PDTA113E系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
牧师05 - 2009年9月2日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP电阻配备齐全的晶体管（ RET ） 。
表1中。
产品概述
包
恩智浦
PDTA113EE
PDTA113EK
PDTA113EM
PDTA113ES
[1]
PDTA113ET
PDTA113EU
[1]
类型编号
JEITA
SC-75
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
JEDEC
-
TO-236
-
TO-92
TO-236AB
-
NPN
补
PDTC113EE
PDTC113EK
PDTC113EM
PDTC113ES
PDTC113ET
PDTC113EU
SOT416
SOT346
SOT883
SOT54 （ TO-92 ）
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2部分）
1.2产品特点
I
内置偏置电阻
I
简化网络连接的ES电路设计
I
减少了元件数量
I
减少取放成本
1.3应用
I
通用开关和
放大器阳离子
I
逆变器和接口电路
I
线路驱动器
1.4快速参考数据
表2中。
符号
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
输出直流（DC）
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
条件
开基
民
-
-
0.7
0.8
典型值
-
-
1
1
最大
50
100
1.3
1.2
单位
V
mA
k
恩智浦半导体
PDTA113E系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
2.管脚信息
表3中。
针
SOT54
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab347
006aaa148
钉扎
描述
简化的轮廓
符号
2
R1
1
R2
3
SOT54A
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab348
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT54变种
1
2
3
输入端（基极）
输出（集电极）
GND （发射器）
1
2
3
001aab447
006aaa148
2
R1
1
R2
3
SOT23 ， SOT323 ， SOT346 ， SOT416
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
2
006aaa144
sym003
3
R1
3
1
R2
2
SOT883
1
2
3
输入端（基极）
GND （发射器）
输出（集电极）
1
3
2
透明
顶视图
1
R2
R1
3
2
sym003
PDTA113E_SER_5
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恩智浦半导体
PDTA113E系列
PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
3.订购信息
表4 。
订购信息
包
名字
PDTA113EE
PDTA113EK
PDTA113EM
PDTA113ES
[1]
PDTA113ET
PDTA113EU
[1]
类型编号
描述
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
无铅超小型塑料封装; 3焊区;
机身1.0
×
0.6
×
0.5 mm
VERSION
SOT416
SOT346
SOT883
SC-75
SC-59A
SC-101
SC-43A
-
SC-70
塑料单端含铅（通孔）包; SOT54
3 LEADS
塑料表面贴装封装; 3引线
塑料表面贴装封装; 3引线
SOT23
SOT323
此外，在SOT54A和SOT54变种封装（见
第2节
和
第9节） 。
4.标记
表5 。
标记代码
标识代码
[1]
16
17
G4
TA113E
*15
*14
类型编号
PDTA113EE
PDTA113EK
PDTA113EM
PDTA113ES
PDTA113ET
PDTA113EU
[1]
* = - ：香港制造
* = P ：香港制造
* = T：在马来西亚
* = W ：中国制造
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恩智浦半导体
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PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
5.极限值
表6 。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
V
I
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
输入电压
积极
负
I
O
I
CM
P
合计
输出直流（DC）
峰值集电极电流
总功耗
SOT416
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
T
英镑
T
j
T
AMB
[1]
[2]
[3]
条件
发射极开路
开基
集电极开路
民
-
-
-
-
-
-
-
最大
50
50
10
+10
10
100
100
150
250
250
500
250
200
+150
150
+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mA
mW
mW
mW
mW
mW
mW
°C
°C
°C
T
AMB
≤
25
°C
[1]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
-
-
-
-
-
-
65
-
65
储存温度
结温
环境温度
参阅标准安装条件
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
请参考SOT883标准安装条件;带60的FR4印刷电路板
m
铜带线。
6.热特性
表7中。
符号
R
号（j -a）的
热特性
参数
从热阻
结到环境
SOT416
SOT346
SOT883
SOT54
SOT23
SOT323
[1]
[2]
[3]
参阅标准安装条件。
再溢流焊接是唯一推荐的焊接方法。
请参考SOT883标准安装条件;带60的FR4印刷电路板
m
铜带线。
条件
在自由空气
[1]
[1]
[2][3]
[1]
[1]
[1]
民
典型值
最大
单位
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
833
500
500
250
500
625
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
K / W
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PNP电阻配备晶体管; R 1 = 1千欧，R2 = 1kΩ的
7.特点
表8 。
特征
T
AMB
= 25
°
C除非另有规定编
符号
I
CBO
I
首席执行官
参数
集电极 - 基极截止
当前
集电极 - 发射极
截止电流
发射极 - 基极截止
当前
直流电流增益
集电极 - 发射极
饱和电压
断态电压输入
通态输入电压
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
集电极电容
V
CB
=
10
V ;我
E
= i
e
= 0 A;
F = 1 MHz的
条件
V
CB
=
50
V ;我
E
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0 A;
T
j
= 150
°C
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0 A
V
CE
=
5
V ;我
C
=
40
mA
I
C
=
30
毫安;我
B
=
1.5
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100 A
V
CE
=
300
毫伏;我
C
=
20
mA
民
-
-
-
-
30
-
-
2
0.7
0.8
-
典型值
-
-
-
-
-
-
1.3
1.7
1
1
-
最大
100
1
50
4
-
150
0.5
-
1.3
1.2
2
pF
mV
V
V
k
单位
nA
A
A
mA
I
EBO
h
FE
V
CESAT
V
我（关闭）
V
我（上）
R1
R2/R1
C
c
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