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QS043-402-20396（2/5）
ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½－D ½½½
□ 回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
８００Ａ，６００Ｖ
□ 外 ½ 寸 法 図 ：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
36
140
130
110
43.8
10
13.8 11.5
4 - 6.5
ＰＤＭＢ８００Ｅ６
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
7(G2)
6(E2)
1
3-M8
7
6
2
3
5
65
5(E1)
4(G1)
4
4-M4
LABEL
4
24
35
14.5
40
110
130
14.5
20.5
10
Dimension:［mm½
□ 最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
Ｉ½½½
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ゲ ー トエ ミ ッ タ 間 電 圧
栅极 - 发射极电压
コ レ ク タ 電 流
集电极电流
コ レ ク タ 損 失
集电极耗散功率
接
合
温
度
结温范围
保
存
温
度
存储温度范围
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
ＣＥＳ
Ｖ
ＧＥＳ
ＤＣ
１½½
Ｉ
Ｃ
Ｉ
ＣＰ
Ｐ
Ｃ
Ｔ
½
Ｔ
½½½
Ｖ
ＩＳＯ
Ｆ
½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
６００
±２０
８００
１,６００
２,７００
－４０½＋１５０
－４０½＋１２５
２,５００
３（３０.６）
Ｍ４
Ｍ８
１.４（１４.３）
１０.５（ １ ０ ７ ）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ＲＭＳ）
Ｎ½
(kgf½cm)
絶
縁
耐
圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)
隔离电压
模组基地散热器
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
母线到终端
□ 電 気 的 特 性
：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
ＣＥＳ
Ｉ
ＧＥＳ
Ｖ
ＣＥ（½½½）
Ｖ
ＧＥ（½½）
Ｃ
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｖ
ＣＥ
= 800V,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｖ
ＧＥ
= ±20V,Ｖ
ＣＥ
= 0V
Ｉ
Ｃ
= 800A,Ｖ
ＧＥ
= 15V
Ｖ
ＣＥ
= 5V,Ｉ
Ｃ
= 800毫安
Ｖ
ＣＥ
= 10V,Ｖ
ＧＥ
= 0V,½= 1MH
Ｚ
Ｖ
ＣＣ
=
Ｒ
Ｌ
=
Ｒ
Ｇ
=
Ｖ
ＧＥ
=
300V
0.375Ω
1.5Ω
±15V
Ｍ½½.
－
－
－
４.０
－
－
－
－
－
Ｔ½½.
－
－
２.１
－
40,000
０.１５
０.３０
０.１０
０.４０
Ｍ½½.
１.０
１.０
２.６
８.０
－
０.３５
０.８５
０.２５
０.８０
Ｕ½½½
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
コレクタエミタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
栅极 - 发射极阈值电压
入
力
容
量
输入电容
スイッチング時
开关时间
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ
Ｉ½½½
順
電
流
正向电流
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
順
電
圧
峰值正向电压
逆 回 復 時 間
反向恢复时间
ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｉ
Ｆ
Ｉ
ＦＭ
Ｓ½½½½½
Ｖ
Ｆ
½
½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
８００
１,６００
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
Ｆ
= 800A,Ｖ
ＧＥ
= 0V
Ｉ
Ｆ
= 800A,Ｖ
ＧＥ
= -10V
½i/½t= 1600A/μs
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
１.９
０.１５
Ｍ½½.
２.４
０.２
Ｕ½½½
Ａ
ＤＣ
１½½
Ｕ½½½
Ｖ
μ½
□ 熱 的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
熱
抵
抗
ＩＧＢＴ
热阻抗
二极管
Ｓ½½½½½
RTH （J -C ）
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
结到外壳
（TC测定点チップ直下）
Ｍ½½.
－
－
Ｔ½½.
－
－
Ｍ½½. Ｕ½½½
０.０４５
℃／Ｗ
０.１１０
00
日本インター株式会社
QS043-402-20396（3/5）
ＰＤＭＢ８００Ｅ６
Fig.1-
输出特性（典型）
1600
Fig.2-
输出特性（典型）
T
C
=25°C
1600
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
V
GE
=20V
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
12V
11V
15V
1400
1200
1000
800
600
400
15V
11V
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
10V
10V
9V
9V
8V
8V
200
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.3-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压（典型值）
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Fig.4-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压（典型值）
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=400A
800A
1600A
I
C
=400A
800A
1600A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.5-
栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压（典型值）
400
350
16
Fig.6-
电容与集电极到发射极电压（典型值）
100000
R
L
=0.375
T
C
=25°C
14
30000
集电极到发射极电压V
CE
(V)
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
门到发射极电压V
GE
(V)
300
250
200
150
100
50
0
12
10
电容C （PF ）
资本投资者入境计划
10000
V
CE
=300V
200V
100V
8
6
4
2
0
3500
卓越中心
3000
CRES
1000
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
300
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
总栅极电荷Qg （ NC）
集电极到发射极电压V
CE
(V)
00
日本インター株式会社
QS043-402-20396（4/5）
ＰＤＭＢ8００Ｅ６
Fig.7-
集电极电流与开关时间（典型）
1
Fig.8-
系列栅极阻抗与开关时间（典型）
10
5
0.8
t
关闭
V
CC
=300V
R
G
=1.5
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
阻性负载
开关时间t（微秒）
2
V
CC
=300V
I
C
=800A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
阻性负载
开关时间t（微秒）
0.6
1
0.5
t
f
0.4
花花公子
0.2
吨
0.1
tr
(V
CE
)
tf
0.2
t
ON
t
R（ V
CE
)
0.05
0
0
200
400
600
800
1000
1200
0.02
1
1.5
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
Fig.9-
集电极电流与开关时间
10
10
Fig.10-
系列栅极阻抗与开关时间
V
CC
=300V
I
C
=800A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
1
t
关闭
t
ON
V
CC
=300V
R
G
=1.5
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
5
2
开关时间t（微秒）
开关时间t（微秒）
1
0.5
0.1
t
f
t
R（ IC ）
花花公子
tr
(I
C
)
吨
tf
0.2
0.1
0.05
0.01
0.001
0
200
400
600
800
1000
1200
0.02
1
1.5
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
Fig.11-
集电极电流和开关损耗
80
3000
Fig.12-
系列栅极阻抗与开关损耗
V
CC
=300V
I
C
=800A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
切换损失ê
SW
（兆焦耳/脉冲）
60
切换损失ê
SW
（兆焦耳/脉冲）
V
CC
=300V
R
G
=1.5
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
E
关闭
1000
E
ON
300
100
E
ON
40
E
关闭
E
RR
E
RR
20
30
10
3
0
1
0
200
400
600
800
1000
1200
1
1.5
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
00
日本インター株式会社
QS043-402-20396（5/5）
ＰＤＭＢ8００Ｅ６
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
Fig.13-
续流二极管的正向特性
（典型值）
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Fig.14-
反向恢复特性（典型）
1000
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr （ NS ）
I
F
=800A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
500
正向电流I
F
(A)
TRR
200
I
RRM
100
0
1
2
3
4
50
0
800
1600
2400
3200
4000
4800
正向电压V
F
(V)
-di / DT （ A / μs）内
Fig.15-
反向偏置安全工作区
5000
2000
1000
500
R
G
=1.5 , V
GE
= ± 15V ，T
C
<125°C
集电极电流I
C
(A)
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.16-
瞬态热阻抗
1
瞬态热阻抗Rth的
（J -C ）
（ ° C / W）
3x10
-1
FRD
1x10
-1
IGBT
3x10
-2
1x10
-2
3x10
-3
1x10
-3
T
C
=25°C
1次脉冲
3x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
时间t （S ）
00
日本インター株式会社
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