PD85015-E
PD85015S-E
RF功率晶体管， LDMOST塑料系列
N沟道增强模式横向的MOSFET
特点
■
■
■
■
■
■
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 15 W和16分贝
获得@ 870兆赫/ 13.6 V
塑料包装
ESD保护
符合2002/95 / EC欧洲
指示
PowerSO-10RF
（形成铅）
描述
该PD85015 -E是一种常见的源N沟道，
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益，宽带
商业和工业应用。它
工作在13.6 V在共源模式，
高达1千兆赫的频率。 PD85015 -E自夸
ST的的优异的增益，线性度和可靠性
最新的LDMOS技术安装在第一个真正的
SMD塑料RF功率封装， PowerSO - 10RF 。
PD85015 -E的卓越线性度性能
使其成为车载移动无线电的理想解决方案。
该PowerSO - 10塑料封装，设计
提供高可靠性，是第一个ST JEDEC
批准的，高功率SMD封装。它一直
专为RF的需求，并提供最优化
出色的RF性能和易于装配。
安装建议在使用
www.st.com/rf （搜索AN1294 ）
表1中。
设备简介
订购代码
PD85015-E
PD85015S-E
PD85015TR-E
PD85015STR-E
包
PowerSO - 10RF （形成铅）
PowerSO - 10RF （直引线）
PowerSO - 10RF （形成铅）
PowerSO - 10RF （直引线）
包装
管
管
磁带和卷轴
磁带和卷轴
PowerSO-10RF
（直引线）
图1 。
引脚连接
来源
门
漏
2009年7月
文档ID 14466第2版
1/13
www.st.com
13
目录
STAP85015 -E STAP85015S -E
目录
1
电气数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
1.1
1.2
最大额定值。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
热数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3
2
电特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
2.1
2.2
2.3
静态的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
动态。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
ESD保护特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 4
3
4
5
6
阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。五
典型表现。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
包装机械的数据。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
修订历史。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 12
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文档ID 14466第2版
STAP85015 -E STAP85015S -E
电气数据
1
1.1
电气数据
最大额定值
表2中。
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
T
J
T
英镑
绝对最大额定值
(T
例
= 25 °C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T
C
= 70
°C)
马克斯。工作结温
储存温度
价值
40
-0.5至+15
5
59
165
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
1.2
热数据
表3中。
符号
R
thJC
热数据
参数
结 - 壳热阻
价值
1.6
单位
° C / W
文档ID 14466第2版
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电气特性
STAP85015 -E STAP85015S -E
2
电气特性
T
例
= +25
o
C
2.1
STATIC
表4 。
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0V
V
GS
= 5 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
V
GS
= 0V
STATIC
测试条件
V
DS
= 25 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 150毫安
I
D
= 1 A
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
-
3.4
0.34
45
36
1.2
民
典型值
最大
1
1
单位
A
A
V
V
pF
pF
pF
2.2
动态
表5 。
符号
P3dB
G
P
h
D
动态
测试条件
V
DD
= 13.6 V，I
DQ
= 150毫安
F = 870 MHz的
民
15
16
60
20:1
70
典型值
20
-
最大
单位
W
dB
%
VSWR
V
DD
= 13.6 V，I
DQ
= 150毫安， P
OUT
= 15 W， F = 870 MHz的
V
DD
= 13.6 V，I
DQ
= 150毫安， P
OUT
= P3dB ， F = 870 MHz的
负载
V
DD
= 1 7 V，I
DQ
= 300毫安， P
OUT
= 25 W， F = 870 MHz的
匹配所有相位角
2.3
ESD保护特性
表6 。
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
类
2
M3
4/13
文档ID 14466第2版
STAP85015 -E STAP85015S -E
阻抗
3
阻抗
图2中。
目前公约
表7中。
阻抗数据
Z
IN
(Ω)
待定
Z
DL
(Ω)
待定
频率（MHz）
870兆赫
文档ID 14466第2版
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