【初步PDM31564PDM31564256K ×16的CMOS3.3V静态RAM特点n描述该PDM3】,IC型号PDM31584SA10TTY,PDM31584SA10TTY PDF资料,PDM31584SA10TTY经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步

PDM31564

256K ×16的CMOS

3.3V静态RAM

特点

n

描述

该PDM31564是一个高性能的CMOS静态

RAM组织为262144 ×16位。该PDM31564

具有低功耗芯片的采用使

（CE）和具有输出使能输入端（OE）为快

存储器存取。字节访问支持上

字节和低字节的控制。

该PDM31564采用3.3V单电源工作

电源和所有输入和输出完全与TTL

兼容。

该PDM31564可在一个44引脚400密耳塑料

抽动SOJ和一个塑料TSOP封装用于高密度

表面组装，并适合于高利用

高速应用需要高速存储。

1

2

3

4

5

6

n

高速存取时间

- Com'l ： 8，10， 12，15，和20纳秒

- 工业： 12 ，15，和20纳秒

低功耗工作（典型值）

- PDM31564SA

主动： 300毫瓦

待机： 25mW的

高密度256K ×16架构

3.3V （ ± 0.3V ）电源

全静态操作

TTL兼容的输入和输出

输出缓冲区的控制： OE

数据字节的控制： LB ， UB

包：

塑料SOJ （ 400万） - SO

塑料TSOP （ II ） - T的

功能框图

行地址

卜FF器

行解码器

VCC

VSS

7

内存

CELL

ARRAY

256 x

x

128 x 32

512 256 x

A8 - A0

A7-A0

8

9

10

11

I/O15-I/O0

数据

输入/

产量

卜FF器

SENSE AMP

COLUMN

解码器

WE

OE

UB

LB

CE

控制

逻辑

时钟

发电机

COLUMN

地址

卜FF器

12

A17 - A9

A15-A8

修订版1.2 - 98年3月31日

1

初步

PDM31564

引脚CON组fi guration

TSOP （II）的

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A8

A9

A10

A11

A12

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

SOJ

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A8

A9

A10

A11

A12

引脚说明

名字

A17-A0

I/O15-I/O0

CE

WE

OE

LB ， UB

NC

V

ss

V

CC

描述

地址输入

数据输入

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

无连接

地

电源（ + 3.3V ）

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

IN

C

I / O

参数

输入电容

输出电容

条件

V

IN

= V

SS

V

I / O

= V

SS

马克斯。

6

8

单位

pF

注：此参数由器件特性决定的，而不是生产测试。

2

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

经营模式

模式

读

CE

L

OE

L

WE

H

LB

L

H

L

写

L

X

L

H

L

输出禁用

L

待机

H

X

H

X

H

X

UB

L

H

L

H

x

H

X

I/O7-I/O0

产量

高阻抗

产量

输入

高阻抗

输入

高阻抗

I/O15-I/O8

产量

高阻抗

输入

高阻抗

动力

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

SB

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

注：H = V

IH

中，L = V

IL

， X = DO NOT CARE

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

T

BIAS

T

英镑

P

T

I

OUT

T

j

等级

相对于V端子电压

SS

在偏置温度

储存温度

功耗

直流输出电流

最高结温

(2)

Com'l 。

-0.5到+4.6

-55到+125

1.5

50

125

IND 。

-0.5到+4.6

-65到+135

-65到+150

1.5

50

145

单位

V

°C

W

mA

°C

注：超过绝对最大额定值越大1.强调可能

对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对马克西

妈妈额定条件下，长时间会影响其可靠性。

2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行

那些选择的包具有大的热阻（例如，TSOP ）。该

计算应该是这样的形式

: T

j

= T

a

+ P *

θ

ja

其中T

a

是环境温度

TURE ， P为平均运行功率和

θ

ja

封装的热阻。为

本产品，请使用以下

θ

ja

价值观：

SOJ ： 59

o

C / W

TSOP ： 87

o

C / W

建议的直流工作条件

符号

V

CC

V

SS

产业

描述

电源电压

环境温度

分钟。

3.0

0

–40

0

典型值。

3.3

0

25

马克斯。

3.6

0

85

70

单位

V

°C

11

12

3

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

DC电气特性

(V

CC

= 3.3V

±

0.3V)

符号

I

LI

I

LO

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

输出漏电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

I

OL

= 8毫安， V

CC

=最小值。

I

OH

= -4毫安，V

CC

=最小值。

测试条件

V

CC

=最大，V

IN

= VSS到V

CC

V

CC

=最大，

CE = V

IH

, V

OUT

= VSS到V

CC

Com'l /

IND 。

Com'l /

IND 。

分钟。

–5

–0.3

(1)

2.2

—

2.4

马克斯。

5

0.8

VCC +

0.3

0.4

—

单位

A

V

注：1， V

IL

（分钟） = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒。

电源特性

-8

符号参数

I

CC

工作电流

CE = V

IL

f = f

最大

= 1/t

RC

V

CC

=最大。

I

OUT

= 0毫安

I

SB

待机电流

CE = V

IH

f = f

最大

= 1/t

RC

V

CC

=最大。

I

SB1

全待机电流

CE

≥

V

CC

– 0.2V

f=0

V

CC

=最大，

V

IN

≥

V

CC

- 0.2V或

≤

0.2V

10

15

10

15

10

15

mA

50

45

40

45

35

40

30

35

mA

-10

-12

IND 。

210

-15

Com'l

190

IND 。

200

-20

Com'l工业。

185

195

单位

mA

Com'l Com'l Com'l

220

210

200

注：所有数值都是最大保证值。

4

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

V

SS

至3.0V

2.5纳秒

1.5V

参见图1和2

1

2

3

4

+3.3V

317

D

OUT

351

30 pF的

+3.3V

317

D

OUT

351

5 pF的

5

6

7

8

9

10

11

12

图1.输出负载

图2.输出负载等效

（对于T

LZCE

, t

HZCE

, t

LZWE

, t

HZWE ，

t

LZBE

, t

HZBE

, t

LZOE

, t

HZOE

)

修订版1.2 - 98年3月31日

5

初步

PDM31564

256K ×16的CMOS

3.3V静态RAM

特点

n

描述

该PDM31564是一个高性能的CMOS静态

RAM组织为262144 ×16位。该PDM31564

具有低功耗芯片的采用使

（CE）和具有输出使能输入端（OE）为快

存储器存取。字节访问支持上

字节和低字节的控制。

该PDM31564采用3.3V单电源工作

电源和所有输入和输出完全与TTL

兼容。

该PDM31564可在一个44引脚400密耳塑料

抽动SOJ和一个塑料TSOP封装用于高密度

表面组装，并适合于高利用

高速应用需要高速存储。

1

2

3

4

5

6

n

高速存取时间

- Com'l ： 8，10， 12，15，和20纳秒

- 工业： 12 ，15，和20纳秒

低功耗工作（典型值）

- PDM31564SA

主动： 300毫瓦

待机： 25mW的

高密度256K ×16架构

3.3V （ ± 0.3V ）电源

全静态操作

TTL兼容的输入和输出

输出缓冲区的控制： OE

数据字节的控制： LB ， UB

包：

塑料SOJ （ 400万） - SO

塑料TSOP （ II ） - T的

功能框图

行地址

卜FF器

行解码器

VCC

VSS

7

内存

CELL

ARRAY

256 x

x

128 x 32

512 256 x

A8 - A0

A7-A0

8

9

10

11

I/O15-I/O0

数据

输入/

产量

卜FF器

SENSE AMP

COLUMN

解码器

WE

OE

UB

LB

CE

控制

逻辑

时钟

发电机

COLUMN

地址

卜FF器

12

A17 - A9

A15-A8

修订版1.2 - 98年3月31日

1

初步

PDM31564

引脚CON组fi guration

TSOP （II）的

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A8

A9

A10

A11

A12

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

SOJ

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A8

A9

A10

A11

A12

引脚说明

名字

A17-A0

I/O15-I/O0

CE

WE

OE

LB ， UB

NC

V

ss

V

CC

描述

地址输入

数据输入

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

无连接

地

电源（ + 3.3V ）

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

IN

C

I / O

参数

输入电容

输出电容

条件

V

IN

= V

SS

V

I / O

= V

SS

马克斯。

6

8

单位

pF

注：此参数由器件特性决定的，而不是生产测试。

2

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

经营模式

模式

读

CE

L

OE

L

WE

H

LB

L

H

L

写

L

X

L

H

L

输出禁用

L

待机

H

X

H

X

H

X

UB

L

H

L

H

x

H

X

I/O7-I/O0

产量

高阻抗

产量

输入

高阻抗

输入

高阻抗

I/O15-I/O8

产量

高阻抗

输入

高阻抗

动力

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

SB

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

注：H = V

IH

中，L = V

IL

， X = DO NOT CARE

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

T

BIAS

T

英镑

P

T

I

OUT

T

j

等级

相对于V端子电压

SS

在偏置温度

储存温度

功耗

直流输出电流

最高结温

(2)

Com'l 。

-0.5到+4.6

-55到+125

1.5

50

125

IND 。

-0.5到+4.6

-65到+135

-65到+150

1.5

50

145

单位

V

°C

W

mA

°C

注：超过绝对最大额定值越大1.强调可能

对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对马克西

妈妈额定条件下，长时间会影响其可靠性。

2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行

那些选择的包具有大的热阻（例如，TSOP ）。该

计算应该是这样的形式

: T

j

= T

a

+ P *

θ

ja

其中T

a

是环境温度

TURE ， P为平均运行功率和

θ

ja

封装的热阻。为

本产品，请使用以下

θ

ja

价值观：

SOJ ： 59

o

C / W

TSOP ： 87

o

C / W

建议的直流工作条件

符号

V

CC

V

SS

产业

描述

电源电压

环境温度

分钟。

3.0

0

–40

0

典型值。

3.3

0

25

马克斯。

3.6

0

85

70

单位

V

°C

11

12

3

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

DC电气特性

(V

CC

= 3.3V

±

0.3V)

符号

I

LI

I

LO

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

输出漏电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

I

OL

= 8毫安， V

CC

=最小值。

I

OH

= -4毫安，V

CC

=最小值。

测试条件

V

CC

=最大，V

IN

= VSS到V

CC

V

CC

=最大，

CE = V

IH

, V

OUT

= VSS到V

CC

Com'l /

IND 。

Com'l /

IND 。

分钟。

–5

–0.3

(1)

2.2

—

2.4

马克斯。

5

0.8

VCC +

0.3

0.4

—

单位

A

V

注：1， V

IL

（分钟） = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒。

电源特性

-8

符号参数

I

CC

工作电流

CE = V

IL

f = f

最大

= 1/t

RC

V

CC

=最大。

I

OUT

= 0毫安

I

SB

待机电流

CE = V

IH

f = f

最大

= 1/t

RC

V

CC

=最大。

I

SB1

全待机电流

CE

≥

V

CC

– 0.2V

f=0

V

CC

=最大，

V

IN

≥

V

CC

- 0.2V或

≤

0.2V

10

15

10

15

10

15

mA

50

45

40

45

35

40

30

35

mA

-10

-12

IND 。

210

-15

Com'l

190

IND 。

200

-20

Com'l工业。

185

195

单位

mA

Com'l Com'l Com'l

220

210

200

注：所有数值都是最大保证值。

4

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

V

SS

至3.0V

2.5纳秒

1.5V

参见图1和2

1

2

3

4

+3.3V

317

D

OUT

351

30 pF的

+3.3V

317

D

OUT

351

5 pF的

5

6

7

8

9

10

11

12

图1.输出负载

图2.输出负载等效

（对于T

LZCE

, t

HZCE

, t

LZWE

, t

HZWE ，

t

LZBE

, t

HZBE

, t

LZOE

, t

HZOE

)

修订版1.2 - 98年3月31日

5

初步

PDM31564

256K ×16的CMOS

3.3V静态RAM

特点

n

描述

该PDM31564是一个高性能的CMOS静态

RAM组织为262144 ×16位。该PDM31564

具有低功耗芯片的采用使

（CE）和具有输出使能输入端（OE）为快

存储器存取。字节访问支持上

字节和低字节的控制。

该PDM31564采用3.3V单电源工作

电源和所有输入和输出完全与TTL

兼容。

该PDM31564可在一个44引脚400密耳塑料

抽动SOJ和一个塑料TSOP封装用于高密度

表面组装，并适合于高利用

高速应用需要高速存储。

1

2

3

4

5

6

n

高速存取时间

- Com'l ： 8，10， 12，15，和20纳秒

- 工业： 12 ，15，和20纳秒

低功耗工作（典型值）

- PDM31564SA

主动： 300毫瓦

待机： 25mW的

高密度256K ×16架构

3.3V （ ± 0.3V ）电源

全静态操作

TTL兼容的输入和输出

输出缓冲区的控制： OE

数据字节的控制： LB ， UB

包：

塑料SOJ （ 400万） - SO

塑料TSOP （ II ） - T的

功能框图

行地址

卜FF器

行解码器

VCC

VSS

7

内存

CELL

ARRAY

256 x

x

128 x 32

512 256 x

A8 - A0

A7-A0

8

9

10

11

I/O15-I/O0

数据

输入/

产量

卜FF器

SENSE AMP

COLUMN

解码器

WE

OE

UB

LB

CE

控制

逻辑

时钟

发电机

COLUMN

地址

卜FF器

12

A17 - A9

A15-A8

修订版1.2 - 98年3月31日

1

初步

PDM31564

引脚CON组fi guration

TSOP （II）的

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A8

A9

A10

A11

A12

A4

A3

A2

A1

A0

CE

I/O0

I/O1

I/O2

I/O3

VCC

VSS

I/O4

I/O5

I/O6

I/O7

WE

A17

A16

A15

A14

A13

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

SOJ

44

43

42

41

40

39

38

37

36

35

34

33

32

31

30

29

28

27

26

25

24

23

A5

A6

A7

OE

UB

LB

I/O15

I/O14

I/O13

I/O12

VSS

VCC

I/O11

I/O10

I/O9

I/O8

NC

A8

A9

A10

A11

A12

引脚说明

名字

A17-A0

I/O15-I/O0

CE

WE

OE

LB ， UB

NC

V

ss

V

CC

描述

地址输入

数据输入

芯片使能输入

写使能输入

输出使能输入

数据字节控制输入

无连接

地

电源（ + 3.3V ）

电容

(T

A

= + 25°C ， F = 1.0兆赫）

符号

C

IN

C

I / O

参数

输入电容

输出电容

条件

V

IN

= V

SS

V

I / O

= V

SS

马克斯。

6

8

单位

pF

注：此参数由器件特性决定的，而不是生产测试。

2

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

经营模式

模式

读

CE

L

OE

L

WE

H

LB

L

H

L

写

L

X

L

H

L

输出禁用

L

待机

H

X

H

X

H

X

UB

L

H

L

H

x

H

X

I/O7-I/O0

产量

高阻抗

产量

输入

高阻抗

输入

高阻抗

I/O15-I/O8

产量

高阻抗

输入

高阻抗

动力

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

CC

I

SB

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

注：H = V

IH

中，L = V

IL

， X = DO NOT CARE

绝对最大额定值

(1)

符号

V

TERM

T

BIAS

T

英镑

P

T

I

OUT

T

j

等级

相对于V端子电压

SS

在偏置温度

储存温度

功耗

直流输出电流

最高结温

(2)

Com'l 。

-0.5到+4.6

-55到+125

1.5

50

125

IND 。

-0.5到+4.6

-65到+135

-65到+150

1.5

50

145

单位

V

°C

W

mA

°C

注：超过绝对最大额定值越大1.强调可能

对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能

该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的

本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对马克西

妈妈额定条件下，长时间会影响其可靠性。

2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行

那些选择的包具有大的热阻（例如，TSOP ）。该

计算应该是这样的形式

: T

j

= T

a

+ P *

θ

ja

其中T

a

是环境温度

TURE ， P为平均运行功率和

θ

ja

封装的热阻。为

本产品，请使用以下

θ

ja

价值观：

SOJ ： 59

o

C / W

TSOP ： 87

o

C / W

建议的直流工作条件

符号

V

CC

V

SS

产业

描述

电源电压

环境温度

分钟。

3.0

0

–40

0

典型值。

3.3

0

25

马克斯。

3.6

0

85

70

单位

V

°C

11

12

3

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

DC电气特性

(V

CC

= 3.3V

±

0.3V)

符号

I

LI

I

LO

V

IL

V

IH

V

OL

V

OH

参数

输入漏电流

输出漏电流

输入低电压

输入高电压

输出低电压

输出高电压

I

OL

= 8毫安， V

CC

=最小值。

I

OH

= -4毫安，V

CC

=最小值。

测试条件

V

CC

=最大，V

IN

= VSS到V

CC

V

CC

=最大，

CE = V

IH

, V

OUT

= VSS到V

CC

Com'l /

IND 。

Com'l /

IND 。

分钟。

–5

–0.3

(1)

2.2

—

2.4

马克斯。

5

0.8

VCC +

0.3

0.4

—

单位

A

V

注：1， V

IL

（分钟） = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒。

电源特性

-8

符号参数

I

CC

工作电流

CE = V

IL

f = f

最大

= 1/t

RC

V

CC

=最大。

I

OUT

= 0毫安

I

SB

待机电流

CE = V

IH

f = f

最大

= 1/t

RC

V

CC

=最大。

I

SB1

全待机电流

CE

≥

V

CC

– 0.2V

f=0

V

CC

=最大，

V

IN

≥

V

CC

- 0.2V或

≤

0.2V

10

15

10

15

10

15

mA

50

45

40

45

35

40

30

35

mA

-10

-12

IND 。

210

-15

Com'l

190

IND 。

200

-20

Com'l工业。

185

195

单位

mA

Com'l Com'l Com'l

220

210

200

注：所有数值都是最大保证值。

4

修订版1.2 - 98年3月31日

初步

PDM31564

AC测试条件

输入脉冲电平

输入上升和下降时间

输入定时基准水平

输出参考电平

输出负载

V

SS

至3.0V

2.5纳秒

1.5V

参见图1和2

1

2

3

4

+3.3V

317

D

OUT

351

30 pF的

+3.3V

317

D

OUT

351

5 pF的

5

6

7

8

9

10

11

12

图1.输出负载

图2.输出负载等效

（对于T

LZCE

, t

HZCE

, t

LZWE

, t

HZWE ，

t

LZBE

, t

HZBE

, t

LZOE

, t

HZOE

)

修订版1.2 - 98年3月31日

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