初步
PDM31096
4兆位3.3V静态RAM
512K ×8位
特点
n
描述
该PDM31096是一个高性能的CMOS静态
RAM的组织为524288 ×8位。写作
完成时的写使能（WE ）和芯片
启动CE输入端都是低电平。阅读是
当我们仍然很高， CE完成，
OE都很低。
该PDM31096从+ 3.3V单电源工作
供给和所有的输入和输出是充分的TTL
兼容。
该PDM31096可在一个36引脚400密耳塑料
抽动SOJ封装和44引脚塑料TSOP （ II ）
封装。
1
2
3
4
5
6
高速存取时间
Com'l ： 8，10， 12，15，和20纳秒
Ind'l ：12 ， 15和20纳秒
低功耗工作
- PDM31096SA
主动：300 MA（最大）
待机： 25mW的
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
TTL兼容的输入和输出
套餐
塑料SOJ （ 400万） - SO
塑料TSOP （ II ） - T的
n
n
n
n
功能框图
A
0
A
18
7
解码器
内存
矩阵
8
9
10
地址
I / O
0
I / O
7
输入
数据
控制
列I / O
11
12
1
CE
WE
OE
修订版2.4 - 98年5月27日
初步
PDM31096
引脚CON组fi guration
TSOP （II）的
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I / OO
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE
A18
A17
A16
A15
A14
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
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11
12
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14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
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26
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23
NC
NC
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
A13
NC
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
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4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
SOJ
引脚说明
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
A13
NC
名字
A18-A0
I/O7-I/O0
OE
WE
CE
NC
V
CC
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
输出使能输入
写使能输入
芯片使能输入
无连接
电源（ + 3.3V ）
地
真值表
(1)
OE
X
X
L
X
H
WE
X
X
H
L
H
CE
H
X
L
L
L
I / O
高阻
高阻
D
OUT
D
IN
高阻
模式
待机
待机
读
写
输出禁用
注： 1， H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
T
j
等级
相对于V端子电压
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
最高结温
(2)
Com'l 。
-0.5到+4.6
-55到+125
-55到+125
1.0
50
125
IND 。
-0.5到+4.6
-65到+135
-65到+150
1.0
50
145
单位
V
°C
°C
W
mA
°C
注： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行
那些选择的包具有大的热阻（例如，TSOP ） 。校准 -
culation应该是这样的形式
: T
j
= T
a
+ P *
θ
ja
其中T
a
是在环境温度下，磷
是平均运行功率和
θ
ja
封装的热阻。为了这
产品，请使用以下
θ
ja
价值：
SOJ ： 59
o
C / W
TSOP ：待定
2
修订版2.4 - 98年5月27日
初步
PDM31096
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大，
CE = V
IH
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。
–5
–5
马克斯。
5
5
单位
A
A
1
2
3
4
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 8毫安， V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
–0.3
(1)
2.2
—
2.4
0.8
Vcc+0.3
0.4
—
V
V
V
V
注： 1.V
IL
（分钟） = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒
电源特性
-8
符号参数
I
CC
工作电流
CE = V
IL
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大。
I
OUT
= 0毫安
I
SB
待机电流
CE = V
IH
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大。
I
SB1
全待机电流
CE
≥
V
CC
– 0.2V
f=0
V
CC
=最大，
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
≤
0.2V
10
10
10
15
10
15
10
15
mA
50
45
40
45
35
40
30
35
mA
Com'l 。
230
-10
Com'l 。
215
-12
-15
-20
单位
mA
Com'l工业。 Com'l印第安纳州Com'l工业。
200
220
160
200
120
160
5
6
7
8
9
10
注：所有数值都是最大保证值。
电容
(1)
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
11
12
注： 1。该参数由器件特性决定的，但不是生产测试。
修订版2.4 - 98年5月27日
3
初步
PDM31096
4兆位3.3V静态RAM
512K ×8位
特点
n
描述
该PDM31096是一个高性能的CMOS静态
RAM的组织为524288 ×8位。写作
完成时的写使能（WE ）和芯片
启动CE输入端都是低电平。阅读是
当我们仍然很高， CE完成，
OE都很低。
该PDM31096从+ 3.3V单电源工作
供给和所有的输入和输出是充分的TTL
兼容。
该PDM31096可在一个36引脚400密耳塑料
抽动SOJ封装和44引脚塑料TSOP （ II ）
封装。
1
2
3
4
5
6
高速存取时间
Com'l ： 8，10， 12，15，和20纳秒
Ind'l ：12 ， 15和20纳秒
低功耗工作
- PDM31096SA
主动：300 MA（最大）
待机： 25mW的
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
TTL兼容的输入和输出
套餐
塑料SOJ （ 400万） - SO
塑料TSOP （ II ） - T的
n
n
n
n
功能框图
A
0
A
18
7
解码器
内存
矩阵
8
9
10
地址
I / O
0
I / O
7
输入
数据
控制
列I / O
11
12
1
CE
WE
OE
修订版2.4 - 98年5月27日
初步
PDM31096
引脚CON组fi guration
TSOP （II）的
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I / OO
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE
A18
A17
A16
A15
A14
NC
NC
1
2
3
4
5
6
7
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9
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12
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15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
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30
29
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24
23
NC
NC
NC
A5
A6
A7
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OE
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
A13
NC
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
3
4
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8
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10
11
12
13
14
15
16
17
18
SOJ
引脚说明
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
A13
NC
名字
A18-A0
I/O7-I/O0
OE
WE
CE
NC
V
CC
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
输出使能输入
写使能输入
芯片使能输入
无连接
电源（ + 3.3V ）
地
真值表
(1)
OE
X
X
L
X
H
WE
X
X
H
L
H
CE
H
X
L
L
L
I / O
高阻
高阻
D
OUT
D
IN
高阻
模式
待机
待机
读
写
输出禁用
注： 1， H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
T
j
等级
相对于V端子电压
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
最高结温
(2)
Com'l 。
-0.5到+4.6
-55到+125
-55到+125
1.0
50
125
IND 。
-0.5到+4.6
-65到+135
-65到+150
1.0
50
145
单位
V
°C
°C
W
mA
°C
注： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行
那些选择的包具有大的热阻（例如，TSOP ） 。校准 -
culation应该是这样的形式
: T
j
= T
a
+ P *
θ
ja
其中T
a
是在环境温度下，磷
是平均运行功率和
θ
ja
封装的热阻。为了这
产品，请使用以下
θ
ja
价值：
SOJ ： 59
o
C / W
TSOP ：待定
2
修订版2.4 - 98年5月27日
初步
PDM31096
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大，
CE = V
IH
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。
–5
–5
马克斯。
5
5
单位
A
A
1
2
3
4
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 8毫安， V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
–0.3
(1)
2.2
—
2.4
0.8
Vcc+0.3
0.4
—
V
V
V
V
注： 1.V
IL
（分钟） = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒
电源特性
-8
符号参数
I
CC
工作电流
CE = V
IL
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大。
I
OUT
= 0毫安
I
SB
待机电流
CE = V
IH
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大。
I
SB1
全待机电流
CE
≥
V
CC
– 0.2V
f=0
V
CC
=最大，
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
≤
0.2V
10
10
10
15
10
15
10
15
mA
50
45
40
45
35
40
30
35
mA
Com'l 。
230
-10
Com'l 。
215
-12
-15
-20
单位
mA
Com'l工业。 Com'l印第安纳州Com'l工业。
200
220
160
200
120
160
5
6
7
8
9
10
注：所有数值都是最大保证值。
电容
(1)
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
11
12
注： 1。该参数由器件特性决定的，但不是生产测试。
修订版2.4 - 98年5月27日
3
初步
PDM31096
4兆位3.3V静态RAM
512K ×8位
特点
n
描述
该PDM31096是一个高性能的CMOS静态
RAM的组织为524288 ×8位。写作
完成时的写使能（WE ）和芯片
启动CE输入端都是低电平。阅读是
当我们仍然很高， CE完成，
OE都很低。
该PDM31096从+ 3.3V单电源工作
供给和所有的输入和输出是充分的TTL
兼容。
该PDM31096可在一个36引脚400密耳塑料
抽动SOJ封装和44引脚塑料TSOP （ II ）
封装。
1
2
3
4
5
6
高速存取时间
Com'l ： 8，10， 12，15，和20纳秒
Ind'l ：12 ， 15和20纳秒
低功耗工作
- PDM31096SA
主动：300 MA（最大）
待机： 25mW的
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
TTL兼容的输入和输出
套餐
塑料SOJ （ 400万） - SO
塑料TSOP （ II ） - T的
n
n
n
n
功能框图
A
0
A
18
7
解码器
内存
矩阵
8
9
10
地址
I / O
0
I / O
7
输入
数据
控制
列I / O
11
12
1
CE
WE
OE
修订版2.4 - 98年5月27日
初步
PDM31096
引脚CON组fi guration
TSOP （II）的
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I / OO
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE
A18
A17
A16
A15
A14
NC
NC
1
2
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NC
NC
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A5
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OE
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A9
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A12
A13
NC
NC
NC
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I/O0
I/O1
VCC
VSS
I/O2
I/O3
WE
A18
A17
A16
A15
A14
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
SOJ
引脚说明
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
NC
A5
A6
A7
A8
OE
I/O7
I/O6
VSS
VCC
I/O5
I/O4
A9
A10
A11
A12
A13
NC
名字
A18-A0
I/O7-I/O0
OE
WE
CE
NC
V
CC
V
SS
描述
地址输入
数据输入/输出
输出使能输入
写使能输入
芯片使能输入
无连接
电源（ + 3.3V ）
地
真值表
(1)
OE
X
X
L
X
H
WE
X
X
H
L
H
CE
H
X
L
L
L
I / O
高阻
高阻
D
OUT
D
IN
高阻
模式
待机
待机
读
写
输出禁用
注： 1， H = V
IH
中，L = V
IL
， X = DO NOT CARE
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
BIAS
T
英镑
P
T
I
OUT
T
j
等级
相对于V端子电压
SS
在偏置温度
储存温度
功耗
直流输出电流
最高结温
(2)
Com'l 。
-0.5到+4.6
-55到+125
-55到+125
1.0
50
125
IND 。
-0.5到+4.6
-65到+135
-65到+150
1.0
50
145
单位
V
°C
°C
W
mA
°C
注： 1.强调超过绝对最大额定值可能会导致
永久损坏设备。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些或以上的任何其他条件，在操作指示的
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
2.适当的热计算应在所有情况下具体来说用于执行
那些选择的包具有大的热阻（例如，TSOP ） 。校准 -
culation应该是这样的形式
: T
j
= T
a
+ P *
θ
ja
其中T
a
是在环境温度下，磷
是平均运行功率和
θ
ja
封装的热阻。为了这
产品，请使用以下
θ
ja
价值：
SOJ ： 59
o
C / W
TSOP ：待定
2
修订版2.4 - 98年5月27日
初步
PDM31096
DC电气特性
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
输出漏电流
测试条件
V
CC
=最大，V
IN
= V
SS
到V
CC
V
CC
=最大，
CE = V
IH
V
OUT
= V
SS
到V
CC
分钟。
–5
–5
马克斯。
5
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单位
A
A
1
2
3
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V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
I
OL
= 8毫安， V
CC
=最小值。
I
OH
= -4毫安，V
CC
=最小值。
–0.3
(1)
2.2
—
2.4
0.8
Vcc+0.3
0.4
—
V
V
V
V
注： 1.V
IL
（分钟） = -3.0V为脉冲宽度小于20纳秒
电源特性
-8
符号参数
I
CC
工作电流
CE = V
IL
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大。
I
OUT
= 0毫安
I
SB
待机电流
CE = V
IH
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
=最大。
I
SB1
全待机电流
CE
≥
V
CC
– 0.2V
f=0
V
CC
=最大，
V
IN
≥
V
CC
- 0.2V或
≤
0.2V
10
10
10
15
10
15
10
15
mA
50
45
40
45
35
40
30
35
mA
Com'l 。
230
-10
Com'l 。
215
-12
-15
-20
单位
mA
Com'l工业。 Com'l印第安纳州Com'l工业。
200
220
160
200
120
160
5
6
7
8
9
10
注：所有数值都是最大保证值。
电容
(1)
(T
A
= + 25°C ， F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
11
12
注： 1。该参数由器件特性决定的，但不是生产测试。
修订版2.4 - 98年5月27日
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