PD55035
PD55035S
射频功率晶体管
该LDMOST
塑料系列
N沟道增强模式横向
MOSFET的
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 35瓦16.9 dB增益@ 500兆赫/
12.5 V
新的RF塑料包装
描述
的PD55035是一个公共源的N沟道，
增强模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益，宽频带
商业和工业应用。它的工作
在12 V的共源模式下的频率
高达1 GHz 。 PD55035拥有出色的增益，
线性ST最新的LDMOS和可靠性
技术安装在第一个真正的贴片胶
RF功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD55035的
卓越的线性度性能使它成为理想的
解决方案车载移动无线电。
该PowerSO - 10塑料封装，设计
提供高可靠性，是第一个ST JEDEC
批准的，高功率SMD封装。它一直
专为RF的需求，并提供最优化
出色的RF性能和易于装配。
订货编号
PD55035
PowerSO-10RF
（形成铅）
BRANDING
PD55035
PowerSO-10RF
（直引线）
订货编号
PD55035S
BRANDING
PD55035S
安装建议在使用
www.st.com/rf/
（查找应用笔记AN1294 ）
绝对最大额定值
(T
例
= 25
°
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T = 70 ° C）
马克斯。工作结温
储存温度
参数
价值
40
±
20
7
95
165
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日（J -C ）
结-Case热阻
1.0
° C / W
三月， 21 2003
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PD55035 - PD55035S
500 MHz的测试电路原理图（工程）
VGG
+
+
C10
C9
C8
R3
B1
B2
VDD
C18
C17
C16
R2
C19
L1
RF
输入
R1
Z1
C1
C2
C3
C4
C5
C6
Z2
Z3
Z4
C7
DUT
Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
C15
N2
RF
产量
C12
C11
C13
C14
500 MHz的测试电路的组成部分名单
部件
B1,B2
C1,C13
C2,C3,C4,C12,C13,C14
C6
C7, C19
C10, C16
C9, C17
C8, C18
C5, C11
L1
N1, N2
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4,Z5
Z6
Z7
Z8
Z9
板
描述
铁氧体磁珠
300 pF的， 100万片电容
120 pF的微调电容器
39 pF的ATC 100B表面贴装陶瓷片式电容器
120 pF的100万片式电容器
10
F,
50 V电解电容
0.1 MF， 100万片CAP
1.000 pF的100万片CAP
33 pF的， 100万片CAP
56 NH， 7 TURN ， COILCRAFT
N型法兰安装
15
,
1 W片式电阻
1千欧， 1W的片式电阻器
33千欧， 1W的片式电阻器
0.471 “× 0.080 ”微带
1.082 “× 0.080 ”微带
0.372 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.050 “× 0.080 ”微带
0.551 “× 0.080 ”微带
0.825 “× 0.080 ”微带
0.489 “× 0.080 ”微带
ROGER ，超林2000 THK 0.030 “ ，
ε
R = 2.55 2盎司ED铜2面。
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