【PD55008PD55008S射频功率晶体管该LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向MOSFET的优】,IC型号PD55008STR,PD55008STR PDF资料,PD55008STR经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD55008

PD55008S

射频功率晶体管

该LDMOST

塑料系列

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

P

OUT

= 8 W 17 dB增益@ 500兆赫/ 12.5V

新的RF塑料包装

描述

该PD55008是一种常见的源N沟道，恩

hancement模式横向场效应RF功率

晶体管。它是专为高增益，宽频带

商业和工业应用。它的工作

在12 V的共源模式下频率高达

到1 GHz 。

PD55008拥有出色的增益，线性度和

意法半导体最新的LDMOS技术mount-可靠性

ED的第一个真正的SMD塑料RF功率封装，

PowerSO - 10RF 。 PD55008卓越的线性度per-

formance使它成为汽车移动一个理想的解决方案

收音机。

该PowerSO - 10塑料封装，专为以下项目的

FER高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，

高功率SMD封装。它已专门

射频需求进行了优化，提供卓越的RF

性能和易于组装。

PowerSO-10RF

（形成铅）

订货编号

PD55008

BRANDING

PD55008

PowerSO-10RF

（直引线）

订货编号

PD55008S

BRANDING

PD55008S

安装建议在使用

www.st.com/rf/

（查找应用笔记AN1294 ）

绝对最大额定值（T

例

= 25

°

C)

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS

I

D

P

DISS

Tj

T

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70 ° C）

马克斯。工作结温

储存温度

参数

价值

40

±

20

4

52.8

165

-65到+150

单位

V

V

A

W

°C

°C

热数据

R

日（J -C ）

结-Case热阻

1.8

° C / W

三月， 21 2003

1/18

PD55008 - PD55008S

电气规格

(T

例

= 25

°

C)

STATIC

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

测试条件

V

DS

= 28 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 150毫安

I

D

= 1.5 A

I

D

= 1.5 A

V

DS

= 12.5 V

V

DS

= 12.5 V

V

DS

= 12.5 V

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

F = 1 MHz的

1.6

58

38

2.8

2.0

分钟。

典型值。

马克斯。

1

1

5.0

0.67

单位

A

A

V

V

姆欧

pF

pF

pF

动态

符号

P

OUT

G

P

η

D

负载

不匹配

V

DD

= 12.5 V

V

DD

= 12.5 V

V

DD

= 12.5 V

测试条件

I

DQ

= 150毫安

I

DQ

= 150毫安

I

DQ

= 150毫安

F = 500 MHz的

P

OUT

= 8 W F = 500 MHz的

P

OUT

= 8 W F = 500 MHz的

P

OUT

= 8 W F = 500 MHz的

分钟。

8

15

50

20:1

17

55

典型值。

马克斯。

单位

W

dB

%

VSWR

I

DQ

= 150毫安

V

DD

= 15.5 V

所有相位角

引脚连接

来源

D

Z

DL

典型输入

阻抗

门

漏

典型的漏

负载阻抗

G

寻

S

SC15200

SC13140

阻抗数据

PD55008

FREQ 。兆赫

480

500

520

800

850

900

Z

IN

()

1.141 - j 2.054

1.589 - j 1.185

1.649 - j 1.965

1.05 + j 0.54

1.50 + j 1.00

1.95 + j 2.28

Z

DL

()

1.649 + j 2.916

1.561 + j 2.639

1.716 + j 1.552

2.62 - j 1.91

2.26 - j 1.54

2.70 - j 1.90

PD55008S

FREQ 。兆赫

480

500

520

Z

IN

()

1.075 - j 2.727

1.409 - j 3.448

1.586 - j 2.087

Z

DL

()

2.046 + j 1.960

2.129 + j 3.219

3.082 + j 2.043

2/18

PD55008 - PD55008S

典型性能

电容与漏极电压

漏电流与栅源电压

1000

C，电容（PF ）

F = 1 MHz的

4

ID ，漏电流（ A）

3

100

西塞

2

科斯

10

CRSS

1

VDS = 10V

1

0

5

10

15

20

25

VDD ，漏极电压（V ）

0

1

2

3

4

5

6

VGS ，栅源电压（V ）

栅源电压与外壳温度

VGS ，栅源电压（归）

1.06

1.04

1.02

1

I

D

= 2A

0.98

0.96

V

DS

= 10 V

I

D

= 1.5A

I

D

= 1A

0.94

0.92

-25

0

25

50

I

D

= .5A

I

D

=

.25A

75

100

TC ，外壳温度（ ° C）

3/18

PD55008 - PD55008S

典型性能

(PD55008)

输出功率与输入功率

功率增益与输出功率

14

噘嘴，输出功率（ W）

PG ，功率增益（分贝）

22

480兆赫

520兆赫

500兆赫

12

10

8

6

4

2

0

0

0.1

0.2

20

18

16

520兆赫

480兆赫

14

12

10

8

6

V

DD

= 12.5 V

I

DQ

= 150毫安

500兆赫

V

DD

= 12.5 V

I

DQ

= 150毫安

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

0

2

4

6

8

10

12

引脚，输入POW ER （ W）

噘嘴，输出功率（ W）

漏极效率与输出功率

输入回波损耗与输出功率

第二，漏极效率（％）

70

60

50

40

30

20

10

0

0

2

4

6

500兆赫

520兆赫

RTL ，输入回波损耗（分贝）

80

0

-10

500兆赫

480兆赫

-20

480兆赫

-30

V

DD

= 12.5 V

I

DQ

= 150毫安

520兆赫

V

DD

= 12.5 V

I

DQ

= 150毫安

-40

8

10

12

0

2

4

6

8

10

12

噘嘴，输出POW ER （ W）

噘嘴，输出POW ER （ W）

输出功率与偏置电流

漏极效率与偏置电流

12

噘嘴，输出功率（ W）

10

8

500兆赫

70

第二，漏极效率（％）

500兆赫

480兆赫

60

50

480兆赫

520兆赫

6

4

2

0

0

100

200

300

400

500

600

520兆赫

40

30

20

10

V

DD

= 12.5 V

PIN = 21.7 dBm的

V

DD

= 12.5 V

PIN = 21.7 dBm的

700

800

0

100

200

300

400

500

600

700

800

IDQ ，偏置电流（毫安）

IDQ ，偏置电流（毫安）

4/18

PD55008 - PD55008S

典型性能

(PD55008)

输出功率与电源电压

漏极效率与电源电压

13

11

10

9

8

7

6

5

4

3

9

10

11

12

13

14

15

VDD ，电源电压（V ）

IDQ = 150毫安

PIN = 21.7 dBm的

520兆赫

70

第二，漏极效率（％）

480兆赫

500兆赫

噘嘴，输出功率（ W）

12

500兆赫

60

50

40

30

20

9

10

11

12

13

14

15

VDD ，电源电压（V ）

480兆赫

520兆赫

IDQ = 150毫安

PIN = 21.7 dBm的

输出功率与栅源电压

输出功率与输入功率

10

12

噘嘴，输出功率（ W）

480兆赫

10

8

500兆赫

8

输出功率（ W）

800兆赫

850兆赫

6

900兆赫

6

4

2

0

0

1

2

3

520兆赫

4

V

DD

= 12.5 V

PIN = 21.7 dBm的

2

4

0

0

0.1

0.2

0.3

输入功率（ W）

0.4

VDD = 12.5V

IDQ = 250毫安

VGS ，栅源电压（V ）

0.5

0.6

漏极效率与输出功率

输入回波损耗与输出功率

0

60

-5

850兆赫

900兆赫

输入回波损耗（dB ）

50

排水 FFI效率（％）

-10

800兆赫

900兆赫

40

800兆赫

-15

30

-20

850兆赫

20

VDD = 12.5V

IDQ = 250毫安

-25

VDD = 12.5V

IDQ = 250毫安

10

1

2

3

4

5

6

7

8

9

输出功率（ W）

-30

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

输出功率（ W）

5/18

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