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PD85035-E
PD85035S-E
RF功率晶体管, LDMOST塑料系列
N沟道增强模式横向的MOSFET
特点
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 35瓦14.9 dB增益@ 870兆赫/
13.6 V
塑料包装
ESD保护
符合2002/95 / EC1欧洲
指示
PowerSO-10RF
(形成铅)
描述
该PD85035 -E是一种常见的源N沟道,
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益,宽带
商业和工业应用。它
工作在13.6 V在共源模式,
高达1千兆赫的频率。 PD85035 -E自夸
ST的的优异的增益,线性度和可靠性
最新的LDMOS技术安装在第一个真正的
SMD塑料RF功率封装, PowerSO - 10RF 。
PD85035 -E的卓越线性度性能
使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
该PowerSO - 10塑料封装,设计
提供高可靠性,是第一个ST JEDEC
批准的,高功率SMD封装。它一直
专为RF的需求,并提供最优化
出色的RF性能和易于装配。
安装建议在使用
www.st.com/rf/ (查找应用笔记AN1294 )
PowerSO-10RF
(直引线)
图1 。
引脚连接
来源
表1中。
设备简介
订购代码
PD85035-E
PD85035S-E
PD85035TR-E
PD85035STR-E
PowerSO - 10RF (形成铅)
PowerSO - 10RF (直引线)
PowerSO - 10RF (形成铅)
PowerSO - 10RF (直引线)
REV 2
填料
磁带和卷轴
磁带和卷轴
1/15
www.st.com
15
2008年8月
目录
PD85035 -E , PD85035S -E
目录
1
电气数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
1.2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
2.4
静态的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
动态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
ESD保护特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
湿度敏感度等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
3
4
5
6
阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
典型表现。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
PD85035 -E , PD85035S -E
电气数据
1
1.1
电气数据
最大额定值
表2中。
符号
V
( BR ) DSS
V
GS
I
D
P
DISS
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
= 25 °C)
价值
40
-0.5至+15
8
95
165
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
功率耗散( @ T
C
= 70
°C)
马克斯。工作结温
储存温度
1.2
热数据
表3中。
符号
R
thJC
热数据
参数
结 - 壳热阻
价值
1.0
单位
° C / W
3/15
电气特性
PD85035 -E , PD85035S -E
2
电气特性
T
= +25 °C
2.1
STATIC
表4 。
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 5 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
STATIC
测试条件
V
DS
= 25 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 350毫安
I
D
= 3 A
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
3.9
0.64
76
45
1.4
0.7
典型值
最大
1
1
单位
μA
μA
V
V
pF
pF
pF
2.2
动态
表5 。
符号
P3dB
G
P
h
D
动态
测试条件
V
DD
= 13.6 V,I
DQ
= 350毫安
F = 870 MHz的
35
15
60
20:1
典型值
40
17
72
最大
单位
W
dB
%
VSWR
V
DD
= 13.6 V,I
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 15 W, F = 870 MHz的
V
DD
= 13.6 V,I
DQ
= 350毫安, P
OUT
= P3dB , F = 870 MHz的
负载
V
DD
1 = 7V ,我
DQ
= 350毫安, P
OUT
= 50 W, F = 870 MHz的
匹配所有相位角
2.3
ESD保护特性
表6 。
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
2
M3
2.4
湿度敏感度等级
表7中。
湿度敏感度等级
测试方法
J-STD-020B
等级
MSL 3
4/15
PD85035 -E , PD85035S -E
阻抗
3
阻抗
图2中。
目前公约
表8 。
阻抗数据
Z
IN
(Ω)
0.57 +j 0.73
Z
DL
(Ω)
1.73 -j 0.15
频率(MHz)
870兆赫
5/15
PD85035-E
PD85035S-E
RF功率晶体管, LDMOST塑料系列
N沟道增强模式横向的MOSFET
目标特定网络阳离子
特点
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 35W与14.9分贝增益@ 870MHz的/
13.6V
塑料包装
ESD保护
符合2002/ 93 / EC欧洲
指示
PowerSO-10RF
(形成铅)
描述
该PD85035 -E是一种常见的源N沟道,
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益,宽带
商业和工业应用。它
在共源模式工作在13.6V
高达1千兆赫的频率。 PD85035 -E自夸
ST的的优异的增益,线性度和可靠性
最新的LDMOS技术安装在第一个真正的
SMD塑料RF功率封装, PowerSO - 10RF 。
PD85035 -E的卓越线性度性能
使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
该PowerSO - 10塑料封装,设计
提供高可靠性,是第一个ST JEDEC
批准的,高功率SMD封装。它一直
专为RF的需求,并提供最优化
出色的RF性能和易于装配。
安装建议在使用
www.st.com/rf/ (查找应用笔记AN1294 )
PowerSO-10RF
(直引线)
图1 。
引脚连接
来源
表1中。
设备简介
产品型号
PD85035-E
PD85035S-E
PD85035TR-E
PD85035STR-E
PowerSO - 10RF (形成铅)
PowerSO - 10RF (直引线)
PowerSO - 10RF (形成铅)
PowerSO - 10RF (直引线)
REV 1
填料
磁带和卷轴
磁带和卷轴
1/15
www.st.com
15
2007年5月
这是要发展就预见到了新产品的初步信息。详细信息如有变更,恕不另行通知。
目录
PD85035 -E , PD85035S -E
目录
1
电气数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
1.2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
2.4
静态的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
动态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
ESD保护特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
湿度敏感度等级。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
3
4
5
6
阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
典型表现。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
2/15
PD85035 -E , PD85035S -E
电气数据
1
1.1
电气数据
最大额定值
表2中。
符号
V
( BR ) DSS
V
GS
I
D
P
DISS
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
(T
= 25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散( @ T
C
= 70°C)
马克斯。工作结温
储存温度
价值
40
-0.5至+15
8
95
165
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
1.2
热数据
表3中。
符号
R
thJC
热数据
参数
结 - 壳热阻
价值
1.0
单位
° C / W
3/15
电气特性
PD85035 -E , PD85035S -E
2
电气特性
T
= +25
o
C
2.1
STATIC
表4 。
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS ( Q)
V
DS ( ON)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V
V
GS
= 20V
V
DS
= 10V
V
GS
= 10V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
STATIC
测试条件
V
DS
= 25V
V
DS
= 0V
I
D
= TBDmA
I
D
= 3A
V
DS
= 12.5V
V
DS
= 12.5V
V
DS
= 12.5V
F = 1MHz的
F = 1MHz的
F = 1MHz的
待定
0.64
76
45
1.4
0.7
典型值
最大
1
1
单位
A
A
V
V
pF
pF
pF
2.2
动态
表5 。
符号
P3dB
G
P
h
D
动态
测试条件
V
DD
= 13.6V ,我
DQ
= 350毫安
F = 870MHz的
分钟。
35
15
60
20:1
典型值。
40
17
72
马克斯。
单位
W
dB
%
VSWR
V
DD
= 13.6V ,我
DQ
= 350mA,可P
OUT
= 15W , F = 870MHz的
V
DD
= 13.6V ,我
DQ
= 350mA,可P
OUT
= P3dB中,f = 870MHz的
负载
V
DD
= 17V ,我
DQ
= 350mA,可P
OUT
= 50W , F = 870MHz的
匹配所有相位角
2.3
ESD保护特性
表6 。
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
2
M3
2.4
湿度敏感度等级
表7中。
湿度敏感度等级
测试方法
J-STD-020B
等级
MSL 3
4/15
PD85035 -E , PD85035S -E
阻抗
3
阻抗
图2中。
目前公约
表8 。
阻抗数据
频率。 (兆赫)
870兆赫
Z
IN
()
.57 +j 0.73
Z
DL
()
1.73 -j 0.15
5/15
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数量
封装
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操作
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PD85035S-E
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1184826453 复制

电话:13510131896
联系人:欧阳
地址:龙岗区布吉街道粤宝花园3栋514
PD85035S-E
STM
2033+
5000
NA
全新原装欢迎咨询
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881677436 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881620402 复制

电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
PD85035S-E
ST(意法)
23+
700000
PowerSO-10 裸露底部焊盘
柒号芯城跟原厂的距离只有0.07公分
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制 点击这里给我发消息 QQ:1281623813 复制

电话:0755-23914006/18318877587
联系人:陈佳隆
地址:深圳市福田区华强北新亚洲电子市场一期2A108●国利大厦1502室
PD85035S-E
ST/意法
24+
21000
N
真实库存信息/只做原装正品/支持实单
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2581021098 复制

电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
PD85035S-E
ST
2025+
26820
PowerSO-10
【原装优势★★★绝对有货】
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1248156793 复制 点击这里给我发消息 QQ:519794981 复制

电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
PD85035S-E
ST
24+
20
PowerSO-10RF
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
PD85035S-E
2406+
1850
诚信经营!进口原装!量大价优!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
PD85035S-E
STM
20+
9578
N.A
原装原包现货特价热卖品惠只有原装
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2355401992 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881479203 复制

电话:0755-23917105/23964265
联系人:张先生/王小姐
地址:深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD 1期A座20楼2002
PD85035S-E
TE/泰科
2508+
415341
/
一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
PD85035S-E
STMicroelectronics
24+
10000
PowerSO-10RF(直引线)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
PD85035S-E
ST
2443+
23000
standard
一级代理专营,原装现货,价格优势
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