【PD55025PD55025S射频功率晶体管该LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向MOSFET的优】,IC型号PD55025,PD55025 PDF资料,PD55025经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD55025

PD55025S

射频功率晶体管

该LDMOST

塑料系列

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

OUT

25 = 14.5 dB增益@ 500 MHz的W /

12.5 V

新的RF塑料包装

描述

的PD55025是一个公共源的N沟道，

增强模式横向场效应RF功率

晶体管。它是专为高增益，宽频带

商业和工业应用。它的工作

在12 V的共源模式下的频率

高达1 GHz 。 PD55025拥有出色的增益，

线性ST最新的LDMOS和可靠性

技术安装在第一个真正的贴片胶

RF功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD55025的

卓越的线性度性能使它成为理想的

解决方案车载移动无线电。

该PowerSO - 10塑料封装，设计

提供高可靠性，是第一个ST JEDEC

批准的，高功率SMD封装。它一直

专为RF的需求，并提供最优化

出色的RF性能和易于装配。

订货编号

PD55025

PowerSO-10RF

（形成铅）

BRANDING

PD55025

PowerSO-10RF

（直引线）

订货编号

PD55025S

BRANDING

PD55025S

安装建议在使用

www.st.com/rf/

（查找应用笔记AN1294 ）

绝对最大额定值（T

例

= 25

符号

（ BR ） DSS

DISS

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70 ° C）

马克斯。工作结温

储存温度

参数

价值

165

-65到+150

单位

°C

热数据

日（J -C ）

结-Case热阻

1.2

° C / W

三月， 21 2003

1/13

PD55025 - PD55025S

电气规格

例

= 25

STATIC

符号

DSS

GSS

GS （ Q）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

= 0 V

= 20 V

= 28 V

= 10 V

= 0 V

测试条件

= 28 V

= 0 V

= 100毫安

= 3 A

= 12.5 V

F = 1 MHz的

2.5

5.8

2.0

0.7

分钟。

典型值。

马克斯。

5.0

0.8

单位

姆欧

动态

符号

OUT

负载

不匹配

测试条件

= 12.5 V I

= 200毫安

= 12.5 V I

= 200毫安

= 12.5 V I

= 200毫安

= 12.5 V I

= 200毫安

所有相位角

F = 500 MHz的

OUT

= 25W， F = 500 MHz的

OUT

= 25W， F = 500 MHz的

OUT

= 25W， F = 500 MHz的

20:1

分钟。

14.5

典型值。

马克斯。

单位

VSWR

引脚连接

来源

门

漏

典型输入

阻抗

典型的漏

负载阻抗

寻

SC15200

SC13140

阻抗数据

PD55025S

FREQ 。兆赫

175

480

500

520

2/13

()

3.20 - j 4.41

1.01 - j 1.67

0.93 - j 1.53

0.88 - j 1.98

()

1.56 + j 2.14

1.06 + j 0.22

1.12 + j 0.20

1.07 + j 0.83

PD55025 - PD55025S

典型性能

(PD55025S)

电容与电源电压

1000

漏电流与栅源电压

VDS = 10V

顺s

100

科斯

ID （ A）

C（ pF）的

RS s

F = 1 MHz的

VDS （ V）

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

4.5

5.0

5.5

VGS （ V）

栅源电压VS外壳温度

1.04

输出功率与输入功率

480兆赫

500兆赫

520兆赫

1.02

ID = 5 A

1.00

ID （ A）

ID = 4的

ID = 3] A

的Pout （W）的

0.98

ID = 2将

ID = 1

0.96

VDS = 10V

ID = .5

0.94

-25

VGS （ V）

100

0.00

1.00

2.00

3.00

销（W）的

4.00

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

5.00

6.00

输出功率与输入功率

VDD = 12.5 V

的Pout （W）的

功率增益与输出功率

GP （分贝）

520兆赫

VDD = 13.8 V

480兆赫

500兆赫

销（W）的

F = 520兆赫

IDQ = 200 mm的

P输出（ W）的

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

3/13

PD55025 - PD55025S

典型性能

(PD55025S)

输入回波损耗与输出功率

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

漏极效率与输出功率

500兆赫

480 ， 520兆赫

RL （分贝）

-5

-10

-15

480兆赫

-20

钕（％）

-25

500兆赫

-30

520兆赫

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

-35

的Pout （W）的

-40

P输出（ W）的

输出功率VS偏置个当前

排水效率与偏置电流

500兆赫

480兆赫

520兆赫

480兆赫

500兆赫

520兆赫

的Pout （W）的

钕（％）

VDD = 12.5 V

在P = 0.85 W

VDD = 12.5 V

在P = 0.85 W

1200

200

400

600

IDQ （M A）

800

1000

200

400

600

IDQ （M A）

800

1000

1200

输出功率与电源电压

480兆赫

500兆赫

520兆赫

的Pout （W）的

漏极效率与电源电压

500兆赫

钕（％）

520兆赫

IDQ = 200 mm的

在P = 0.85 W

IDQ = 200 mm的

PIN = 0.85 W

Vdd的（V）的

4/13

PD55025 - PD55025S

典型性能

(PD55025S)

输出功率VS栅源电压

输出功率与输入功率（ F = 175兆赫）

480兆赫

的Pout （W）的

500兆赫

520兆赫

VDD = 12.5 V

PIN = 0.85 W

VGS （ V）

0.5

销（W）的

1.5

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

2.5

功率增益与输出功率（ F = 175兆赫）

漏极效率与输出功率（ F = 175兆赫）

糖蛋白（W）的

钕（％）

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

的Pout （W）的

P输出（ W）的

输入回波损耗与输出功率（ F = 175兆赫）

-5

-10

RL （分贝）

-15

-20

-25

VDD = 12.5 V

IDQ = 200 mm的

-30

P输出（ W）的

5/13

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10-PowerSO

原厂一级代理，原装现货

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PD55025

STMicroelectronics

24+

27266

10-PowerSO

全新原装现货，原厂代理。

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24+

9850

原厂原封

官方授权代理商入驻

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PD55025

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联系人：朱

地址：福田区振兴西路华康大厦2栋315室

PD55025

23+

8200

原装正品，价优

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PD55025

21+22+

15000

10-PowerSO

全新原装正品/质量有保证

北京显周科技有限公司

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√ 欧美㊣品

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