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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第1263页 > PCHMB50A6
IGBT
模块
电路
菜刀50A 600V
PCHMB50A6
外形绘图
2- fasten-标签110号
外形尺寸（mm ）
大约重量： 220克
最大完全评级
(Tc=25°C)
项
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
器
PCHMB50A6
600
+/ - 20
50
100
250
-40到+150
-40到+125
2500
2
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC， 1分钟）
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=600V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=50A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=50mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 300V
R
L
= 6欧姆
R
G
= 15.1欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
2.0
-
5000
0.15
0.25
0.2
0.45
马克斯。
1.0
1.0
2.5
8.0
-
0.3
0.4
0.35
0.7
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
项
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
50
100
单位
A
典型值。
1.9
0.15
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=50A,V
GE
=0V
I
F
=50A,V
GE
=-10V,di/dt=50A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.25
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日（J -C ）
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.5
1.0
PCHMB50A6
Fig.1-输出特性
（典型值）
100
T
C
=25℃
V
GE
=20V
12V
15V
16
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
T
C
=25℃
I
C
=20A
100A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
80
10V
50A
12
10
8
6
4
2
0
集电极电流I
C
(A)
60
9V
40
20
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
（典型值）
400
350
16
T
C
=125℃
I
C
=20A
100A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=5Ω
T
C
=25℃
14
集电极到发射极电压V
CE
(V)
50A
12
10
8
6
4
2
0
门到发射极电压V
GE
(V)
300
250
200
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
100V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
（ NC ）
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
（典型值）
20000
10000
5000
1
Fig.6-集电极电流与开关时间
（典型值）
0.9
0.8
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
（PF ）
2000
1000
500
200
100
50
20
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
花花公子
吨
tf
tr
0
20
40
60
80
100
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PCHMB50A6
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
（典型值）
5
100
续流二极管的Fig.8-正向特性
（典型值）
T
C
=25℃
90
80
2
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=125℃
开关时间t
(μs)
正向电流I
F
(A)
花花公子
吨
tr
70
60
50
40
30
20
1
0.5
tf
0.2
0.1
10
0.05
2
5
10
20
50
100
200
500
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
（典型值）
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
（典型值）
500
200
100
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
（纳秒）
I
F
=50A
T
C
=25℃
TRR
200
100
50
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
集电极电流I
C
(A)
I
RRM
0
100
200
300
400
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
20
10
5
2
0.05
0
200
400
600
800
-di / dt的
（ A / μs）内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
2
(℃/W)
1
FRD
5x10
-1
（J -C ）
IGBT
2x10
-1
瞬态热阻抗Rth的
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
T
C
=25℃
2x10
-3
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
1x10
-3 -5
10
时间T
(s)
ＩＧＢＴ
Ｍ½½½½½
Ｃ½½½½½½
□
回 路 図 ：
ＣＩＲＣＵＩＴ
５０ Ａ，６００Ｖ
□ 外 ½ 寸 法 図
ＰＣＨＭＢ５０Ａ６
：
ＯＵＴＬＩＮＥ ＤＲＡＷＩＮＧ
Dimension:［mm½
□
最 大 定 格 ：
ＭＡＸＩＭＵＭ
Ｉ½½½
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ＲＡＴＩＮＧＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｓ½½½½½
Ｖ
CES
Ｖ
GES
ＤＣ
１½½
重量：220½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
６００
±２０
５０
１００
２５０
４０＋１５０
４０＋１２５
２,５００
２（２０.４）
Ｕ½½½
Ｖ
Ｖ
Ａ
Ｗ
℃
℃
Ｖ
（ RMS）
Ｎ½
(kgf½cm)
ゲートエミッタ間電圧
栅极 - 发射极电压
コ
コ
接
保
絶
レ
レ
ク
ク
合
存
縁
タ
タ
温
温
耐
電
損
流
失
度
度
集电极电流
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
Ｉ
C
Ｉ
CP
Ｐ
C
Ｔ
j
Ｔ
英镑
Ｖ
ISO
Ｆ
器
圧
（终端到基地交流， 1分钟）
模组基地散热器
母线主接线
隔离电压
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
□
集电极 - 发射极截止电流
電 気 的 特 性 ：
ＥＬＥＣＴＲＩＣＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｓ½½½½½ Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
Ｉ
CES
Ｖ
CE
= 600V, Ｖ
GE
= 0V
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
Ｉ
GES
Ｖ
CE （ SAT ）
Ｖ
GE （日）
Ｃ
IES
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
Ｍ½½.
４.０
Ｔ½½.
２.０
5,000
０.１５
０.２５
０.２０
０.４５
Ｍ½½. Ｕ½½½
１.０
１.０
２.５
８.０
０.３０
０.４０
０.３５
０.７０
½Ａ
μＡ
Ｖ
Ｖ
½Ｆ
栅极 - 发射极漏电流
Ｖ
GE
= ±20V, Ｖ
CE
= 0V
Ｉ
C
= 50A, Ｖ
GE
= 15V
Ｖ
CE
= 5V, Ｉ
C
= 50毫安
Ｖ
CES
= 10V, Ｖ
GE
= 0V,½= 1MHz
Ｖ
CC
Ｒ
L
Ｒ
G
Ｖ
GE
=
=
=
=
300V
6Ω
15Ω
±15V
コレクタエミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲートし きい値 電圧
栅极 - 发射极阈值电压
入
力
容
量
输入电容
上 昇 時 間
ス イ ッ チ ン グ 時 間
ターンオン時間
开关时间
下 降 時 間
ターンオフ時間
½
r
½
on
½
f
½
关闭
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性：
ＦＲＥＥ ＷＨＥＥＬＩＮＧ ＤＩＯＤＥ ＲＡＴＩＮＧＳ ＆ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
（Ｔ
Ｃ
＝２５℃）
フリーホイーリングダイオードの
Ｉ½½½
Ｓ½½½½½
Ｒ½½½½ Ｖ½½½½
Ｕ½½½
ＤＣ
Ｉ
F
５０
順
電
流
Ａ
正向电流
１½½
Ｉ
FM
１００
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
電
圧
回
復
時
間
Ｓ½½½½½
Ｖ
F
½
rr
Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
Ｉ
F
= 50A, Ｖ
GE
= 0V
Ｉ
F
= 50A, Ｖ
GE
= -10V
½i/½t = 50A/μs
Ｍ½½.
Ｔ½½.
１.９
Ｍ½½. Ｕ½½½
２.４
Ｖ
μ½
順
逆
□
熱
峰值正向电压
反向恢复时间
０.１５ ０.２５
的 特 性 ：
ＴＨＥＲＭＡＬ ＣＨＡＲＡＣＴＥＲＩＳＴＩＣＳ
Ｃ½½½½½½½½½½½½½
Ｓ½½½½½ Ｔ½½½ Ｃ½½½½½½½½
ＩＧＢＴ
熱
抵
抗
Ｒ
日（J -C ）
结到外壳
热阻抗
Ｄ ½ ½
½ ½
Ｍ½½.
Ｔ½½.
Ｍ½½. Ｕ½½½
０.５０
℃／Ｗ
１.００
ＰＣＨＭＢ５０Ａ６
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
16
Fig.1-输出特性
（典型值）
100
T
C
=25℃
V
GE
=20V
12V
15V
T
C
=25℃
I
C
=20A
100A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
80
10V
50A
12
10
8
6
4
2
0
集电极电流I
C
(A)
60
9V
40
20
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
（典型值）
400
350
16
T
C
=125℃
I
C
=20A
100A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=5Ω
T
C
=25℃
14
集电极到发射极电压V
CE
(V)
50A
12
10
8
6
4
2
0
门到发射极电压V
GE
(V)
300
250
200
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
100V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
（ NC ）
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
（典型值）
20000
10000
5000
1
Fig.6-集电极电流与开关时间
（典型值）
0.9
0.8
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
（PF ）
2000
1000
500
200
100
50
20
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
花花公子
吨
tf
tr
0
20
40
60
80
100
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
ＰＣＨＭＢ５０Ａ６
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
（典型值）
5
续流二极管的Fig.8-正向特性
（典型值）
100
2
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=25℃
90
80
T
C
=125℃
开关时间t
(μs)
正向电流I
F
(A)
花花公子
吨
tr
70
60
50
40
30
20
1
0.5
tf
0.2
0.1
10
0.05
2
5
10
20
50
100
200
500
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
（典型值）
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
（典型值）
500
200
100
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
（纳秒）
I
F
=50A
T
C
=25℃
TRR
200
100
50
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
集电极电流I
C
(A)
I
RRM
0
100
200
300
400
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
20
10
5
2
0.05
0
200
400
600
800
-di / dt的
（ A / μs）内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
2
(℃/W)
1
5x10
-1
FRD
IGBT
（J -C ）
2x10
-1
瞬态热阻抗Rth的
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
T
C
=25℃
2x10
-3
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
1x10
-3 -5
10
时间T
(s)
IGBT
模块
电路
菜刀50A 600V
PCHMB50A6
外形绘图
2- fasten-标签110号
外形尺寸（mm ）
大约重量： 220克
最大完全评级
(Tc=25°C)
项
集电极 - 发射极电压
门 - 发射极电压
集电极电流
DC
1毫秒
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
P
C
T
j
T
英镑
V
ISO
F
器
PCHMB50A6
600
+/ - 20
50
100
250
-40到+150
-40到+125
2500
2
单位
V
V
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
隔离电压端基AC， 1分钟）
模组基地散热器
安装力矩
母线主接线端子
电气特性
(Tc=25°C)
特征
集电极 - 发射极截止电流
栅极 - 发射极漏电流
集电极 - 发射极饱和电压
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
符号
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
V
GE （日）
资本投资者入境计划
t
r
t
on
t
f
t
关闭
测试条件
V
CE
=600V,V
GE
=0V
V
GE
=+/- 20V,V
CE
=0V
I
C
=50A,V
GE
=15V
V
CE
=5V,I
C
=50mA
V
CE
=10V,V
GE
=0V,f=1MHz
V
CC
= 300V
R
L
= 6欧姆
R
G
= 15.1欧姆
V
GE
= +/- 15V
分钟。
-
-
-
4.0
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
2.0
-
5000
0.15
0.25
0.2
0.45
马克斯。
1.0
1.0
2.5
8.0
-
0.3
0.4
0.35
0.7
单位
mA
A
V
V
pF
s
续流二极管额定值&特性
(Tc=25°C)
项
符号
额定值
正向电流
DC
1毫秒
I
F
I
FM
50
100
单位
A
典型值。
1.9
0.15
特征
峰值正向电压
反向恢复时间
符号
V
F
t
rr
测试条件
I
F
=50A,V
GE
=0V
I
F
=50A,V
GE
=-10V,di/dt=50A/
s
分钟。
-
-
马克斯。
2.4
0.25
单位
V
s
单位
° C / W
热特性
特征
热阻抗
IGBT
二极管
符号
R
日（J -C ）
测试条件
结到外壳
分钟。
-
-
典型值。
-
-
马克斯。
0.5
1.0
PCHMB50A6
Fig.1-输出特性
（典型值）
100
T
C
=25℃
V
GE
=20V
12V
15V
16
Fig.2-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
T
C
=25℃
I
C
=20A
100A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
80
10V
50A
12
10
8
6
4
2
0
集电极电流I
C
(A)
60
9V
40
20
8V
7V
0
0
2
4
6
8
10
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.3-集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压
（典型值）
16
Fig.4-栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压
（典型值）
400
350
16
T
C
=125℃
I
C
=20A
100A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
14
R
L
=5Ω
T
C
=25℃
14
集电极到发射极电压V
CE
(V)
50A
12
10
8
6
4
2
0
门到发射极电压V
GE
(V)
300
250
200
12
10
8
V
CE
=300V
150
6
200V
100
50
0
100V
4
2
0
0
4
8
12
16
20
0
50
100
150
200
门到发射极电压V
GE
(V)
总栅极电荷Qg
（ NC ）
Fig.5-电容与集电极到发射极电压
（典型值）
20000
10000
5000
1
Fig.6-集电极电流与开关时间
（典型值）
0.9
0.8
资本投资者入境计划
卓越中心
CRES
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25℃
V
CC
=300V
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
=25℃
开关时间t
(μs)
电容C
（PF ）
2000
1000
500
200
100
50
20
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
花花公子
吨
tf
tr
0
20
40
60
80
100
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
0
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
(A)
PCHMB50A6
Fig.7-系列栅极阻抗与开关时间
（典型值）
5
100
续流二极管的Fig.8-正向特性
（典型值）
T
C
=25℃
90
80
2
V
CC
=300V
I
C
=50A
V
G
=±15V
T
C
=25℃
T
C
=125℃
开关时间t
(μs)
正向电流I
F
(A)
花花公子
吨
tr
70
60
50
40
30
20
1
0.5
tf
0.2
0.1
10
0.05
2
5
10
20
50
100
200
500
0
0
1
2
3
4
系列栅极阻抗
G
(Ω)
正向电压V
F
(V)
Fig.9-反向恢复特性
（典型值）
500
Fig.10-反向偏置安全工作区
（典型值）
500
200
100
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr
（纳秒）
I
F
=50A
T
C
=25℃
TRR
200
100
50
R
G
=15Ω
V
GE
=±15V
T
C
≦125℃
集电极电流I
C
(A)
I
RRM
0
100
200
300
400
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
20
10
5
2
0.05
0
200
400
600
800
-di / dt的
（ A / μs）内
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.11-瞬态热阻抗
2
(℃/W)
1
FRD
5x10
-1
（J -C ）
IGBT
2x10
-1
瞬态热阻抗Rth的
1x10
-1
5x10
-2
2x10
-2
1x10
-2
5x10
-3
T
C
=25℃
2x10
-3
1次脉冲
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
1x10
-3 -5
10
时间T
(s)
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