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PDM41256
256K静态RAM
32K ×8位
特点
n
1
2
3
4
5
6
7
描述
该PDM41256是一个高性能的CMOS静态
RAM的组织为32,768 ×8位。写这
设备完成时,写使能(WE)
和芯片使能(CE )输入端都是低电平。
当我们保持高读数完成
和CE和OE都很低。
该PDM41256从单一+ 5V电源工作
供给和所有的输入和输出是充分的TTL
兼容。该PDM41256有两个版本:
标准功率版PDM41256SA和
低功率版本PDM41256LA 。这两个版本都
功能相同,区别仅在于他们的权力
消费。
该PDM41256是采用28引脚塑料TSOP
( I)和28引脚300mil的塑料SOJ 。
n
高速存取时间
Com'l :7, 8 ,10,12和15ns的
Ind'l : 8 ,10,12和15ns的
(使用15ns的速度较慢设计)
低功耗工作(典型值)
- PDM41256SA
主动: 475毫瓦
待机: 100毫瓦
- PDM41256LA
主动: 425MW
待机: 25毫瓦
单+ 5V ( ± 10 % )电源
TTL兼容的输入和输出
套餐
塑料SOJ ( 300万) - SO
塑料TSOP ( I) - T的
n
n
n
功能框图
A
0
A
14
解码器
内存
矩阵
地址
8
9
10
I / O
0
I / O
7
输入
数据
控制
列I / O
11
12
1
CE
WE
OE
修订版4.4 - 98年4月29日
PDM41256
销刀豆网络gurations
TSOP (I)的
OE
A11
A9
A8
A13
WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
22
23
24
25
26
27
28
1
2
3
4
5
6
7
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
9
8
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
VSS
I/O2
I/O1
I/O0
A0
A1
A2
SOJ
引脚说明
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O0
I/O1
I/O2
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
A9
A11
OE
A10
CE
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
I/O3
名字
A14-A0
I/O7-I/O0
OE
WE
CE
V
CC
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
输出使能输入
写使能输入
芯片使能输入
电源(+ 5V)的
真值表
OE
X
L
X
H
WE
X
H
L
H
CE
H
L
L
L
I / O
高阻
D
OUT
D
IN
高阻
模式
待机
输出禁用
注: 1, H = V
IH
中,L = V
IL
, X = DO NOT CARE
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
T
j
等级
相对于VSS端电压
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
最高结温
(2)
Com'l 。
-0.5到+7.0
-55到+125
-55到+125
1.0
50
125
IND 。
-0.5到+7.0
-65到+135
-65到+150
1.0
50
145
单位
V
°C
°C
W
mA
°C
注:超过绝对最大额定值越大1.强调可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对马克西
妈妈额定条件下,长时间会影响其可靠性。
2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行
那些选择的包具有大的热阻(例如,TSOP ) 。该
计算应该是这样的形式
: T
j
= T
a
+ P *
θ
ja
其中T
a
是环境温度
TURE , P为平均运行功率和
θ
ja
封装的热阻。为
本产品,请使用以下
θ
ja
价值观:
SOJ : 78
o
C / W
TSOP : 112
o
C / W
2
修订版4.4 - 98年4月29日
PDM41256
建议的直流工作条件
符号
V
CC
V
SS
广告
产业
参数
电源电压
电源电压
环境温度
环境温度
分钟。
4.5
0
0
–40
典型值。
5.0
0
25
25
马克斯。
5.5
0
70
85
单位
V
V
°C
°C
1
2
3
单位
DC电气特性
(V
CC
= 5.0V
±
10%)
PDM41256SA
符号
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
参数
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 8毫安, V
CC
=最小值。
I
OL
= 10 mA时, V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安,V
CC
=最小值。
测试条件
V
CC
=最大,V
IN
= VSS到V
CC
V
CC
=最大,
CE = V
IH
, V
OUT
= VSS到V
CC
Com'l /
IND 。
Com'l /
IND 。
分钟。
–5
–5
–0.5
(1)
2.2
2.4
马克斯。
5
5
0.8
6.0
0.4
0.5
PDM41256LA
分钟。
–1
–1
–0.5
(1)
2.2
2.4
马克斯。
1
1
0.8
6.0
0.4
0.5
A
A
V
V
V
V
4
5
6
7
注:1, V
IL
(分钟) = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒。
电源特性
-7
符号参数
I
CC
工作电流
CE = V
IL
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大
I
OUT
= 0毫安
I
SB
待机电流
CE = V
IH
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大
I
SB1
全待机电流
CE
V
CC
– 0.2V
f=0
V
CC
=最大
V
IN
V
CC
- 0.2V或
0.2V
-8
-10
Com'l 。
190
170
IND 。
200
180
-12
Com'l 。
170
150
IND 。
180
160
-15
Com'l 。
150
130
IND 。
160
140
单位
mA
mA
8
9
10
11
12
3
电源Com'l 。 Com'l 。 IND 。
SA
LA
210
190
200
180
210
190
SA
LA
SA
LA
90
90
20
5
80
80
20
5
80
80
20
5
70
70
20
5
70
70
20
5
60
60
20
5
60
60
20
5
50
50
20
5
50
50
20
5
mA
mA
mA
mA
阴影面积=初步数据
注:所有数值都是最大保证值。
修订版4.4 - 98年4月29日
PDM41256
电容
(1)
(T
A
= + 25°C , F = 1.0兆赫)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注: 1。该参数由器件特性决定的,但不是生产
测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
V
SS
至3.0V
3纳秒
1.5V
1.5V
参见图1和2
+5V
480
D
OUT
255
30 pF的
+5V
480
D
OUT
255
5 pF的
图1.输出负载等效
图2.输出负载等效
(对于T
LZCE
, t
HZCE
, t
LZWE
, t
HZWE
, t
LZOE
,
t
HZOE
)
三角洲TAA - 纳秒
5
4
3
2
1
0
0
典型的三角洲TAA VS容性负载
30
60
90
120
其他集总容性负载(PF )
网络连接gure 3 。
4
修订版4.4 - 98年4月29日
PDM41256
读周期1号
(1)
吨RC
ADDR
牛逼AA
吨OH
DOUT
以前的数据有效
数据有效
1
2
3
读周期2号
(2)
t
RC
ADDR
4
t
HZCE
t
AA
t
ACE
CE
t
LZCE
OE
5
t
HZOE
t
LZOE
D
OUT
数据有效
6
7
t
AOE
AC电气特性
描述
读周期
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
从地址变更输出保持
芯片使能在低Z输出
(3, 4, 5)
芯片禁用高Z输出
(3, 4, 5)
芯片使能上电时间
(4)
芯片禁用断电时间
(4)
输出启用访问时间
输出使能到输出中低Z
(4, 5)
输出禁止到输出中高Z
(4, 5)
符号
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OH
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
AOE
t
LZOE
t
HZOE
0
5
0
7
5
0
6
3
5
5
0
8
5
0
6
--7
(6)
--8
(6)
-10
(6)
-12
-15
8
ns
15
15
ns
ns
ns
ns
6
ns
ns
15
8
ns
ns
ns
6
ns
分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。分钟。马克斯。单位
7
7
7
3
5
6
0
10
5
0
6
8
8
8
3
5
6
0
12
6
0
10
10
10
3
5
6
0
12
12
12
3
5
15
9
10
11
12
5
阴影面积=初始数据。
引用的注释是后数据保留表。
修订版4.4 - 98年4月29日
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    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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