【PD57002-EPD57002S-ERF功率晶体管， LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MO】,IC型号PD57002-E,PD57002-E PDF资料,PD57002-E经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD57002-E

PD57002S-E

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列

N沟道增强模式横向的MOSFET

一般特点

■

优良的热稳定性

常见源配置

P

OUT

= 2W有15dB增益的雪@ 960MHz的/ 28V

新的RF塑料包装

PowerSO-10RF

（形成铅）

描述

的PD57002是一个公共源的N沟道，

增强模式横向场效应RF功率

晶体管专为宽带商用

达和工业应用中的频率

1GHz的。该PD57002是专为高增益

而在宽带运营业绩

28五，常见的信号源模式，是理想的数字

蜂窝基站应用中需要高线性度。

PowerSO-10RF

（直引线）

该PowerSO - 10塑料封装，设计

提供高可靠性，是第一个ST JEDEC

批准的，高功率SMD封装。它一直

专为RF的需求，并提供最优化

出色的RF性能和易用性

装配。

引脚连接

来源

安装建议在使用

www.st.com/rf/ （查找应用笔记AN1294 ）

门

漏

订购代码

产品型号

PD57002-E

PD57002S-E

包

PowerSO - 10RF （形成铅）

PowerSO - 10RF （直引线）

填料

管

2006年5月

REV 1

1/23

www.st.com

23

PD57002 -E ， PD57002S -E

1

电气数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

1.1

1.2

最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

热数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

2

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

2.2

静态的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

动态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

3

4

5

阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。五

典型表现。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6

共源的S参数。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

5.1

5.2

5.3

5.4

5.5

5.6

5.7

5.8

PD57002 （ VDS = 28V， IDS = 75毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

PD57002 （ VDS = 28V， IDS = 150毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 11

PD57002 （ VDS = 13.5V IDS = 75毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 12

PD57002 （ VDS = 13.5V IDS = 150毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 13

PD57002S （ VDS = 28V， IDS = 75毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 14

PD57002S （ VDS = 28V， IDS = 150毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 15

PD57002S （ VDS = 13.5V IDS = 75毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 16

PD57002S （ VDS = 13.5V IDS = 150毫安）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 17

6

7

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 18

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 23

2/23

PD57002 -E ， PD57002S -E

电气数据

1

1.1

电气数据

最大额定值

表1中。

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS

I

D

P

DISS

T

J

T

英镑

绝对最大额定值

(T

例

= 25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T

C

= 70°C)

马克斯。工作结温

储存温度

价值

65

±

20

0.25

4.75

165

-65到+150

单位

V

A

W

°C

1.2

热数据

表2中。

符号

R

thJC

热数据

参数

结 - 壳热阻

价值

20

单位

° C / W

3/23

电气特性

PD57002 -E ， PD57002S -E

2

电气特性

T

例

= +25

o

C

2.1

STATIC

表3中。

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

G

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0V

V

GS

= 20V

V

DS

= 28V

V

GS

= 10V

V

DS

= 10V

V

GS

= 0V

V

GS

= 0V

V

GS

= 0V

STATIC

测试条件

V

DS

= 28V

V

DS

= 0V

I

D

= 10毫安

I

D

= 125毫安

I

D

= 200毫安

V

DS

= 28V

V

DS

= 28V

V

DS

= 28V

F = 1MHz的

2.0

0.7

--

7.1

5.8

0.1

民

典型值

最大

1

5.0

0.9

单位

A

V

姆欧

pF

2.2

动态

表4 。

符号

P

1dB

G

P

h

D

V

DD

= 28V,

V

DD

= 28V,

V

DD

= 28V,

动态

测试条件

I

DQ

= 10毫安

I

DQ

= 10毫安，

I

DQ

= 10毫安，

P

OUT

= 2W,

P

OUT

= 2W,

P

OUT

= 2W,

F = 960MHz的

民

2

15

45

10:1

典型值

最大

单位

W

dB

%

VSWR

负载

V

DD

= 28V ，我

DQ

= 10毫安，

匹配所有相位角

4/23

PD57002 -E ， PD57002S -E

阻抗

3

阻抗

图1 。

目前公约

表5 。

阻抗数据

频率。（兆赫）

925

945

960

Z

IN

()

1.894 - j 13.43

2.440 - j 12.53

2.760 - j 12.13

Z

DL

()

6.445 + j 23.60

7.245 + j 25.09

7.715 + j 25.69

5/23

PD57002-E

PD57002S-E

RF功率晶体管， LDMOST塑料系列

N沟道增强模式，横向MOSFET的

特点

■

优良的热稳定性

常见源配置

P

OUT

= 2 W和15dB增益的雪@ 960兆赫/ 28 V

新的RF塑料包装

PowerSO-10RF

（形成铅）

描述

该装置是一个公共源的N沟道，

增强模式横向场效应RF功率

晶体管专为宽带商用

和工业应用频率最高可达1

千兆赫。该设备是专为高增益和

宽带性能的常用操作

源模式在28 V.它非常适合于数字蜂窝

BTS应用中需要高线性度。该

PowerSO - 10塑料封装，旨在提供

高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，

高功率SMD封装。它已专门

射频需求进行了优化，提供卓越的RF

性能和易于组装。安装

建议在www.st.com/rf/提供

（查找应用笔记AN1294 ）。

PowerSO-10RF

（直引线）

图1 。

引脚连接

来源

门

漏

表1中。

设备简介

订货编号

PD57002-E

PD57002S-E

包

PowerSO - 10RF （形成铅）

PowerSO - 10RF （直引线）

填料

管

2010年5月

文档ID 12332第2版

1/23

www.st.com

23

PD57002 -E ， PD57002S -E

1

电气数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

1.1

1.2

最大额定值。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

热数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 3

2

电特性。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

2.1

2.2

2.3

静态的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

动态。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

湿度敏感度等级。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 4

3

4

5

6

7

阻抗。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。五

典型表现。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 6

共源的S参数。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 10

包装机械的数据。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 18

修订历史。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 22

2/23

文档ID 12332第2版

PD57002 -E ， PD57002S -E

电气数据

1

1.1

电气数据

最大额定值

表2中。

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS

I

D

P

DISS

T

J

T

英镑

绝对最大额定值

(T

例

= 25°C)

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T

C

= 70°C)

马克斯。工作结温

储存温度

价值

65

±

20

0.25

4.75

165

-65到+150

单位

V

A

W

°C

1.2

热数据

表3中。

符号

R

thJC

热数据

参数

结 - 壳热阻

价值

20

单位

° C / W

文档ID 12332第2版

3/23

电气特性

PD57002 -E ， PD57002S -E

2

电气特性

T

例

= +25

o

C

2.1

STATIC

表4 。

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

G

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0

V

GS

= 20 V

V

DS

= 28 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0

V

GS

= 0

V

GS

= 0

STATIC

测试条件

V

DS

= 28 V

V

DS

= 0

I

D

= 10毫安

I

D

= 125毫安

I

D

= 200毫安

V

DS

= 28 V

V

DS

= 28 V

V

DS

= 28 V

F = 1 MHz的

2.0

0.7

--

7.1

5.8

0.1

民

典型值

最大

1

5.0

0.9

单位

A

V

姆欧

pF

2.2

动态

表5 。

符号

P

1dB

G

P

h

D

V

DD

= 28 V,

V

DD

= 28 V,

V

DD

= 28 V,

动态

测试条件

I

DQ

= 10毫安F = 960 MHz的

I

DQ

= 10毫安，

I

DQ

= 10毫安，

P

OUT

= 2 W ， F = 960 MHz的

P

OUT

= 2 W,

P

OUT

= 2W,

F = 960 MHz的

民

2

15

45

10:1

典型值

最大

单位

W

dB

%

VSWR

负载

V

DD

= 28 V，I

DQ

= 10毫安，

匹配所有相位角

2.3

湿度敏感度等级

表6 。

湿度敏感度等级

测试方法

J-STD-020B

等级

MSL 3

4/23

文档ID 12332第2版

PD57002 -E ， PD57002S -E

阻抗

3

阻抗

图2中。

目前公约

表7中。

阻抗数据

频率。（兆赫）

925

945

960

Z

IN

(Ω)

1.894 - j 13.43

2.440 - j 12.53

2.760 - j 12.13

Z

DL

(Ω)

6.445 + j 23.60

7.245 + j 25.09

7.715 + j 25.69

文档ID 12332第2版

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