PD57070
PD57070S
射频功率晶体管
该LDMOST
塑料系列
N沟道增强模式横向
MOSFET的
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 70瓦，为14.7 dB增益@ 945兆赫/ 28V
新的RF塑料包装
PowerSO-10RF
（形成铅）
描述
的PD57070是一个公共源的N沟道，
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益，宽频带
商业和工业应用。它的工作
在28 V的共源模式下的频率
高达1 GHz 。 PD57070拥有出色的增益，
线性ST最新的LDMOS和可靠性
技术安装在第一个真正的SMD塑料RF
功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD57070的
卓越的线性度性能使它成为理想的
解决方案基站应用。
该PowerSO - 10塑料封装，设计
提供高可靠性，是第一个ST JEDEC
批准的，高功率SMD封装。它一直
专为RF的需求，并提供最优化
出色的RF性能和易于装配。
订货编号
PD57070
BRANDING
PD57070
PowerSO-10RF
（直引线）
订货编号
PD57070S
BRANDING
PD57070S
安装建议在使用
www.st.com/rf/
（查找应用笔记AN1294 ）
绝对最大额定值
(T
例
= 25
°
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T = 70 ° C）
马克斯。工作结温
储存温度
参数
价值
65
±
20
7
95
165
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
热数据
(T
例
=70
°
C)
R
日（J -C ）
结-Case热阻
1.0
° C / W
1/13
三月， 21 2003
PD57070 - PD57070S
测试电路原理图
尺寸表
暗淡
IN
MM
A
0.076
1.93
B
0.925 23.50
C
0.116
2.95
D
0.570 14.48
E
0.100
2.54
F
0.609 15.47
G
0.544 13.82
H
0.667 16.94
J
0.616 15.65
K
0.316 18.03
L
0.396 10.06
M
0.120
3.05
N
1.610 40.89
P
0.076
1.93
R
0.925 23.50
S
0.076
1.93
V
GG
+
+
+
+
V
DD
RF
IN
RF
OUT
笔记
1.尺寸AT元件符号是参考放置元器件。
[0.00]
2. GAP之间的地面&输电线路= 0.056 [ 1.42 ]
- 0.000 [0.05]
典型值。
+0.002
输入和输出组件3.尺寸与EDGE输电线路。
测试电路的组成部分名单
部件
L1,L2
FB1,FB2
R1
R2
R3
C1,C2
C3,C10,C11,C15
C4,C9
C5,C6,C7,C8
C12
C13,C17
C14
C16
C18
板
描述
电感， 5圈空绕＃ 22AWG ， ID 0.059 { } 1.49 ，尼龙涂层
电磁线
SHIELD珠表面贴装EMI
18千欧， 1W的表面贴装片式电阻器
4.7 MΩ ， 1瓦表面贴装片式电阻器
120
,
2 W表面贴装片式电阻器
3 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器
47 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷贴片电容器
0.8-8.0 pF的GIGA TRIM可变电容器
7.5 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器
1000 pF的ATC 700B表面贴装陶瓷片式电容器
0.1
F,
500 V表面贴装陶瓷片式电容器
10
F,
50V的铝电解径向引线电容器
100 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器
220
F,
63 V铝电解径向引线电容器
ROGER ，林超2000年， THK 0.030 “ ，
ε
R = 2.55 2盎司ED铜2面。
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