MOSFET
模块
特点
*双MOS场效应管级联电路
双路50A 450V / 500V
PD7M441H / PD7M440H
外形绘图
外形尺寸（mm ）
108.0
*已阻止通过MOSFET的体二极管
简称SBD ，和超快速恢复二极管
并联
* 300KHz的高速开关可能
电路
典型应用
*电源为通信和
感应加热
最大完全评级
评级
漏源电压（V
GS
=0V)
栅 - 源电压
连续漏电流
Duty=50%
特区
大约重量： 220克
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
jw
T
英镑
V
ISO
F
器
PD7M441H
450
+/ - 20
50 （TC = 25 ° C）
35 （TC = 25℃ ）
100锝= 25 ° C）
350锝= 25 ° C）
-40到+150
-40到+125
2000
3.0
2.0
PD7M440H
500
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
漏电流脉冲
总功耗
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压端与交流基地， 1分钟）
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
（ @ TC = 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
测试条件
零栅极电压漏极电流
门源阈值电压
栅极 - 源极漏电流
静态漏源导通电阻
漏源电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
fs
C
IES
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=V
DSS
,V
GS
=0V
T
j
= 125°C ，V
DS
=V
DSS
,V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
GS
=+/- 20V,V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
DS
= 15V ，我
D
=25A
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1MHz
V
DD
= 1/2V
DSS
I
D
=25A
V
GS
= -5V, +10V
R
G
= 7ohm
分钟。
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
3.1
-
110
3.2
45
9.0
1.7
0.32
120
80
240
50
马克斯。
1.0
4.0
4.0
1.0
120
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mA
V
A
M-欧姆
V
S
nF
nF
nF
ns
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
特征
符号
测试条件
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
r
特区
-
I
S
=50A
I
S
= 50A ， -dis / DT = 100A /
s
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
100
0.15
马克斯。
35
100
1.9
-
-
单位
A
A
V
ns
C
单位
° C / W
热特性
特征
符号
热阻，结到外壳
热电阻，案件散热器
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
MOS FET
二极管
安装表面平整，光滑，并涂油
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.36
2.0
0.1
450½
MOSFET
50A 450
½
500V
PD7M441H/440H
108.0
PD7M441H
P2H7M441H
P2H7M441H/440H
108.0
PD7M440H
P2H7M440H
質量
大约重量： 220克
■
最大定格
最大额定值
質量
大约重量： 220克
単½
耐 圧クラス
GRADE
PD7M441H / P2H7M441H PD7M440H / P2H7M440H单位
450
500
V
V
GS
=0V
±20
50（Ｔc=25℃）
35（Ｔc=25℃）
100（Ｔc=25℃）
350（Ｔc=25℃）
40+150℃
40+125℃
2000
端子
-
ベース间， AC1分间
终端基地， AC 1分钟。
3.0（本½取付 Module Base to Heat sink）
2.0 （ネジ端子部母线主接线端子）
V
A
A
W
℃
℃
V
N·m的
項
等级
ドレイン½ース間電圧
漏源电压
目
記 号
符号
V
DSS
V
GSS
ゲート½ース間電圧
栅源电压
ドレイン電流（連続）
连续漏电流
Duty=50%
特区
I
D
I
DM
P
D
T
jw
T
英镑
V
ISO
F
器
パルスドレイン電流
漏电流脉冲
全損失
总功耗
動½接合温度範囲
工作结温范围
保存温度範囲
存储温度范围
絶縁耐圧
RMS的隔离电压
締付トルク
安装力矩
1
■电気的特性电气特性（ @T
C
= 25℃除非另有说明）
項目
特征
ドレイン遮断電流
零栅极电压漏极电流
ゲート½ース間しきい値電圧
门源阈值电压
ゲート½ース間漏れ電流
栅极 - 源极漏电流
ドレイン½ース間オン抵抗
（ MOSFET部）
静态漏源导通电阻
ドレイン½ース間オン電圧
漏源电压
順伝達コンダクタンス
正向跨导
入力容量
输入电容
出力容量
输出电容
帰還容量
反向传输电容
ターンオン遅延時間
导通延迟时间
上昇時間
上升时间
ターンオン遅延時間
打开-O FF延迟时间
下降時間
下降时间
記号
符号
I
DSS
V
GS
（ TH ）
I
GSS
r
DS
（上）
V
DS
（上）
g
fg
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
（上）
d
t
r
t
（关闭）
d
t
f
V
DD
＝1/2V
DSS
I
D
＝25A
V
GS
＝5V, ＋10V
R
G
＝7Ω
V
GS
＝0V
V
DS
＝25V
f＝1MHz
条件
条件
V
DS
＝V
DSS
, V
GS
＝0V
T
j
＝125℃, V
DS
＝V
DSS
, V
GS
＝0V
V
DS
＝V
GS
, I
D
＝1mA
V
GS
＝±20V, V
DS
＝0V
V
GS
= 10V ，我
D
＝25A
V
GS
= 10V ，我
D
＝25A
V
DS
= 15V ，我
D
＝25A
特性値（最大）
最大值
最小
標準
最大
分钟。
典型值。
马克斯。
単½
单位
mA
V
μ
A
mΩ
V
S
nF
nF
nF
ns
ns
ns
ns
─
─
2
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
─
3.1
─
110
3.2
45
9.0
1.7
0.32
120
80
240
50
1
4
4
1
120
3.4
─
─
─
─
─
─
─
─
■内部ダイオード定格·特性源极 - 漏极二极管额定值和特性（ @T
C
= 25℃除非另有说明）
項目
特征
½ース電流（連続）
连续源电流
パルス½ース電流
脉冲源电流
ダイオード順電圧
二极管的正向电压
逆回復時間
反向恢复时间
逆回復電荷
反向恢复电荷
記号
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
r
I
S
＝50A
I
S
＝50A
-dI
S
/ DT = 100A / S
μ
D. C.
条件
条件
特性値（最大）
最大值
最小
標準
最大
分钟。
典型值。
马克斯。
単½
单位
A
A
V
ns
μ
C
─
─
─
─
─
─
─
─
100
0.15
35
100
1.9
─
─
■热抵抗特性热特性
項目
特征
熱抵抗（接合部ケース間）
热阻，结到外壳
接触熱抵抗（ケース冷却フィン間）
热电阻，案件散热器
記号
符号
R
th
（J -C ）
R
th
（ C-F ）
MOSFET
二极管
サーマルコンパウンド塗布
安装表面平整，光滑，并涂油
条件
条件
特性値（最大）
最大值
最小
標準
最大
分钟。
典型值。
马克斯。
単½
单位
─
─
─
─
─
─
0.36
2.0
0.1
℃/W
─ 311 ─
MOSFET
模块
特点
*双MOS场效应管级联电路
双路50A 450V / 500V
PD7M441H / PD7M440H
外形绘图
外形尺寸（mm ）
108.0
*已阻止通过MOSFET的体二极管
简称SBD ，和超快速恢复二极管
并联
* 300KHz的高速开关可能
电路
典型应用
*电源为通信和
感应加热
最大完全评级
评级
漏源电压（V
GS
=0V)
栅 - 源电压
连续漏电流
Duty=50%
特区
大约重量： 220克
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
P
D
T
jw
T
英镑
V
ISO
F
器
PD7M441H
450
+/ - 20
50 （TC = 25 ° C）
35 （TC = 25℃ ）
100锝= 25 ° C）
350锝= 25 ° C）
-40到+150
-40到+125
2000
3.0
2.0
PD7M440H
500
单位
V
V
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
漏电流脉冲
总功耗
工作结温范围
存储温度范围
隔离电压端与交流基地， 1分钟）
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
（ @ TC = 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
测试条件
零栅极电压漏极电流
门源阈值电压
栅极 - 源极漏电流
静态漏源导通电阻
漏源电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
r
DS （ ON）
V
DS （ ON）
g
fs
C
IES
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DS
=V
DSS
,V
GS
=0V
T
j
= 125°C ，V
DS
=V
DSS
,V
GS
=0V
V
DS
=V
GS
, I
D
=1mA
V
GS
=+/- 20V,V
DS
=0V
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
GS
= 10V ，我
D
=25A
V
DS
= 15V ，我
D
=25A
V
DS
=25V,V
GS
=0V,f=1MHz
V
DD
= 1/2V
DSS
I
D
=25A
V
GS
= -5V, +10V
R
G
= 7ohm
分钟。
-
-
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
3.1
-
110
3.2
45
9.0
1.7
0.32
120
80
240
50
马克斯。
1.0
4.0
4.0
1.0
120
3.4
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
mA
V
A
M-欧姆
V
S
nF
nF
nF
ns
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
特征
符号
测试条件
连续源电流
脉冲源电流
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
r
特区
-
I
S
=50A
I
S
= 50A ， -dis / DT = 100A /
s
分钟。
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
100
0.15
马克斯。
35
100
1.9
-
-
单位
A
A
V
ns
C
单位
° C / W
热特性
特征
符号
热阻，结到外壳
热电阻，案件散热器
R
日（J -C ）
R
TH（ C-F ）
测试条件
MOS FET
二极管
安装表面平整，光滑，并涂油
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
-
马克斯。
0.36
2.0
0.1
QQ：2880707522 复制
