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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第441页 > PD55003S
PD55003
PD55003S
射频功率晶体管
该LDMOST
塑料系列
N沟道增强模式横向
MOSFET的
优良的热稳定性
常见源配置
P
OUT
= 3 W 17 dB增益@ 500兆赫/ 12.5 V
新的RF塑料包装
描述
该PD55003是一种常见的源N沟道，恩
hancement模式横向场效应RF功率
晶体管。它是专为高增益，宽频带
商业和工业应用。它的工作
在12 V的共源模式下的频率
高达1 GHz 。 PD55003拥有出色的增益，
线性ST最新的LDMOS和可靠性技
术中安装的第一个真正的SMD塑料RF
功率封装， PowerSO - 10RF 。 PD55003的苏
perior线性性能使它成为理想的所谓
lution的车载移动无线电。
该PowerSO - 10塑料封装，专为以下项目的
FER高可靠性，是第一个ST JEDEC批准，
高功率SMD封装。它已专门
射频需求进行了优化，提供卓越的RF
性能和易于组装。
PowerSO-10RF
（形成铅）
订货编号
PD55003
BRANDING
PD55003
PowerSO-10RF
（直引线）
订货编号
PD55003S
BRANDING
PD55003S
安装建议在使用
www.st.com/rf/
（查找应用笔记AN1294 ）
绝对最大额定值（T
例
= 25
°
C)
符号
V
（ BR ） DSS
V
GS
I
D
P
DISS
Tj
T
英镑
漏源电压
栅源电压
漏电流
功率耗散（ @ T = 70 ° C）
马克斯。工作结温
储存温度
参数
价值
40
±
20
2.5
31.7
165
-65到+150
单位
V
V
A
W
°C
°C
热数据
R
日（J -C ）
结-Case热阻
3.0
° C / W
三月， 21 2003
1/19
PD55003 - PD55003S
电气特性（T
例
= 25
°
C)
STATIC
符号
I
DSS
I
GSS
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
FS
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
V
GS
= 0 V
测试条件
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 50毫安
I
D
= 0.5 A
I
D
= 1 A
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
V
DS
= 12.5 V
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
F = 1 MHz的
1.0
36
24
2.4
2.0
分钟。
典型值。
马克斯。
1
1
5.0
0.36
单位
A
A
V
V
姆欧
pF
pF
pF
动态
符号
P
1dB
G
P
η
D
负载
不匹配
测试条件
V
DD
= 12.5 V I
DQ
= 50毫安
V
DD
= 12.5 V I
DQ
= 50毫安
V
DD
= 12.5 V I
DQ
= 50毫安
V
DD
= 15.5 V I
DQ
= 50毫安
所有相位角
P
OUT
= 3 W
P
OUT
= 3 W
P
OUT
= 3 W
F = 500 MHz的
F = 500 MHz的
F = 500 MHz的
F = 500 MHz的
分钟。
3
14
45
20:1
17
52
典型值。
马克斯。
单位
W
dB
%
VSWR
引脚连接
D
来源
Z
DL
门
漏
典型输入
阻抗
典型的漏
负载阻抗
G
寻
S
SC15200
SC13140
阻抗数据
PD55003
FREQ 。兆赫
520
500
480
860
Z
IN
()
1.871 - j 1.118
1.542 - j 3.705
1.109 - j 1.783
1.33 + j 1.23
Z
DL
()
4.779 + j 4.956
6.842 + j 6.209
6.789 + j 4.533
2.93 + j 0.62
PD55003S
FREQ 。兆赫
520
500
480
Z
IN
()
1.407 - j 3.550
1.306 - j 5.159
1.302 - j 6.141-j
Z
DL
()
6.557 + j 7.844
8.351 + j 9.120
8.994 + j 8.983
2/19
PD55003 - PD55003S
典型性能
电容与漏极电压
漏极电流与栅极电压
100
F = 1 MHz的
2.5
C，电容（PF ）
ID ，漏电流（ A）
西塞
2
1.5
1
0.5
科斯
10
CRSS
Vdd=10V
1
0
5
10
15
20
VDD ，漏极电压（V ）
25
30
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
VGS ，栅源电压（V ）
栅源电压与外壳温度
VGS ，栅源电压（归）
1.06
1.04
ID = 2.5 A
1.02
ID = 2将
ID = 1.5 A
1
ID = 1
0.98
ID = .5
0.96
VDS = 10 V
ID = .25
0.94
-25
0
25
50
75
100
TC ，外壳温度（ ° C）
3/19
PD55003 - PD55003S
典型性能
输出功率与输入功率
PD55003
输出功率与输入功率
7
6
噘嘴，输出功率（ W）
5
480兆赫
500兆赫
7
6
噘嘴，输出功率（ W）
480兆赫
520兆赫
5
500兆赫
4
3
2
1
0
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
引脚，输入功率（ W）
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
调为宝= 3 W
4
3
2
1
0
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
520兆赫
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
调为宝= 6 W
0.06
0.07
0.08
0.09
0.1
引脚，输入功率（ W）
漏极效率与输出功率
漏极效率与输出功率
70
70
520兆赫
第二，漏极效率（ ％ ）
第二，漏极效率（ ％ ）
60
60
500兆赫
480兆赫
50
500兆赫
480兆赫
50
520兆赫
40
40
30
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
调为宝= 3 W
30
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
调为宝= 6 W
20
0
1
2
3
4
5
6
7
噘嘴，输出POW ER （ W）
20
0
1
2
3
4
5
6
7
噘嘴，输出功率（ W）
功率增益与输出功率
回波损耗与输出功率
20
RL ，输入回波损耗（分贝）
0
480兆赫
520兆赫
500兆赫
18
GP ，功率增益（分贝）
16
14
12
10
8
6
4
0
1
2
520兆赫
-10
480兆赫
500兆赫
-20
-30
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
调为宝= 3 W
VDD = 12.5 V
IDQ = 50毫安
调为宝= 3 W
-40
3
4
5
6
7
0
1
2
3
4
5
6
7
噘嘴，输出功率（ W）
噘嘴，输出功率（ W）
4/19
PD55003 - PD55003S
典型性能
输出功率与偏置电流
漏极效率与偏置电流
4
3.8
噘嘴，输出功率（ W）
500兆赫
60
50
520兆赫
500兆赫
3.6
3.4
3.2
3
2.8
2.6
0
100
200
300
400
520兆赫
第二，沥干EFFICIENC Y（ ％ ）
480兆赫
40
30
20
10
0
480兆赫
VDD = 12.5 V
PIN = 17.9 dBm的
调为宝= 3 W
VDD = 12.5 V
PIN = 17.9 dBm的
调为宝= 3 W
500
600
0
100
200
300
400
500
600
IDQ ，偏置电流（毫安）
IDQ ，偏置电流（毫安）
输出功率与电源电压
漏极效率与电源电压
3.5
60
500兆赫
3
500兆赫
480兆赫
第二，漏极效率（ ％ ）
噘嘴，输出功率（ W）
50
40
30
20
10
0
480兆赫
520兆赫
520兆赫
2.5
2
IDQ = 50毫安
PIN = 17.9 dBm的
调为宝= 3 W
1.5
8
9
10
11
12
13
14
15
VDD ，电源电压（V ）
IDQ = 50毫安
PIN = 17.9 dBm的
调为宝= 3 W
8
9
10
11
12
13
14
15
VDD ，电源电压（V ）
输出功率与栅极电压
5
噘嘴，输出功率（ W）
4
3
480兆赫
2
520兆赫
500兆赫
1
VDD = 12.5 V
PIN = 17.9 dBm的
调为宝= 3 W
0
0
1
2
3
4
5
VGS ，栅源电压（V ）
5/19
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