PCS3P8504A
通用EMI峰值
减少IC
功能说明
PCS3P8504A是一种多功能， 3.3 V Timing-
-Safe峰值EMI
减少IC 。 PCS3P8504A接受一个输入时钟或者从一
基本的晶体或外部参考（AC或DC耦合
到XIN / CLKIN ），并锁定在它提供一个1个调制时钟
输出。 PCS3P8504A具有SSON销用于启用和禁用
扩频功能。
PCS3P8504A有SSEXTR引脚来选择不同的偏差
取决于外部电阻的连接之间的值
SSEXTR和GND 。调制速率（ MR）控制选择之一
两种不同的调制速率。
PCS3P8504A工作在3.3 V电源供电，并提供一个
8-
针， WDFN （2毫米× 2mm）的包。
一般特点
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记号
图表
1
WDFN8
CASE 511AQ
1
DAMG
G
DA =具体设备守则
M =日期代码
G
=铅 - 免费设备
1X ， LVCMOS峰值EMI降低
输入频率：
15兆赫 - 50 MHz的
-
输出频率：
15兆赫 - 50 MHz的
-
模拟偏差的选择
ModRate选择选项
扩频启用/禁用
电源电压： 3.3 V
±
0.3 V
8-
针， WDFN 2毫米×2毫米（ TDFN ）封装
这些设备是有铅
- 免费，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
引脚配置
XIN / CLKIN 1
XOUT 2
SSON 3
GND 4
8
7
6
5
VDD
SSEXTR
MR
MODOUT
PCS3P8504A
应用
PCS3P8504A是针对消费电子应用程序，如
数码相框，多功能一体机。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2010
2010年7月 - 第1版
-
1
出版订单号：
PCS3P8504A/D
PCS3P8504A
SSON
MR
VDD
XIN / CLKIN
XOUT
水晶
振荡器
MODOUT
PLL
GND
SSEXTR
图1.框图
表1.引脚说明
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚名称
XIN / CLKIN
XOUT
SSON
GND
MODOUT
MR
SSEXTR
V
DD
TYPE
I
O
I
P
O
I
I
P
描述
晶体连接或外部参考时钟输入。
水晶连接。如果使用外部基准时，该引脚悬空。
扩频的ON / OFF 。扩频功能启用时高，时禁用
低。具有内部上拉 - 电阻。
地
调制时钟输出
调制速率选择。当LOW选择低的调制速率。选择高调制
房价拉高。具有内部上拉 - 电阻。
通过外部电阻到GND模拟偏差的选择。
3.3 V电源电压。
表2.工作条件
符号
V
DD
T
A
C
L
C
IN
电源电压
工作温度
负载电容
输入电容
参数
民
3
0
最大
3.6
70
10
7
单位
V
C
pF
pF
表3.绝对最大额定值
符号
V
DD
, V
IN
T
英镑
T
s
参数
电压对任何输入引脚对地
储存温度
马克斯。焊接温度（ 10秒）
等级
--0.5到4.6
--65到125
260
单位
V
C
C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会
影响器件的可靠性。
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2
PCS3P8504A
表3.绝对最大额定值
符号
T
J
T
DV
结温
静电放电电压（按照JEDEC STD22-- A114 - B ）
参数
等级
150
2
单位
C
kV
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大额定值的压力额定值只。上面的功能操作
推荐工作条件是不是暗示。长时间暴露在高于推荐的工作条件下，会
影响器件的可靠性。
表4.直流电气特性
符号
VDD
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
OL
V
OH
I
CC
I
DD
Z
o
参数
电源电压
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电压
输出高电压
静态电源电流
动态电源电流
输出阻抗
V
IN
= 0 V
V
IN
= V
DD
I
OL
= 8毫安
I
OH
= --8毫安
XIN / CLKIN拉低
空载输出
30
2.4
50
20
2.0
25
25
0.4
测试条件
民
3.0
典型值
3.3
最大
3.6
0.8
单位
V
V
V
mA
mA
V
V
mA
mA
Ω
表5.开关特性
参数
输入频率* / MODOUT
占空比（注1及2 ）
输出上升时间（注1及2 ）
输出下降时间（注1及2 ）
周期 - 到 - 周期抖动（注2 ）
PLL锁定时间（注2 ）
测量V
DD
/ 2
测得在20％至80％
测得在80％至20％的
空载输出SSEXTR OPEN @ 27MHz的
稳定的电源，有效的时钟呈现在XIN / CLKIN
±150
测试条件
民
15
45
50
典型值
最大
50
55
1.8
1.6
±250
3
单位
兆赫
%
ns
ns
ps
ms
*功能与水晶是通过设计和特性保证。不是100 ％生产测试。
1.所有参数都指定with10 pF的负载输出。
2.参数由设计和特性保证。不是100 ％生产测试。
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3
PCS3P8504A
典型的晶体规格
基频AT切并联谐振晶体
标称频率
频率容差
工作温度范围
储存温度
负载电容（C
P
)
旁路电容
ESR
注意：
27兆赫
±50
10ppm或更好在25℃下
--25C至+ 85C
--40 ° C至+ 85°C
18 pF的
7 pF最大
25
Ω
C
L
是负载电容和Rx ，用于防止振荡的基频的谐波频率。
PCS3P8504A
R
XIN / CLKIN
水晶
XOUT
Rx
C
L
C
L
C
L
= 2 * (C
P
– C
S
),
其中C
P
水晶的水晶玻璃的供应商数据表=负载电容
C
S
=杂散电容，由于到C
IN
，PCB ，跟踪等。
图2.典型的水晶接口电路
开关波形
t
1
t
2
V
DD
/2
产量
V
DD
/2
V
DD
/2
图3.占空比时序
80%
20%
产量
t
3
80%
20%
t
4
图4.输出上升/下降时间
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4
PCS3P8504A
降噪滤波器
R
C
L
是负载电容
正确XTAL操作
V
DD
PCS3P8504A
1 XIN / CLKIN
VDD
8
C
C
L
2 XOUT
SSEXTR
外部控制偏差
7
VDD
3 SSON
SSON
控制
MR
6
MR控制
4 GND
MODOUT
5
R1
模拟偏差控制
SSEXTR可以拉高
要关闭偏差
C
L
V
DD
注意：
SSON （引脚＃ 3 ）MR （ 6号针脚） ：连接到V
DD
或GND
请参考引脚说明表功能的详细信息
图5.应用原理
2.5
2.0
差（± ％ ）
MR = 0
2.5
2.0
差（± ％ ）
1.5
1.0
0.5
0.0
MR = 1
1.5
1.0
0.5
0.0
0
50
100
150
200
250
300
0
50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 600 650
电阻值（kΩ ）
电阻值（kΩ ）
图6.偏差VS SSEXTR电阻
图表27兆赫
注意：
器件偏差的设备变化
±10%
图7.偏差VS SSEXTR电阻
图表27兆赫
订购信息
产品型号
PCS3P8504AG--08CR
顶部
记号
DA
温度
0 ° C至+ 70°C
套餐类型
8 - 针（2毫米× 2mm）的WDFN （ TDFN ）
（铅 - 免费）
航运
磁带&卷轴
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
* A“微点”放置在标记或只是对包装的中心最后一行下面的最后一行的末尾表示铅 - 免费。
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5
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