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GaAlAs的高功率红外LED发射器
(660nm/940nm)
PDI-E835
包装尺寸英寸[毫米]
.205 [5.21]
RED L.E.D.
引线键合
I.R. L.E.D.
.055 [1.40]
.025 [0.64]
.225 [5.71]
明确
封装
金属化陶瓷
基板
3X焊盘
触点C
联系B
CONTACT A
金属化陶瓷封装
特点
·低成本
660纳米+/- 3nm的
3驱动线
描述
该
PDI-E835
是一个三线驱动器的双发射器
血氧饱和度分量。在660和940nm的GaAlAs的
安装在一个水珠红外线发射掺杂的低
低成本陶瓷SMT封装。所述LED具有
共阳极。
单位
mW
mA
mA
V
°C
°C
°C
应用
血氧探头
手指夹
可重复使用的探头
绝对最大额定值
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号参数
P
d
I
f
I
p
V
r
T
英镑
T
O
T
S
功耗
连续正向电流
最大正向电流
反向电压
储存温度
工作温度
焊接温度*
-40
-40
民
最大
250
30
200
4
+80
+80
+240
概要
B
660纳米
LED
A
C
940纳米
LED
*从案例最多3秒1/16英寸。
光电特性评级
（ TA ）= 23 ° C除非另有说明
符号
P
o
Iv
V
f
V
r
l
p
特征
辐射通量
发光强度
正向电压
反向击穿电压
峰值波长
光谱半宽
上升时间
下降时间
测试条件
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 10
μA
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
I
f
= 20毫安
660纳米
最小典型最大
1.8
2.4
20
57
1.8
2.4
5
658
661
664
22
0.08
0.03
940纳米
最小典型最大
1.2 2.0
1.3
5
930
940
42
2
1
1.5
950
单位
mW
MCD
V
V
nm
nm
uS
uS
Δ
l
t
r
t
f
在这个技术数据表的信息是正确和可靠的。但是，没有承担责任的可能不准确或遗漏。规格
如有更改，恕不另行通知。
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