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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第820页 > PDMB150B12C2
QS043-401M0060 ( 2/4 )
IGBT
M½½½½½-D½½½
□ 回 路 図 :
CIRCUIT
PDMB150B12C
150
A,1200V
PDMB150B12C2
□ 外 ½ 寸 法 図 :
OUTLINE DRAWING
108
93
± 0 .2 5
14 11 14 11 14
3-M6
7(G2)
6(E2)
4- 6.5
12.0 11.0 12.0 11.0 12.0
94.0
80
±0.25
15 6
48
± 0 .2 5
62
11 13
20
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
2-6.5
6
48.0
16.0
14.0
5(E1)
4(G1)
5
4
5
4
3-M5
23.0
23.0
17.0
25
16
9
16
25
9
16
24
14
9
14
9
14
4系卡
#110 t=0.5
21.2 7.5
8
30
23
LABEL
30
+1.0
- 0 .5
+1.0
- 0.5
LABEL
PDMB150B12C
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
7
PDMB150B12C2
Dimension:[mm½
RATINGS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
DC
1½½
CP
½
½½½
ISO
½½½
PDMB150B12C
R½½½½
V½½½½
U½½½
(RMS)
I½½½
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ゲ ー トエ ミ ッ タ 間 電 圧
栅极 - 发射极电压
コ レ ク タ 電 流
集电极电流
コ レ ク タ 損 失
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
圧(Terminal to Base AC,1½inute)
隔离电压
模组基地散热器
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
母线主接线
□ 電 気 的 特 性
1,200
±20
150
300
730
-40½+150
-40½+125
2,500
3(30.6)
N½
3(30.6)
PDMB150B12C2 2(20.4) (kgf½cm)
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CE(½½½)
GE(½½)
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時間
下 降 時 間
ターンオフ時間
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T½½½ C½½½½½½½½
CE
= 1200V,V
GE
= 0V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
= 150A,V
GE
= 15V
CE
= 5V,I
= 150毫安
CE
= 10V,V
GE
= 0V,½= 1MH
CC
= 600V
L
= 4Ω
G
= 3.6Ω
GE
= ±15V
M½½.
4.0
T½½.
1.9
12,600
0.25
0.40
0.25
0.80
M½½.
3.0
1.0
2.4
8.0
0.45
0.70
0.35
1.10
U½½½
½A
μA
½F
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
コレクタエミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
スイッチング時間
开关时间
7
4 18.0
6
4
1
2
3
7
1
2
3
7
6
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE
I½½½
正向电流
C½½½½½½½½½½½½½
峰值正向电压
逆 回 復 時 間
反向恢复时间
□ 熱 的
特 性
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
FM
S½½½½½
½
½½
R½½½½ V½½½½
150
300
T½½½ C½½½½½½½½
= 150A,V
GE
= 0V
= 150A,V
GE
= -10V
½i/½t= 300A/μs
M½½.
T½½.
1.9
0.2
M½½.
2.4
0.3
U½½½
DC
1½½
U½½½
μ½
THERMAL CHARACTERISTICS
S½½½½½
RTH (J -C )
T½½½ C½½½½½½½½
结到外壳
M½½.
T½½.
M½½.
0.16
0.32
U½½½
℃/W
C½½½½½½½½½½½½½
IGBT
热阻抗
二极管
日本インター株式会社
QS043-401M0060 (3/4)
PDMB150B12
PDMB150B12C
Fig.1-输出特性
(典型值)
300
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=75A
300A
V
GE
=20V
250
12V
10V
15V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
150A
集电极电流I
C
(A)
200
9V
150
100
8V
50
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=75A
300A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=4Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
150A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
4
200V
100
0
0
150
300
450
600
750
900
1050
2
0
1200
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
50000
20000
10000
1.4
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
V
CC
=600V
R
G
= 3.0 Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
V
GE
=0V
f=1MH
Z
资本投资者入境计划牛逼
C
=25℃
1.2
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
1
0.8
0.6
0.4
0.2
5000
2000
1000
500
t
关闭
卓越中心
t
f
CRES
200
100
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
t
ON
t
r
0
25
50
75
100
125
150
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
日本インター株式会社
QS043-401M0060 ( 4/4 )
PDMB150B12
PDMB150B12C
续流二极管的Fig.8-正向特性
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
300
(典型值)
T
C
=25℃
T
C
=125℃
V
CC
=600V
I
C
=150A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
250
开关时间t
(μs)
2
正向电流I
F
(A)
花花公子
1
0.5
tr
200
150
tf
100
0.2
0.1
0.05
50
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
500
200
100
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=150A
T
C
=25℃
TRR
200
100
50
R
G
=3.0Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
集电极电流I
C
(A)
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
20
10
5
I
RRM
2
0
150
300
450
600
750
900
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
T
C
=25℃
2x10
-3
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
1x10
-3
10
-5
时间T
(s)
日本インター株式会社
IGBT
模块
双150A 1200V
电路
PDMB150B12C2
外形绘图
4- fasten-标签110号
外形尺寸(mm )
最大完全评级
(Tc=25°C)
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
大约重量: 320克
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
C
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
PDMB150B12C2
1200
+/ - 20
150
300
730
-40到+150
-40到+125
2500
2.04
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
典型值。
-
-
1.9
-
12,600
0.25
0.40
0.25
0.80
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC, 1分钟)
安装力矩
模组基地散热器
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开关时间
开启时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE ( SAT )
V
GE (日)
IES
½
r
½
on
½
f
½
关闭
测试条件
V
CE
=1200V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=150A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=150mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 600V
R
L
= 4欧姆
R
G
= 3.6欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
马克斯。
3.0
1.0
2.4
8.0
-
0.45
0.7
0.35
1.10
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
150
300
单位
A
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=150A,V
GE
=0V
I
F
=150A,V
GE
=-10V,di/dt=300A/
s
分钟。
-
-
典型值。
1.9
0.2
马克斯。
2.4
0.3
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日(J -C )
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.16
0.32
IGBT
模块双150A 1200V
1200V
Fig.1-输出特性
(典型值)
300
PDMB150B12C2
PDMB150B12C2
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
T
C
=25℃
16
T
C
=25℃
I
C
=75A
300A
V
GE
=20V
250
12V
10V
15V
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
12
10
8
6
4
2
0
150A
集电极电流I
C
(A)
200
9V
150
100
8V
50
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
(典型值)
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
(典型值)
800
700
600
500
400
16
T
C
=125℃
I
C
=75A
300A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=4Ω
T
C
=25℃
14
门到发射极电压V
GE
(V)
150A
12
10
8
6
4
2
0
12
10
8
V
CE
=600V
300
6
400V
200
100
0
0
150
300
450
600
750
900
1050
200V
4
2
0
1200
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
( NC )
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
(典型值)
50000
20000
10000
1.4
Fig.6-集电极电流与开关时间
(典型值)
V
CC
=600V
R
G
= 3.0
Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
V
GE
=0V
f=1MH
Z
资本投资者入境计划牛逼
C
=25℃
1.2
开关时间t
(μs)
电容C
(PF )
1
0.8
0.6
0.4
0.2
5000
2000
1000
500
t
关闭
卓越中心
t
f
CRES
200
100
50
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
t
ON
t
r
0
25
50
75
100
125
150
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
IGBT
模块双150A 1200V
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
(典型值)
10
5
PDMB150B12C2
续流二极管的Fig.8-正向特性
(典型值)
300
V
CC
=600V
I
C
=150A
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
T
C
=125℃
250
开关时间t
(μs)
2
正向电流I
F
(A)
花花公子
1
0.5
tr
200
150
tf
100
0.2
0.1
0.05
50
1
2
5
10
20
50
100
200
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
(典型值)
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
500
200
100
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
(纳秒)
I
F
=150A
T
C
=25℃
TRR
200
100
50
R
G
=3.0Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
集电极电流I
C
(A)
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
20
10
5
I
RRM
2
0
150
300
450
600
750
900
0.1
0
400
800
1200
1600
-di / dt的
( A / μs)内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
1
(℃/W)
5x10
-1
2x10
-1
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
FRD
IGBT
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
T
C
=25℃
2x10
-3
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
1x10
-3
10
-5
时间T
(s)
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PDMB150B12C2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004385547 复制 点击这里给我发消息 QQ:1950791264 复制

电话:0755-83222787/23999932
联系人:林小姐 胡先生 张先生
地址:深圳市华强北赛格科技园3栋东座10楼A2
PDMB150B12C2
NIEC
24+
800
MODULE
授权分销 现货热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3539722974 复制 点击这里给我发消息 QQ:2480898381 复制

电话:0755-23915992/23140719
联系人:李
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室
PDMB150B12C2
NIEC
24+
2177
MODULE
公司大量 现货随时可以发货
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