v

M

A

HE

3

Q

A

1

e1

e

bp

2

w

M

B

A1

c

Lp

细节X

0

0.5

规模

1 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

0.95

0.60

A1

最大

0.1

bp

0.30

0.15

c

0.25

0.10

D

1.8

1.4

E

0.9

0.7

e

1

e

1

0.5

H

E

1.75

1.45

L

p

0.45

0.15

Q

0.23

0.13

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT416

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-75

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年7月23日

5

分立半导体

数据表

M3D173

PDTA114TE

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据07月14日

在分离式半导体文件， SC04

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置偏置电阻R1 （典型值的10kΩ ）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路的应用

逆变器电路配置

无需使用外部电阻器。

1

顶视图

2

手册中， 4列

PDTA114TE

3

R1

1

2

MAM359

Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 75塑料封装。

NPN补充： PDTC114TE 。

1

3

2

记号

TYPE

数

PDTA114TE

记号

CODE

11

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

1

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

200

7

分钟。

10

典型值。

马克斯。

50

100

150

13

k

单位

V

mA

mW

1998年7月23日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输入电阻

集电极电容

条件

I

E

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

V ;我

C

=

1

mA

分钟。

200

7

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

833

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

分钟。

PDTA114TE

马克斯。

50

5

100

150

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

单位

K / W

典型值。

10

马克斯。

100

1

50

100

150

13

3

单位

nA

A

nA

mV

k

pF

集电极 - 发射极饱和电压I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

1998年7月23日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA114TE

MBK784

手册， halfpage

600

手册， halfpage

1

MBK783

的hFE

(1)

VCEsat晶体管

(V)

400

(1)

(2)

10

1

(2)

(3)

200

(3)

0

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 10.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

1998年7月23日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA114TE

SOT416

D

B

E

A

X

v

M

A

HE

3

Q

A

1

e1

e

bp

2

w

M

B

A1

c

Lp

细节X

0

0.5

规模

1 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

0.95

0.60

A1

最大

0.1

bp

0.30

0.15

c

0.25

0.10

D

1.8

1.4

E

0.9

0.7

e

1

e

1

0.5

H

E

1.75

1.45

L

p

0.45

0.15

Q

0.23

0.13

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT416

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-75

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年7月23日

5

分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D114

PDTA114TK

PNP电阻配备晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据9月5日

在分离式半导体文件， SC04

1998年5月15日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置偏置电阻R1 （典型值的10kΩ ）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

不使用外部电阻。

1

顶视图

2

MAM289

PDTA114TK

手册， halfpage

3

R1

1

2

Fig.1简化外形（ SC - 59）和符号。

描述

在PNP电阻配备晶体管

SC- 59塑料封装。

NPN补充： PDTC114TK 。

1

3

2

记号

TYPE

数

PDTA114TK

记号

CODE

23

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

1

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

200

7

分钟。

10

典型值。

马克斯。

50

100

250

13

k

单位

V

mA

mW

1998年5月15日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入电阻

集电极电容

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

条件

I

E

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

4

V

I

C

=

1

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

分钟。

200

7

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

分钟。

PDTA114TK

马克斯。

50

5

100

250

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

价值

500

单位

K / W

典型值。

10

马克斯。

100

1

50

100

150

13

3

单位

nA

A

nA

mV

k

pF

1998年5月15日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA114TK

MBK784

手册， halfpage

600

手册， halfpage

1

MBK783

的hFE

(1)

VCEsat晶体管

(V)

400

(1)

(2)

10

1

(2)

(3)

200

(3)

0

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 10.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

1998年5月15日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA114TK

SOT346

E

D

B

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.3

1.0

A

1

0.1

0.013

b

p

0.50

0.35

c

0.26

0.10

D

3.1

2.7

E

1.7

1.3

e

1.9

e

1

0.95

H

E

3.0

2.5

L

p

0.6

0.2

Q

0.33

0.23

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT346

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-236

EIAJ

SC-59

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年5月15日

5

分立半导体

数据表

手册， halfpage

M3D114

PDTA114EK

PNP电阻配备晶体管

产品speci fi cation

取代1997年的数据7月4日

在分离式半导体文件， SC04

1998年5月19日

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值的10kΩ ）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

3

PDTA114EK

3

R1

1

R2

2

1

顶视图

2

MAM262

Fig.1简化外形（ SC - 59）和符号。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 59塑料封装。

NPN补充： PDTC114EK 。

1

3

2

记号

TYPE

数

PDTA114EK

记号

CODE

03

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

R2

-------

-

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

电阻率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

30

7

0.8

分钟。

10

1

典型值。

马克斯。

50

100

250

13

1.2

k

单位

V

mA

mW

1998年5月19日

2

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

-------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

条件

I

E

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

0.3

V

分钟。

30

2.5

7

0.8

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

55

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTA114EK

马克斯。

50

10

+10

40

100

250

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

价值

500

单位

K / W

典型值。

1.1

1.8

10

1

马克斯。

100

1

50

400

150

0.8

13

1.2

3

单位

nA

A

mV

V

k

pF

1998年5月19日

3

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA114EK

手册， halfpage

10

3

MBK780

手册， halfpage

1

MBK779

的hFE

(2)

(1)

VCEsat晶体管

(V)

10

2

(3)

10

1

(1)

(2)

(3)

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MBK782

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MBK781

六（关闭）

(V)

10

(1)

(2)

(3)

(1) (2) (3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1998年5月19日

4

飞利浦半导体

产品speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA114EK

SOT346

E

D

B

A

X

HE

v

M

A

3

Q

A

A1

1

e1

e

bp

2

w

M

B

细节X

Lp

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

1.3

1.0

A

1

0.1

0.013

b

p

0.50

0.35

c

0.26

0.10

D

3.1

2.7

E

1.7

1.3

e

1.9

e

1

0.95

H

E

3.0

2.5

L

p

0.6

0.2

Q

0.33

0.23

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT346

参考文献：

IEC

JEDEC

TO-236

EIAJ

SC-59

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年5月19日

5

分立半导体

数据表

M3D425

PDTA114EEF

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

取代1998年的数据11月11日

1999年5月21日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

功耗媲美SOT23

内置偏置电阻R1和R2 （每个典型值的10kΩ ）

电路设计的简化

减少了元件和电路板空间的数量。

应用

特别适用于在界面的空间减少和

驱动电路

无需使用外部逆变电路配置

电阻器。

1

顶视图

2

MAM413

PDTA114EEF

钉扎

针

1

2

3

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

描述

手册， halfpage

3

R1

1

R2

3

2

描述

封装在一个超PNP电阻配备晶体管

小型SC- 89 （ SOT490 ）塑料SMD封装。

NPN补充： PDTC114EEF 。

记号

Fig.1

简化外形（ SC- 89 ; SOT490 ）和

符号。

1

3

2

类型编号

PDTA114EEF

标识代码

03

MGA893 - 1

图2等效逆变器符号。

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。

1999年5月21日

2

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

+10

40

100

250

+150

150

+150

V

mA

mW

°C

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

马克斯。

50

10

V

单位

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

热特性

符号

R

日J-一

记

1.参考SC- 89 （ SOT490 ）标准安装条件。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

条件

I

E

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

300

mV

分钟。

30

2.5

7

0.8

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

参数

从结点到环境的热阻

条件

在自由空气中;注1

PDTA114EEF

马克斯。

500

单位

K / W

典型值。

1.1

1.8

10

1

马克斯。

100

1

50

400

150

0.8

13

1.2

3

单位

nA

A

mV

V

k

集电极 - 发射极饱和电压I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

pF

1999年5月21日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA114EEF

手册， halfpage

10

3

MBK780

手册， halfpage

1

MBK779

的hFE

(2)

(1)

VCEsat晶体管

(V)

10

2

(3)

10

1

(1)

(2)

(3)

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MBK782

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MBK781

六（关闭）

(V)

10

(1)

(2)

(3)

(1) (2) (3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1999年5月21日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA114EEF

SOT490

D

B

E

A

X

HE

v

M

A

3

A

1

e1

e

bp

2

w

M

B

Lp

细节X

c

0

1

规模

2 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

0.8

0.6

b

p

0.33

0.23

c

0.2

0.1

D

1.7

1.5

E

0.95

0.75

e

1.0

e

1

0.5

H

E

1.7

1.5

L

p

0.5

0.3

v

0.1

w

0.1

概要

VERSION

SOT490

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-89

欧洲

投影

发行日期

98-10-23

1999年5月21日

5

分立半导体

数据表

M3D173

PDTA114EE

PNP电阻配备晶体管

初步speci fi cation

取代1997年的数据7月3日

在分离式半导体文件， SC04

1998年7月23日

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

特点

内置的偏置电阻R1和R2

（每个典型值的10kΩ ）

电路设计的简化

减少了部件的数量

和电路板空间。

应用

特别适用于空间

减少接口和驱动程序

电路

逆变器电路配置

无需使用外部电阻。

描述

在PNP电阻配备晶体管

一个SC- 75塑料封装。

NPN补充： PDTC114EE 。

钉扎

针

1

2

3

描述

底座/输入

发射器/地面（+）

集电极/输出

MGA893 - 1

PDTA114EE

手册， halfpage

3

R1

1

R2

3

1

顶视图

2

MAM345

2

Fig.1简化外形（ SC- 75 ）和符号。

记号

TYPE

数

PDTA114EE

2

1

3

记号

CODE

03

Fig.2

相当于逆变器

符号。

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

O

I

CM

P

合计

h

FE

R1

R2

------

-

R1

参数

集电极 - 发射极电压

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

直流电流增益

输入电阻

电阻率

T

AMB

≤

25

°C

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

条件

开基

30

7

0.8

分钟。

10

1

典型值。

马克斯。

50

100

150

13

1.2

k

单位

V

mA

mW

1998年7月23日

2

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

V

I

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

输入电压

积极

负

I

O

I

CM

P

合计

T

英镑

T

j

T

AMB

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

热特性

符号

R

日J-一

记

1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

h

FE

V

CESAT

V

我（关闭）

V

我（上）

R1

R2

------

-

R1

C

c

参数

集电极截止电流

发射极截止电流

直流电流增益

集电极 - 发射极饱和电压

输入截止电压

输入导通电压

输入电阻

电阻率

集电极电容

条件

I

C

= 0; V

CB

=

50

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V

I

B

= 0; V

CE

=

30

V ;牛逼

j

= 150

°C

I

C

= 0; V

EB

=

5

V

I

C

=

5

毫安; V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安;我

B

=

0.5

mA

I

C

=

100 A;

V

CE

=

5

V

I

C

=

10

毫安; V

CE

=

300

mV

分钟。

30

2.5

7

0.8

I

E

= i

e

= 0; V

CB

=

10

V ; F = 1 MHz的

参数

从结点到环境的热阻

条件

注1

价值

833

输出直流（DC）

峰值集电极电流

总功耗

储存温度

结温

工作环境温度

T

AMB

≤

25

°C;

注1

65

条件

发射极开路

开基

集电极开路

分钟。

PDTA114EE

马克斯。

50

10

+10

40

100

150

+150

150

+150

V

单位

mA

mW

°C

单位

K / W

典型值。

1.8

10

1

马克斯。

100

1

50

400

150

13

1.2

3

单位

nA

A

mV

V

k

1100 800

pF

1998年7月23日

3

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

PDTA114EE

手册， halfpage

10

3

MBK780

手册， halfpage

1

MBK779

的hFE

(2)

(1)

VCEsat晶体管

(V)

10

2

(3)

10

1

(1)

(2)

(3)

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

10

2

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

= 100

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

40 °C.

Fig.3

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.4

集电极 - 发射极饱和电压为

集电极电流的函数;典型值。

手册， halfpage

10

MBK782

10

2

手册， halfpage

第六章（上）

MBK781

六（关闭）

(V)

10

(1)

(2)

(3)

(1) (2) (3)

1

10

1

10

2

10

1

IC （MA ）

10

1

10

1

10

IC （MA ）

10

2

V

CE

=

5

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

V

CE

=

0.3

V.

(1) T

AMB

=

40 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 100

°C.

Fig.5

输入截止电压作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.6

输入导通电压作为集电体的功能

电流;典型值。

1998年7月23日

4

飞利浦半导体

初步speci fi cation

PNP电阻配备晶体管

包装外形

塑料表面贴装封装; 3引线

PDTA114EE

SOT416

D

B

E

A

X

v

M

A

HE

3

Q

A

1

e1

e

bp

2

w

M

B

A1

c

Lp

细节X

0

0.5

规模

1 mm

外形尺寸（mm是原始尺寸）

单位

mm

A

0.95

0.60

A1

最大

0.1

bp

0.30

0.15

c

0.25

0.10

D

1.8

1.4

E

0.9

0.7

e

1

e

1

0.5

H

E

1.75

1.45

L

p

0.45

0.15

Q

0.23

0.13

v

0.2

w

0.2

概要

VERSION

SOT416

参考文献：

IEC

JEDEC

EIAJ

SC-75

欧洲

投影

发行日期

97-02-28

1998年7月23日

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