【IGBT模块断路器电路50A 1200V外形绘图PCHMB50B12A2- fasten-标签110】,IC型号PCHMB50B12A,PCHMB50B12A PDF资料,PCHMB50B12A经销商,ic,电子元器件-51电子网

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IGBT

模块

断路器

电路

50A 1200V

外形绘图

PCHMB50B12A

2- fasten-标签110号

外形尺寸（mm ）

大约重量： 220克

最大完全评级

(Tc=25°C)

项

集电极 - 发射极电压

门 - 发射极电压

集电极电流

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

V

ISO

F

器

PCHMB50B12A

1200

+/ - 20

50

100

250

-40到+150

-40到+125

2500

2

单位

V

V

A

W

°C

°C

V

N·m的

集电极耗散功率

结温范围

存储温度范围

隔离电压端基AC， 1分钟）

模组基地散热器

安装力矩

母线主接线端子

电气特性

(Tc=25°C)

特征

集电极 - 发射极截止电流

栅极 - 发射极漏电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极 - 发射极阈值电压

输入电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

符号

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

资本投资者入境计划

t

r

t

on

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

=1200V,V

GE

=0V

V

GE

=+/- 20V,V

CE

=0V

I

C

=50A,V

GE

=15V

V

CE

=5V,I

C

=50mA

V

CE

=10V,V

GE

=0V,f=1MHz

V

CC

= 600V

R

L

= 12欧姆

R

G

= 20欧姆

V

GE

= +/- 15V

分钟。

-

-

-

4.0

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

1.9

-

4200

0.25

0.40

0.25

0.80

马克斯。

1.0

1.0

2.4

8.0

-

0.45

0.70

0.35

1.10

单位

mA

A

V

V

pF

s

续流二极管额定值&特性

(Tc=25°C)

项

符号

额定值

正向电流

DC

1毫秒

I

F

I

FM

50

100

单位

A

典型值。

1.9

0.2

特征

峰值正向电压

反向恢复时间

符号

V

F

t

rr

测试条件

I

F

=50A,V

GE

=0V

I

F

=50A,V

GE

=-10V,di/dt=100A/

s

分钟。

-

-

马克斯。

2.4

0.3

单位

V

s

单位

° C / W

热特性

特征

热阻抗

IGBT

二极管

符号

R

日（J -C ）

测试条件

结到外壳

分钟。

-

-

典型值。

-

-

马克斯。

0.43

0.7

PCHMB50B12A

Fig.1-输出特性

（典型值）

100

Fig.2-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

T

C

=25℃

16

T

C

=25℃

I

C

=25A

100A

V

GE

=20V

15V

12V

10V

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

12

10

8

6

4

2

0

50A

集电极电流I

C

(A)

75

9V

50

8V

25

7V

0

0

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

Fig.3-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

16

Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压

（典型值）

800

700

600

500

400

16

T

C

=125℃

I

C

=25A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

R

L

=12Ω

T

C

=25℃

14

门到发射极电压V

GE

(V)

50A

12

10

8

6

4

2

0

12

10

8

V

CE

=600V

300

6

400V

200

100

0

0

50

100

150

200

250

300

350

200V

4

2

0

0

4

8

12

16

20

门到发射极电压V

GE

(V)

总栅极电荷Qg

（ NC ）

Fig.5-电容与集电极到发射极电压

（典型值）

20000

10000

5000

1.4

Fig.6-集电极电流与开关时间

（典型值）

V

CC

=600V

R

G

=20Ω

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

资本投资者入境计划

V

GE

=0V

f=1MH

Z

T

C

=25℃

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

t

关闭

2000

1000

500

200

100

50

20

卓越中心

开关时间t

(μs)

电容C

（PF ）

t

f

CRES

t

ON

t

r

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

0

10

20

30

40

50

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

PCHMB50B12A

续流二极管的Fig.8-正向特性

Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间

（典型值）

10

5

（典型值）

100

90

V

CC

=600V

I

C

=50A

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

T

C

=25℃

T

C

=125℃

花花公子

吨

tr

80

开关时间t

(μs)

2

1

0.5

正向电流I

F

(A)

300

70

60

50

40

30

20

tf

0.2

0.1

0.05

10

5

10

20

50

100

200

0

0

1

2

3

4

系列栅极阻抗

G

(Ω)

正向电压V

F

(V)

Fig.9-反向恢复特性

（典型值）

500

500

Fig.10-反向偏置安全工作区

（典型值）

R

G

=20Ω

V

GE

=±15V

T

C

≦125℃

峰值反向恢复电流I

RRM

(A)

反向恢复时间trr

（纳秒）

I

F

=50A

T

C

=25℃

TRR

200

100

200

100

50

集电极电流I

C

(A)

I

RRM

50

20

10

5

2

1

0.5

20

10

5

2

1

0

0.2

50

100

150

200

250

300

0.1

0

400

800

1200

1600

-di / dt的

（ A / μs）内

集电极到发射极电压V

CE

(V)

fig11 - Tansient热阻抗

5

Tansient热阻抗Rth的

（J -C ）

（ ° C / W）

2

1

5x10

2x10

10

-1

FRD

IGBT

-1

-1

-2

5x10

2x10

10

-2

-2

-3

Tc=25℃

1次射门

-5

5x10

2x10

-3

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

1

时间T

（s）

IGBT

模块

断路器

电路

50A 1200V

外形绘图

PCHMB50B12A

2- fasten-标签110号

外形尺寸（mm ）

大约重量： 220克

最大完全评级

(Tc=25°C)

项

集电极 - 发射极电压

门 - 发射极电压

集电极电流

DC

1毫秒

符号

V

CES

V

GES

I

C

I

CP

P

C

T

j

T

英镑

V

ISO

F

器

PCHMB50B12A

1200

+/ - 20

50

100

250

-40到+150

-40到+125

2500

2

单位

V

V

A

W

°C

°C

V

N·m的

集电极耗散功率

结温范围

存储温度范围

隔离电压端基AC， 1分钟）

模组基地散热器

安装力矩

母线主接线端子

电气特性

(Tc=25°C)

特征

集电极 - 发射极截止电流

栅极 - 发射极漏电流

集电极 - 发射极饱和电压

栅极 - 发射极阈值电压

输入电容

上升时间

开启时间

开关时间

下降时间

打开-O FF时间

符号

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

V

GE （日）

资本投资者入境计划

t

r

t

on

t

f

t

关闭

测试条件

V

CE

=1200V,V

GE

=0V

V

GE

=+/- 20V,V

CE

=0V

I

C

=50A,V

GE

=15V

V

CE

=5V,I

C

=50mA

V

CE

=10V,V

GE

=0V,f=1MHz

V

CC

= 600V

R

L

= 12欧姆

R

G

= 20欧姆

V

GE

= +/- 15V

分钟。

-

-

-

4.0

-

-

-

-

-

典型值。

-

-

1.9

-

4200

0.25

0.40

0.25

0.80

马克斯。

1.0

1.0

2.4

8.0

-

0.45

0.70

0.35

1.10

单位

mA

A

V

V

pF

s

续流二极管额定值&特性

(Tc=25°C)

项

符号

额定值

正向电流

DC

1毫秒

I

F

I

FM

50

100

单位

A

典型值。

1.9

0.2

特征

峰值正向电压

反向恢复时间

符号

V

F

t

rr

测试条件

I

F

=50A,V

GE

=0V

I

F

=50A,V

GE

=-10V,di/dt=100A/

s

分钟。

-

-

马克斯。

2.4

0.3

单位

V

s

单位

° C / W

热特性

特征

热阻抗

IGBT

二极管

符号

R

日（J -C ）

测试条件

结到外壳

分钟。

-

-

典型值。

-

-

马克斯。

0.43

0.7

PCHMB50B12A

Fig.1-输出特性

（典型值）

100

Fig.2-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

T

C

=25℃

16

T

C

=25℃

I

C

=25A

100A

V

GE

=20V

15V

12V

10V

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

12

10

8

6

4

2

0

50A

集电极电流I

C

(A)

75

9V

50

8V

25

7V

0

0

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

Fig.3-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

16

Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压

（典型值）

800

700

600

500

400

16

T

C

=125℃

I

C

=25A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

R

L

=12Ω

T

C

=25℃

14

门到发射极电压V

GE

(V)

50A

12

10

8

6

4

2

0

12

10

8

V

CE

=600V

300

6

400V

200

100

0

0

50

100

150

200

250

300

350

200V

4

2

0

0

4

8

12

16

20

门到发射极电压V

GE

(V)

总栅极电荷Qg

（ NC ）

Fig.5-电容与集电极到发射极电压

（典型值）

20000

10000

5000

1.4

Fig.6-集电极电流与开关时间

（典型值）

V

CC

=600V

R

G

=20Ω

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

资本投资者入境计划

V

GE

=0V

f=1MH

Z

T

C

=25℃

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

t

关闭

2000

1000

500

200

100

50

20

卓越中心

开关时间t

(μs)

电容C

（PF ）

t

f

CRES

t

ON

t

r

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

0

10

20

30

40

50

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

PCHMB50B12A

续流二极管的Fig.8-正向特性

Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间

（典型值）

10

5

（典型值）

100

90

V

CC

=600V

I

C

=50A

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

T

C

=25℃

T

C

=125℃

花花公子

吨

tr

80

开关时间t

(μs)

2

1

0.5

正向电流I

F

(A)

300

70

60

50

40

30

20

tf

0.2

0.1

0.05

10

5

10

20

50

100

200

0

0

1

2

3

4

系列栅极阻抗

G

(Ω)

正向电压V

F

(V)

Fig.9-反向恢复特性

（典型值）

500

500

Fig.10-反向偏置安全工作区

（典型值）

R

G

=20Ω

V

GE

=±15V

T

C

≦125℃

峰值反向恢复电流I

RRM

(A)

反向恢复时间trr

（纳秒）

I

F

=50A

T

C

=25℃

TRR

200

100

200

100

50

集电极电流I

C

(A)

I

RRM

50

20

10

5

2

1

0.5

20

10

5

2

1

0

0.2

50

100

150

200

250

300

0.1

0

400

800

1200

1600

-di / dt的

（ A / μs）内

集电极到发射极电压V

CE

(V)

fig11 - Tansient热阻抗

5

Tansient热阻抗Rth的

（J -C ）

（ ° C / W）

2

1

5x10

2x10

10

-1

FRD

IGBT

-1

-1

-2

5x10

2x10

10

-2

-2

-3

Tc=25℃

1次射门

-5

5x10

2x10

-3

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

1

时间T

（s）

ＩＧＢＴ

Ｍ½½½½½

－

Ｃ½½½½½½

□ 回路図：

ＣＩＲＣＵＩＴ

５０Ａ，１２００Ｖ

ＰＣＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ

□ 外 ½ 寸法図：

ＯＵＴＬＩＮＥＤＲＡＷＩＮＧ

12

94

80

± 0 .2 5

11 12 11

2

12

3

12

5

4

2- 5.5

(C2E1)

1

(E2)

2

(C1)

3

1

5(E1)

4(G1)

3-M5

23

23

17

4系卡

#110 t= 0.5

8

16

7

16

7

16

30

+1 .0

- 0 .5

LABEL

6

23

4

35

Dimension:［mm½

□ 最大定格：

ＭＡＸＩＭＵＭ

コレクタエミッタ間電圧

集电极 - 发射极电压

ゲートエミッタ間電圧

栅极 - 发射极电压

コレクタ電流

集电极电流

コレクタ損失

集电极耗散功率

接

合

温

度

结温范围

保

存

温

度

存储温度范围

絶

縁

耐

圧(Ｔerminal to Ｂase ＡＣ,１½inute)

隔离电压

模组基地散热器

締め付けトルク

安装力矩

母线主接线

□ 電気的特性

ＤＣ

１½½

ＲＡＴＩＮＧＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｓ½½½½½

Ｖ

ＣＥＳ

Ｖ

ＧＥＳ

Ｉ

Ｃ

Ｉ

ＣＰ

Ｐ

Ｃ

Ｔ

½

Ｔ

½½½

Ｖ

ＩＳＯ

Ｆ

½½½

Ｒ½½½½ Ｖ½½½½

１，２００

±２０

５０

１００

２５０

－４０½＋１５０

－４０½＋１２５

２,５００

２（２０.４）

Ｕ½½½

Ｖ

Ｖ

Ａ

Ｗ

℃

℃

Ｖ

（ＲＭＳ）

Ｎ½

(kgf½cm)

Ｉ½½½

：

ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｓ½½½½½

Ｉ

ＣＥＳ

Ｉ

ＧＥＳ

Ｖ

ＣＥ（½½½）

Ｖ

ＧＥ（½½）

Ｃ

½½½

上昇時間

ターンオン時間

下降時間

ターンオフ時間

上升

开启

秋天

打开-O FF

时间

时间

时间

时间

½

½

½

½½

½

½

½

½½½

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

Ｖ

ＣＥ

= 1200V,Ｖ

ＧＥ

= 0V

Ｖ

ＧＥ

= ±20V,Ｖ

ＣＥ

= 0V

Ｉ

Ｃ

= 50A,Ｖ

ＧＥ

= 15V

Ｖ

ＣＥ

= 5V,Ｉ

Ｃ

= 50毫安

Ｖ

ＣＥ

= 10V,Ｖ

ＧＥ

= 0V,½= 1MH

Ｚ

Ｖ

ＣＣ

= 600V

Ｒ

L

= 12Ω

Ｒ

G

= 20Ω

Ｖ

ＧＥ

= ±15V

Ｍ½½.

－

－

－

４.０

－

－

－

－

－

Ｔ½½.

－

－

１.９

－

4,200

０.２５

０.４０

０.２５

０.８０

Ｍ½½.

１.０

１.０

２.４

８.０

－

０.４５

０.７０

０.３５

１.１０

Ｕ½½½

½Ａ

μＡ

Ｖ

Ｖ

½Ｆ

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

コレクタ遮断電流

集电极 - 发射极截止电流

ゲート漏れ電流

栅极 - 发射极漏电流

コレクタエミッタ間½和電圧

集电极 - 发射极饱和电压

ゲートしきい値電圧

栅极 - 发射极阈值电压

入

力

容

量

输入电容

スイッチング時間

开关时间

μ½

□フリーホイーリングダイオードの特性：

ＦＲＥＥ

Ｉ½½½

順

電

流

正向电流

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

順

電

圧

峰值正向电压

逆回復時間

反向恢复时间

□ 熱的

特性

ＷＨＥＥＬＩＮＧＤＩＯＤＥＲＡＴＩＮＧＳ＆ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

（Ｔ

Ｃ

＝２５℃）

Ｓ½½½½½

Ｉ

Ｆ

Ｉ

ＦＭ

Ｓ½½½½½

Ｖ

Ｆ

½

½½

Ｒ½½½½ Ｖ½½½½

５０

１００

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

Ｉ

Ｆ

= 50A,Ｖ

ＧＥ

= 0V

Ｉ

Ｆ

= 50A,Ｖ

ＧＥ

= -10V

½i/½t= 100A/μs

Ｍ½½.

－

－

Ｔ½½.

１.９

０.２

Ｍ½½.

２.４

０.３

Ｕ½½½

Ａ

ＤＣ

１½½

Ｕ½½½

Ｖ

μ½

：

ＴＨＥＲＭＡＬＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ

Ｓ½½½½½

RTH （J -C ）

Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½

结到外壳

Ｍ½½.

－

－

Ｔ½½.

－

－

Ｍ½½.

０.４３

０.７

Ｕ½½½

℃／Ｗ

Ｃ½½½½½½½½½½½½½

熱

抵

抗

ＩＧＢＴ

热阻抗

二极管

日本インター株式会社

ＰＣＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ

Fig.2-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

T

C

=25℃

V

GE

=20V

15V

12V

10V

16

Fig.1-输出特性

（典型值）

100

T

C

=25℃

I

C

=25A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

12

10

8

6

4

2

0

50A

集电极电流I

C

(A)

75

9V

50

8V

25

7V

0

0

2

4

6

8

10

0

4

8

12

16

20

集电极到发射极电压V

CE

(V)

门到发射极电压V

GE

(V)

Fig.3-集电极到发射极电压上

主场迎战门到发射极电压

（典型值）

16

Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压

（典型值）

800

700

600

500

400

16

T

C

=125℃

I

C

=25A

100A

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极到发射极电压V

CE

(V)

14

R

L

=12Ω

T

C

=25℃

14

门到发射极电压V

GE

(V)

50A

12

10

8

6

4

2

0

12

10

8

V

CE

=600V

300

6

400V

200

4

200V

100

0

0

50

100

150

200

250

300

350

2

0

0

4

8

12

16

20

门到发射极电压V

GE

(V)

总栅极电荷Qg

（ NC ）

Fig.5-电容与集电极到发射极电压

（典型值）

20000

10000

5000

Fig.6-集电极电流与开关时间

（典型值）

1.4

资本投资者入境计划

V

GE

=0V

f=1MH

Z

T

C

=25℃

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

t

关闭

V

CC

=600V

R

G

=20Ω

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

2000

1000

500

200

100

50

20

卓越中心

开关时间t

(μs)

电容C

（PF ）

t

f

CRES

t

ON

t

r

0.1

0.2

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

0

10

20

30

40

50

集电极到发射极电压V

CE

(V)

集电极电流I

C

(A)

日本インター株式会社

ＰＣＨＭＢ５０Ｂ１２Ａ

续流二极管的Fig.8-正向特性

Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间

（典型值）

10

5

100

（典型值）

T

C

=25℃

T

C

=125℃

V

CC

=600V

I

C

=50A

V

GE

=±15V

T

C

=25℃

90

花花公子

吨

tr

80

开关时间t

(μs)

正向电流I

F

(A)

300

2

1

0.5

70

60

50

40

30

20

tf

0.2

0.1

0.05

10

5

10

20

50

100

200

0

0

1

2

3

4

系列栅极阻抗

G

(Ω)

正向电压V

F

(V)

Fig.9-反向恢复特性

（典型值）

500

Fig.10-反向偏置安全工作区

500

200

100

峰值反向恢复电流I

RRM

(A)

反向恢复时间trr

（纳秒）

I

F

=50A

T

C

=25℃

TRR

200

100

50

R

G

=20Ω

V

GE

=±15V

T

C

≦125℃

集电极电流I

C

(A)

I

RRM

0

50

100

150

200

250

300

50

20

10

5

2

1

0.5

20

10

5

2

1

0.2

0.1

0

400

800

1200

1600

-di / dt的

（ A / μs）内

集电极到发射极电压V

CE

(V)

fig11 - Tansient热阻抗

5

Tansient热阻抗Rth的

（J -C ）

（ ° C / W）

2

1

5x10

2x10

-1

FRD

IGBT

-1

-1

-2

10

5x10

2x10

-2

-2

-3

10

5x10

2x10

Tc=25℃

1次射门

-5

-3

10

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

1

10

1

时间T

（s）

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