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PD57045
PD57045S
射频功率晶体管
该
LDMOST
塑料系列
初步数据
N沟道增强模式横向
MOSFET的
优良的热稳定性
常见源配置
POUT = 45瓦为13 dB增益@ 945兆赫/ 28V
新的RF塑料包装
描述
该PD57045是一种常见的源N沟道，恩
hancement模式，横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益，宽频带
商业和工业应用。它的工作
在28V的共源模式下的频率
高达1GHz 。 PD57045拥有出色的增益，
线性ST最新的LDMOS和可靠性技
术中安装的第一个真正的SMD塑料RF
功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD57045的苏
perior线性性能使它成为理想的所谓
lution的基站应用。
该PowerSO - 10塑料封装，专为以下项目的
FER高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，
高功率SMD封装。它已专门
射频需求进行了优化，提供卓越的RF
性能和易于组装。
PowerSO-10RF
（形成铅）
订货编号
BRANDING
PD57045
XPD57045
PowerSO-10RF
（直引线）
订货编号
BRANDING
PD57045S
XPD57045S
绝对最大额定值（T
例
= 25
0
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
T
j
T
英镑
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T = 70
0
C)
马克斯。工作结温
储存温度
价值
65
±20
5
73
165
-65至165
单位
V
V
A
W
0
C
0
C
热数据
(T
例
= 70
0
C)
R
日（J -C ）
2000年5月
结 - 壳热阻
1.3
0
C / W
1/8
PD57045 PD57045S
电气特性（T
例
= 25
0
C)
STATIC
符号
V
（ BR ） DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 28 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
参数
I
DS
= 1毫安
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 250毫安
I
D
= 3 A
I
D
= 5 A
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
V
DS
= 28 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
2.0
2.0
0.7
2.7
86
47
3.6
分钟。
65
1
1
5.0
0.9
典型值。
马克斯。
单位
V
A
A
V
V
姆欧
pF
pF
pF
动态
符号
P
OUT
G
PS
η
D
负载
不匹配
V
DD
= 28 V
V
DD
= 28 V
V
DD
= 28 V
F = 945 MHz的
F = 945 MHz的
F = 945 MHz的
参数
I
DQ
= 250毫安
P
OUT
= 45 W
P
OUT
= 45 W
P
OUT
= 45 W
I
DQ
= 250毫安
I
DQ
= 250毫安
I
DQ
= 250毫安
分钟。
45
13
50
10:1
14.5
典型值。
马克斯。
单位
W
dB
%
VSWR
V
DD
= 28 V
F = 945 MHz的
所有相位角
D
引脚连接
来源
Z
DL
典型输入
阻抗
典型的漏
负载阻抗
门
漏
G
寻
S
SC15200
SC13140
阻抗数据
PD57045S
频率
兆赫
945
寻
ZDL
.80 + j 1.24
1.66 - j.44
2/8
PD57045 PD57045S
典型性能
电容与漏极电压
1000
漏极电流与栅极电压
4
3.5
F = 1 MHz的
ID ，漏电流（ A）
Vds=10V
3
2.5
2
1.5
1
0.5
C，电容（pF ）
100
西塞
科斯
10
CRSS
1
0
10
20
30
40
50
0
2.5
3
3.5
4
4.5
5
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
VGS ，栅源电压（V ）
栅源电压与外壳温度
VGS ，栅源电压（归）
1.04
1.02
I
D
=3A
1
I
D
=2A
I
D
=1.5A
0.98
V
DS
=10 V
I
D
=1 A
I
D
=.25A
0.96
-25
0
25
50
75
TC ，外壳温度（ ° C）
3/8
PD57045 PD57045S
典型性能 -
PD57045S
输出功率和功率增益随输入功率
60
Gp
噘
功率增益与输出功率
17
IDQ = 450毫安
16
噘嘴，输出功率（ W）
50
15
16
GP ，功率增益（分贝）
GP ，功率增益（分贝）
15
14
IDQ = 250毫安
40
14
IDQ = 150毫安
30
13
13
12
IDQ = 75毫安
VDD = 28V
F = 945Mhz
20
V =28 V
I
DQ
= 250毫安
F = 945 MHz的
DD
12
10
11
11
10
0.1
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
10
3.5
100
引脚，输入功率（ W）
噘嘴，输出功率（ W）
漏极效率与输出功率
60
回波损耗与输出功率
0
第二，漏极效率（ ％ ）
50
RTL ，回波损耗（分贝）
-10
40
30
-20
20
F = 945Mhz
Vdd=28V
Idq=250mA
-30
F = 945 MHz的
VDD = 28V
Idq=250mA
-40
10
0
0
10
20
30
40
50
60
0
10
20
30
40
50
60
噘嘴，输出功率（ W）
噘嘴，输出功率（ W）
输出功率与偏置电流
60
漏极效率与偏置电流
70
噘嘴，输出功率（ W）
50
第二，漏极效率（ ％ ）
60
40
50
30
Pin=1.5W
VDD = 28V
F = 945 MHz的
40
PIN = 1.5W
VDD = 28V
F = 945 MHz的
20
0
200
400
600
800
1000
30
0
200
400
600
800
1000
IDQ ，偏置电流（毫安）
IDQ ，偏置电流（毫安）
4/8
PD57045 PD57045S
典型性能PD57045S
输出功率与漏极电压
80
70
Pin=3W
f=945MHz
VDD = 28V
Idq=250mA
输出功率与栅极偏置电压
50
噘嘴，输出功率（ W）
噘嘴，输出功率（ W）
40
60
50
PIN = 2W
PIN = 1.5W
30
40
30
20
10
16
18
20
22
24
26
28
30
PIN = 1W
20
10
PIN = 1.5W
VDD = 28V
f=945MHz
0
32
34
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
VDS ，漏极 - 源极电压（ V）
VGS ，栅极偏置电压（ V）
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