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PD55003-01

射频功率晶体管

该LDMOST

塑料系列

目标数据

N沟道增强模式横向

MOSFET的

优良的热稳定性

常见源配置

OUT

= 3 W 17 dB增益@ 500兆赫/ 12.5 V

新的无铅塑料封装

PowerFLAT

(5x5)

描述

该PD55003-01是一个公共源的N沟道，

增强模式横向场效应RF功率

晶体管。它是专为高增益，宽带

商业和工业应用。它的工作

在12 V的共源模式下的频率

高达1 GHz 。 PD55003-01拥有优秀

意法半导体最新的LDMOS增益，线性度和可靠性

技术安装在创新的无引线

SMD塑料包装， PowerFLAT 。

PD55003-01卓越的线性性能

使其成为车载移动无线电的理想解决方案。

订货编号

PD55003-01

BRANDING

PD55003-01

绝对最大额定值（T

例

= 25

符号

（ BR ） DSS

DISS

英镑

漏源电压

栅源电压

漏电流

功率耗散（ @ T = 70 ° C）

马克斯。工作结温

储存温度

参数

价值

2.5

待定

150

-65到+150

单位

°C

热数据

日（J -C ）

结-Case热阻

待定

° C / W

24 2002年6月

1/5

PD55003-01

电气特性（T

例

= 25

STATIC

符号

DSS

GSS

GS （ Q）

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

= 0 V

= 20 V

= 10 V

= 0 V

测试条件

= 28 V

= 0 V

= 50毫安

= 0.5 A

= 1 A

= 12.5 V

F = 1 MHz的

1.0

33.9

22.7

2.46

2.0

分钟。

典型值。

马克斯。

5.0

0.36

单位

姆欧

动态

符号

1dB

负载

不匹配

测试条件

= 12.5 V I

= 50毫安

= 12.5 V I

= 50毫安

= 12.5 V I

= 50毫安

= 15.5 V I

= 50毫安

所有相位角

OUT

= 3 W

OUT

= 3 W

OUT

= 3 W

F = 500 MHz的

分钟。

20:1

典型值。

马克斯。

单位

VSWR

引脚连接

典型输入

阻抗

典型的漏

负载阻抗

寻

顶视图

SC13140

阻抗数据

FREQ 。兆赫

480

500

520

860

()

待定

()

待定

2/5

PD55003-01

典型性能

（宽带数据）

输出功率与输入功率

功率增益

与

输出功率

50兆赫0

480兆赫

52兆赫0

500兆赫

的Pout （W）的

480兆赫

GP （分贝）

520兆赫

VD D = 1 2.5 V

ID = 5 0为m的

100

20 0

30 0

P在（米W）的

4 00

500

VDD = 12.5 V

ID = 50微米的

P输出（ W）的

效率

与输出功率

5 00兆赫

5月20兆赫

回波损耗与输出功率

-5

48兆赫0

4 80兆赫

-10

52兆赫0

RL （分贝）

d (%)

-15

-20

50兆赫0

Vd的D = 1 2 。 5 V

ID = 5 0为m的

-25

VD D = 1 2 .5 V

ID = 5 0为m的

P瓯T（ W）

-30

P瓯T（ W）

3/5

PD55003-01

PowerFLAT

机械数据

寸

最大

1.00

0.05

0.58

0.79

0.017

0.025

分钟。

典型值。

0.035

0.001

0.009

0.020

0.028

0.197

2.64

0.098

0.197

0.101

0.050

0.104

最大

0.039

0.002

0.023

0.031

DIM 。

分钟。

典型值。

0.90

0.02

0.24

0.51

0.71

5.00

2.57

1.27

0.43

0.64

2.49

参考文献。 7359038A

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PD55003-01

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