PD411PI
PD411PI
s
特点
1.高灵敏度
（ TYP 。 1.0A / W的
λ
P = 960纳米）
2.高速响应（T
r
,t
f
： TYP 。 200ns的为R
L
= 1k )
紧凑的封装型发光二极管
用聚光镜
s
外形尺寸
检测中心
（单位：毫米）
4.0
±
0.2
R1.75
±
0.1
2.0
±
1.5
0.5
0.2
2.4
门休息
(2.5 )
MAX 。 0.4
5.0
±
0.2
8
8
8
透明环氧树脂
0.8
1.光电开关
0.45
+
-
0.2
0.1
17.15
+
1.5
-
1.0
s
应用
2.15
8
0.2
0.1
0.4
+
-
1
2.54
g
分钟。 0.5
2
0.2
8
1
8
2
3.75
±
1阳极
2阴极
*
公差：
±
0.15
*
（ ） ：参考尺寸
g
在维根铅
8
8
s
绝对最大额定值
参数
反向电压
功耗
工作温度
储存温度
*1
焊接温度
符号
等级
V
R
32
P
150
- 25至+ 85
T
OPR
- 40 + 100
T
英镑
260
T
SOL
(Ta=25C)
单位
V
mW
C
C
C
焊接区
* 1 MAX 。 5秒为2.15毫米的树脂边缘的位置
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本。
”
2.15mm
PD411PI
s
光电特性
参数
短路电流
短路电流的温度系数
暗电流
暗电流的温度系数
终端电容
峰值灵敏度波长
峰的光谱灵敏度
响应时间
半强度角
上升时间
下降时间
符号
ISC
β
T
I
d
α
T
C
t
λ
p
K
t
r
t
f
θ
*2
*2
（ TA = 25 ° C）
条件
E
V
= LX 100
E
V
= LX 100
V
R
= 10V ， EE = 0
V
R
= 10V ， EE = 0
V
R
= 3V ， F = 1MH
Z
L = 960nm
R
L
= 1k
V
R
= 10V
分钟。
5.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
7.5
0.2
0.5
3.5
20
960
1.0
200
200
±
45
马克斯。
9.0
-
10
5.0
35
-
-
-
-
-
单位
A
% /C
nA
times/10C
pF
nm
/ W
ns
*2 E
V
：照度由CIE标准光源A（钨灯）
图。 1功耗与环境
温度
200
图。 2光谱灵敏度
100
90
80
Ta=25C
功耗为P（mW ）
相对灵敏度（ ％ ）
0
25
50
75 85
100
150
70
60
50
40
30
20
10
100
50
0
- 25
0
300 400 500 600 700 800 900 1000 1100
环境温度T
a
( C)
波长（nm ）
PD411PI
图。 9相对输出与距离
（检测器： GL537 / GL538 ）
100
GL538
图。 10响应时间与负载电阻
10
2
5
2
V
R
= 10V
T
a
= 25C
,t
f
（M S）
10
1
5
2
10
0
5
2
10
- 1
5
2
相对输出（％）
10
GL537
1
0.1
10
I
F
= 20mA下
T
a
= 25C
-4
响应时间T
r
10
-3
10
-2
10
-1
10
-2
10 2
5 10
2
2
5 10
3
2
5 10
4
2
5 10
5
发射器和检测d所距离（mm）
负载阻抗R
L
(
)
测试电路的响应时间
半导体激光器
I
OUT
=
0.1mA
PD411PI
+
产量
R
L
10V
输入
90
%
产量
t
r
t
f
10
%
脉冲发生器
q
请参阅本章"Precautions的Use" 。 （页78至93 ）
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