订购数量： ENA1350
PCP1204
三洋半导体
数据表
PCP1204
应用
NPN外延平面硅晶体管
DC / DC转换器应用
直流/直流转换器，继电器驱动器，灯驱动器，电机驱动器，逆变器， IGBT栅极驱动器。
特点
采用FBET的， MBIT过程。
高电流容量。
低集电极 - 发射极饱和电压。
高速开关。
高允许功耗。
无卤素规定。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极电流（脉冲）
基极电流
集电极耗散
结温
储存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICP
IB
PC
Tj
TSTG
当安装在陶瓷基体（ 450毫米
×0.8mm)
Tc=25°C
2
条件
评级
80
50
5
1.5
3
200
1.3
3.5
150
-55到+150
单位
V
V
V
A
A
mA
W
W
°C
°C
标记： QK
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。该产品本文档中提及不得
被设计用于为任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，
航空航天仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号
系统，安全设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁
人的生命的情况下产品或失效或故障的设备可能会危害人体，也不得
其给予任何保证。如果您打算使用我们的产品标准之外的应用
我们的客户是谁正在考虑和/或外部的我们的预期标准的范围，例如使用的应用程序
应用程序，请与我们之前的预期用途进行磋商。如果没有咨询或查询前
使用目的，我们的客户须自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
性能，特点和所描述的产品在独立的国家职能，并
不是性能，特点，以及所描述的产品功能的保证作为安装在该
客户的产品或设备。要验证的症状和状态，不能在一个被评估
独立的设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的
产品或设备。
www.semiconductor-sanyo.com/network
N1208EA MS IM TC- 00001724号A1350-1 / 4
PCP1204
电气特性
在TA = 25℃
参数
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
直流电流增益
增益带宽积
输出电容
集电极 - 发射极饱和电压
基极 - 发射极饱和电压
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
开启时间
贮存时间
下降时间
符号
ICBO
IEBO
的hFE
fT
COB
VCE(sat)1
VCE(sat)2
VBE （ SAT ）
V（ BR ） CBO
V（ BR ） CEO
V（ BR ） EBO
吨
TSTG
tf
VCB = 40V ， IE = 0A
VEB = 4V ， IC = 0A
VCE = 2V ， IC =百毫安
VCE = 10V ， IC = 300毫安
VCB = 10V ， F = 1MHz的
IC = 0.5A ， IB = 10毫安
IC = 0.3A ， IB = 6毫安
IC = 0.5A ， IB = 10毫安
IC = 10μA ， IE = 0A
IC = 1mA时， RBE = ∞
IE = 10μA ， IC = 0A
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
请参阅特定网络版测试电路。
80
50
5
35
330
40
200
420
6
130
90
0.81
190
135
1.2
条件
评级
民
典型值
最大
0.1
0.1
560
兆赫
pF
mV
mV
V
V
V
V
ns
ns
ns
单位
μA
μA
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7007A-004
顶视图
4.5
1.6
1.5
开关时间测试电路
PW=50μs
特区
≤
1%
输入
RB
50Ω
2.5
+
820μF
VCC=25V
0.4
RL
IB1
IB2
产量
1
0.4
0.5
1.5
2
3
1.0
4.0
IC = 20IB1 = --20IB2 = 0.5A
3.0
0.75
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
博特吨OM查看
三洋： PCP
1.0
IC - VCE
A
40m
A
20
1.6
IC - VBE
VCE=2V
m
A
10mA
1.4
集电极电流， IC - 一个
30m
集电极电流， IC - 一个
0.8
8mA
50mA
1.2
1.0
0.8
6mA
4mA
2mA
0.6
Ta=7
5
°
C
25
°
C
0
0.2
0.4
0.6
0.4
0.6
0.4
0.2
0.2
0
IB=0mA
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.8
--25
°
C
1.0
1.2
IT14129
集电极 - 发射极电压VCE - V
IT14128
基极发射极电压VBE - V
第A1350-2 / 4
PCP1204
4.0
3.5
PC - 锝
集电极耗散，电脑 - 含
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
外壳温度，TC -
°
C
IT14136
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超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作
在任何产品的规格和所有三洋半导体所列条件范围或其他参数）
有限公司。本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障
或故障可能引起事故或事件，危及人的生命，麻烦，可以给
上升到烟或着火或事故可能造成损害的其他财产。在设计设备，
采取安全措施，这样就不会发生此类事故或事件。这些措施包括但
不限于保护电路和安全设计，冗余设计误差防止电路，以及
结构设计。
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PS第A1350-4 / 4
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