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PD85035C
RF功率晶体管 - LDMOST家庭
初步数据
特点
■
■
■
■
■
■
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 35瓦14.5 dB增益@ 945兆赫/
13.6 V
氧化铍无陶瓷封装
ESD保护
符合2002/95 / EC欧洲
指示
M243
环氧树脂密封
描述
该PD85035C是一个公共源
N信道，增强模式横向现场
实现射频功率晶体管。它是专为高
增益，宽带商业和工业
应用程序。它工作在13.6 V在通用
源模式以高达1千兆赫的频率。
PD85035C拥有出色的增益，线性度和
意法半导体最新的LDMOS技术的可靠性。
PD85035C卓越的线性性能
使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
图1 。
引脚连接
1
3
2
1.漏
2.门
3.源
表1中。
设备简介
订货编号
PD85035C
包
M243
填料
箱
2007年11月
REV 1
1/10
www.st.com
10
这是对正在开发或正在接受评估新产品的初步信息。内容如有
更改，恕不另行通知。
目录
PD85035C
目录
1
电气数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
1.2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
静态的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
动态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
ESD保护特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
3
4
5
6
阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
典型表现。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 9
2/10
PD85035C
电气数据
1
1.1
电气数据
最大额定值
表2中。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
(T
例
= 25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T
C
= 70
°C)
马克斯。工作结温
储存温度
价值
40
-0.5至+15
8
108
200
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
1.2
热数据
表3中。
符号
R
thJC
热数据
参数
结 - 壳热阻
价值
1.2
单位
° C / W
3/10
电气特性
PD85035C
2
电气特性
T
例
= +25
o
C
2.1
STATIC
表4 。
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
STATIC
测试条件
V
DS
= 25 V
V
DS
= 0 V
I
D
=待定
I
D
= 3 A
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
待定
0.64
76
45
1.4
0.7
民
典型值
最大
1
1
单位
A
A
V
V
pF
pF
pF
2.2
动态
表5 。
符号
P3dB
G
P
h
D
动态
测试条件
V
DD
= 13.6 V，I
DQ
= 350毫安
F = 945 MHz的
民
35
15
60
20:1
17.5
77
典型值
最大
单位
W
dB
%
VSWR
V
DD
= 13.6 V，I
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 15W ， F = 945 MHz的
V
DD
= 13.6 V，I
DQ
= 350毫安， P
OUT
= P3dB ， F = 945 MHz的
负载
V
DD
= 17 V，I
DQ
= 350毫安， P
OUT
= 50W ， F = 945 MHz的
匹配所有相位角
2.3
ESD保护特性
表6 。
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2
M3
4/10
PD85035C
阻抗
3
阻抗
图2中。
目前公约
表7中。
阻抗数据
频率。 （兆赫）
945兆赫
Z
IN
()
1.08 +j 2.05
Z
DL
()
2.14 + j 2.17
5/10
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厂家
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    PD85035C
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    -
    -
    -
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21000
N
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PD85035C
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22+
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ST
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