【PD55008 - PD55008S射频功率晶体管该LDMOST塑料系列初步数据N沟道增强模式横向M】,IC型号PD55008S,PD55008S PDF资料,PD55008S经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD55008 - PD55008S

射频功率晶体管

该

LDMOST

塑料系列

初步数据

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

POUT = 8 17 dB增益@ 500兆赫/ W

12.5V

新的RF塑料包装

描述

该PD55008是一种常见的源N沟道，恩

hancement模式，横向场效应RF功率

晶体管。它是专为高增益，宽频带

商业和工业应用。它的工作

在12V的共源模式下的频率

高达1GHz 。 PD55008拥有出色的增益，

线性ST最新的LDMOS和可靠性技

术中安装的第一个真正的SMD塑料RF

功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD55008的苏

perior线性性能使它成为理想的所谓

lution的车载移动无线电。

该PowerSO - 10塑料封装，专为以下项目的

FER高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，

高功率SMD封装。它已专门

射频需求进行了优化，提供卓越的RF

性能和易于组装。

绝对最大额定值（T

例

= 25

O

C)

符号

V

（ BR ） DSS

V

GS

I

D

P

DISS

T

j

T

英镑

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70

0

C)

马克斯。工作结温

储存温度

PowerSO-10RF

（形成铅）

订货编号

BRANDING

XPD55008

PD55008

PowerSO-10RF

（直引线）

订货编号

BRANDING

PD55008S

XPD55008S

价值

40

±20

4

52.8

165

-65至165

单位

V

A

W

O

C

O

C

热数据

R

日（J -C ）

2000年5月

结 - 壳热阻

1.8

O

C / W

1/10

PD55008 - PD55008S

电气特性（T

例

= 25

0

C)

STATIC

符号

I

DSS

I

GSS

V

GS （ Q）

V

DS （ ON）

g

FS

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

= 0 V

V

GS

= 20 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

参数

V

DS

= 28 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 150毫安

I

D

= 1.5 A

I

D

= 1.5 A

V

DS

= 12.5 V

V

DS

= 12.5 V

V

DS

= 12.5 V

F = 1 MHz的

1.6

58

39

2.6

2.0

分钟。

典型值。

马克斯。

1

5.0

1.0

单位

A

V

姆欧

pF

动态

符号

P

OUT

G

PS

η

D

负载

不匹配

F = 500 MHz的

参数

V

DD

= 12.5 V

V

DD

= 12.5 V

V

DD

= 12.5 V

I

DQ

= 150毫安

P

OUT

= 8 W

P

OUT

= 8 W

P

OUT

= 8 W

I

DQ

= 150毫安

I

DQ

= 150毫安

I

DQ

= 150毫安

20:1

分钟。

8

17

55

典型值。

马克斯。

单位

W

dB

%

VSWR

F = 500 MHz的

V

DD

= 15.5 V

所有相位角

引脚连接

来源

D

Z

DL

门

漏

G

寻

典型输入

阻抗

典型的漏

负载阻抗

SC15200

SC13140

S

PD55008

频率

兆赫

520

500

480

寻

阻抗数据

PD55008S

ZDL

频率

兆赫

520

500

480

寻

ZDL

1.649 - j1.965

1.589 - j1.185

1.141 - j2.054

1.716 - j1.552

1.561 - j2.639

1.649 - j2.916

1.586 - j2.087

1.409 - j3.448

1.075 - j2.727

3.082 + j2.043

2.129 + j3.219

2.046 +j1.960

2/10

PD55008 - PD55008S

典型性能

电容与漏极电压

1000

f=1MHz

漏极电流与栅极电压

8

7

ID ，漏电流（ A）

C，电容（PF ）

6

5

4

3

2

V

DS

=10V

100

西塞

科斯

10

CRSS

1

0

1

0

5

10

15

20

25

VDD ，漏极电压（V ）

1

2

3

4

5

6

7

8

9

VGS ，栅源电压（V ）

门源主场迎战外壳温度

VGS ，栅源电压（归）

1.06

1.04

1.02

1

I

D

=2A

0.98

0.96

V

DS

=10V

I

D

= 1.5A

I

D

=1A

0.94

0.92

-25

I

D

=.5A

I

D

=

.25A

0

25

50

75

100

TC ，外壳温度（ ° C）

3/10

PD55008 - PD55008S

典型性能

输出功率与输入功率

14

12

噘嘴，输出功率（ W）

480MHz

500MHz

PD55008

功率增益与输出功率

22

20

PG ，功率增益（分贝）

480MHz

520MHz

10

8

6

4

2

0

0.1 0.2

0.3 0.4 0.5

0.6 0.7

0.8 0.9

引脚，输入功率（ W）

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

18

16

520MHz

14

12

10

8

6

0

2

4

6

8

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

500MHz

10

12

噘嘴，输出功率（ W）

漏极效率与输出功率

80

520MHz

输入回波损耗与输出功率

0

RTL ，输入回波损耗（分贝）

70

第二，漏极效率（％）

60

50

40

30

20

10

0

2

4

500MHz

480MHz

-10

500MHz

-20

480MHz

-30

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

520MHz

V

DD

=12.5V

I

DQ

-150毫安

-40

6

8

10

12

0

2

4

6

8

10

12

噘嘴，输出功率（ W）

输出功率与偏置电流

12

10

8

500MHz

480MHz

漏极效率与偏置电流

70

500MHz

噘嘴，输出功率（ W）

第二，漏极效率（％）

60

50

480MHz

520MHz

6

4

2

0

520MHz

40

30

20

10

V

DD

=12.5V

PIN = 21.7 dBm的

V

DD

=12.5V

Pin=21.7dBm

100 200 300 400 500 600 700 800

IDQ ，偏置电流（毫安）

0

100 200 300 400 500 600 700

IDQ ，偏置电流（毫安）

800

4/10

PD55008 - PD55008S

典型性能

输出功率与电源电压

13

12

噘嘴，输出功率（ W）

480兆赫

500兆赫

排水工作功率与电源电压

70

500MHz

11

10

9

8

7

6

5

4

3

9

10

11

第二，漏极效率（％）

60

480MHz

520MHz

50

520MHz

40

Idq=150mA

PIN = 21.7分贝

m

30

Idq=150mA

PIN = 21.7 dBm的

20

12

13

14

15

9

10

11

12

13

14

15

VDD ，电源电压（V ）

输出功率与栅源电压

12

480MHz

输出功率与输入功率

14

500M

Hz

PD55008S

噘嘴，输出功率（ W）

10

噘嘴，输出功率（ W）

12

10

8

6

4

2

0

0.1

480MHz

520MHz

8

500MHz

6

4

2

0

1

2

3

520MHz

V

DD

=12.5 V

PIN = 21.7 dBm的

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

4

0.2

0.3

0.4

0.5

VGS ，栅源电压（V ）

引脚，输入功率（ W）

功率增益与输出功率

22

20

PG ，功率增益（分贝）

520MHz

480M

Hz

漏极效率与输出功率

80

70

第二，漏极效率（％）

520兆赫

18

500M

Hz

60

500MHz

16

14

12

10

8

6

0

2

4

6

8

10

12

14

噘嘴，输出功率（ W）

V

DD

=12.5V

I

DQ

=150mA

50

40

30

20

10

0

2

4

6

8

10

12

噘嘴，输出功率（ W）

V

DD

= 12.5V

I

DQ

= 150毫安

480MHz

5/10