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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第305页 > PCFMB600E6C
IGBT
M½½½½½-C½½½½½½
□ 回 路 図 :
CIRCUIT
PCFMB600E6
600A,600V
□ 外 ½ 寸 法 図 :
OUTLINE DRAWING
110
93
± 0 .2 5
14 11 14 11 14
PCFMB600E6C
3-M6
4-6.5
3-M6
108
93
± 0 .2 5
14 11 14 11 14
4- 6.5
80
13
20
6
15 6
62
± 0 .2 5
(C2E1)
1
(E2)
2
(C1)
3
11
1
2
3
7
5(E1)
4(G1)
4
6
5
62
11 13
20
5
4
16
25
9 16
25
9 16
24
16
8
25
9
16
25
9
16
24
+1.0
- 0.5
+1.0
- 0.5
23
30
30
PCFMB600E6
□ 最 大 定 格 :
MAXIMUM
コレクタエミッタ間電圧
集电极 - 发射极电压
ゲ ー トエ ミ ッ タ 間 電 圧
栅极 - 发射极电压
コ レ ク タ 電 流
集电极电流
コ レ ク タ 損 失
集电极耗散功率
结温范围
存储温度范围
圧(Terminal to Base AC,1½inute)
隔离电压
模组基地散热器
締 め 付 け ト ル ク
安装力矩
母线主接线
□ 電 気 的 特 性
DC
1½½
7
PCFMB600E6C
Dimension:[mm½
RATINGS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CP
½
½½½
ISO
½½½
R½½½½ V½½½½
600
±20
600
1,200
2,080
-40½+150
-40½+125
2,500
3(30.6)
U½½½
(RMS)
N½
(kgf½cm)
I½½½
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
CES
GES
CE(½½½)
GE(½½)
½½½
上 昇 時 間
ターンオン時
下 降 時 間
ターンオフ時間
上升
开启
秋天
打开-O FF
时间
时间
时间
时间
½
½
½
½½
½
½
½
½½½
T½½½ C½½½½½½½½
CE
= 600V, V
GE
= 0V
GE
= ±20V,V
CE
= 0V
= 600A,V
GE
= 15V
CE
= 5V,I
= 600毫安
CE
= 10V,V
GE
= 0V,½= 1MH
CC
=
=
=
GE
=
300V
0.5Ω
2.0Ω
±15V
M½½.
4.0
T½½.
2.1
30,000
0.15
0.30
0.10
0.40
M½½.
1.0
1.0
2.6
8.0
0.35
0.85
0.25
0.80
U½½½
½A
μA
½F
C½½½½½½½½½½½½½
コ レ ク タ 遮 断 電 流
集电极 - 发射极截止电流
ゲ ー ト 漏 れ 電 流
栅极 - 发射极漏电流
コレクタエミッタ間½和電圧
集电极 - 发射极饱和电压
ゲ ー ト し き い 値 電 圧
栅极 - 发射极阈值电压
输入电容
スイッチング時間
开关时间
7
23
LABEL
LABEL
8
6
48
± 0 .2 5
1
2
3
μ½
□フリーホイーリングダイオードの 特 性:
FREE
I½½½
正向电流
C½½½½½½½½½½½½½
峰值正向电压
逆 回 復 時 間
反向恢复时间
WHEELING DIODE RATINGS & CHARACTERISTICS
(T
=25℃)
S½½½½½
FM
S½½½½½
½
½½
R½½½½ V½½½½
600
1,200
T½½½ C½½½½½½½½
= 600A,V
GE
= 0V
= 600A,V
GE
= -10V
½i/½t= 1200A/μs
M½½.
T½½.
1.9
0.15
M½½.
2.4
0.25
U½½½
DC
1½½
U½½½
μ½
□ 熱 的 特 性 :
THERMAL CHARACTERISTICS
C½½½½½½½½½½½½½
IGBT
热阻抗
二极管
S½½½½½
RTH (J -C )
T½½½ C½½½½½½½½
结到外壳
(TC测定点チップ直下)
M½½.
T½½.
M½½.
0.06
0.14
U½½½
℃/W
00
日本インター株式会社
PCFMB600E6
PCFMB600E6C
Fig.1-
输出特性(典型)
1200
Fig.2-
输出特性(典型)
T
C
=25°C
1200
T
C
=125°C
V
GE
=20V
12V
V
GE
=20V
1000
12V
1000
15V
11V
15V
11V
集电极电流I
C
(A)
800
集电极电流I
C
(A)
800
600
10V
600
10V
400
9V
400
9V
200
200
8V
8V
0
0
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
集电极到发射极电压V
CE
(V)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.3-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压(典型值)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
Fig.4-
集电极到发射极电压上
主场迎战门到发射极电压(典型值)
T
C
=25°C
16
14
12
10
8
6
4
2
0
T
C
=125°C
I
C
=300A
600A
1200A
I
C
=300A
600A
1200A
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
集电极到发射极电压V
CE
(V)
0
4
8
12
16
20
门到发射极电压V
GE
(V)
门到发射极电压V
GE
(V)
Fig.5-
栅极电荷主场迎战集电极到发射极电压(典型值)
400
350
Fig.6-
电容与集电极到发射极电压(典型值)
16
14
300000
R
L
=0.5
T
C
=25°C
集电极到发射极电压V
CE
(V)
100000
V
GE
=0V
f=1MH
Z
T
C
=25°C
资本投资者入境计划
门到发射极电压V
GE
(V)
300
250
200
150
100
50
0
12
10
电容C (PF )
30000
V
CE
=300V
200V
100V
8
6
4
2
0
2500
10000
卓越中心
CRES
3000
1000
0
500
1000
1500
2000
300
0.1
0.2
0.5
1
2
5
10
20
50
100
200
总栅极电荷Qg ( NC)
集电极到发射极电压V
CE
(V)
00
日本インター株式会社
PCFMB600E6
PCFMB600E6C
Fig.7-
集电极电流与开关时间(典型)
1
Fig.8-
系列栅极阻抗与开关时间(典型)
10
5
0.8
t
关闭
V
CC
=300V
R
G
=2.0
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
阻性负载
开关时间t(微秒)
2
V
CC
=300V
I
C
=600A
V
GE
=±15V
T
C
=25°C
阻性负载
开关时间t(微秒)
0.6
1
0.5
t
f
0.4
花花公子
0.2
吨TR
(V
CE
)
0.1
0.05
0.2
t
ON
t
R( V
CE
)
tf
0
0
150
300
450
600
750
900
0.02
1
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
Fig.9-
集电极电流与开关时间
10
Fig.10-
系列栅极阻抗与开关时间
10
5
1
t
关闭
t
ON
V
CC
=300V
R
G
=2.0
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
2
V
CC
=300V
I
C
=600A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
开关时间t(微秒)
开关时间t(微秒)
1
0.5
0.1
t
f
t
R( IC )
花花公子
tr
(I
C
)
tf
0.2
0.1
0.05
0.01
0.001
0
150
300
450
600
750
900
0.02
1
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
Fig.11-
集电极电流和开关损耗
80
1000
Fig.12-
系列栅极阻抗与开关损耗
V
CC
=300V
I
C
=600A
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
切换损失ê
SW
(兆焦耳/脉冲)
60
E
关闭
E
ON
切换损失ê
SW
(兆焦耳/脉冲)
V
CC
=300V
R
G
=2.0
V
GE
=±15V
T
C
=125°C
感性负载
300
E
ON
E
关闭
100
40
30
E
RR
10
E
RR
20
3
0
0
150
300
450
600
750
900
1
1
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
系列栅极阻抗
G
( )
00
日本インター株式会社
PCFMB600E6
PCFMB600E6C
1200
Fig.13-
续流二极管的正向特性
(典型值)
T
C
=25°C
T
C
=125°C
Fig.14-
反向恢复特性(典型)
1000
1000
峰值反向恢复电流I
RRM
(A)
反向恢复时间trr ( NS )
500
I
F
=600A
T
C
=25°C
T
C
=125°C
TRR
正向电流I
F
(A)
800
200
600
100
400
I
RRM
50
200
0
0
1
2
3
4
20
0
600
1200
1800
2400
3000
3600
正向电压V
F
(V)
-di / DT ( A / μs)内
Fig.15-
反向偏置安全工作区
5000
2000
1000
500
R
G
=2.0 , V
GE
= ± 15V ,T
C
<125°C
集电极电流I
C
(A)
200
100
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
0
200
400
600
800
集电极到发射极电压V
CE
(V)
Fig.16-
瞬态热阻抗
1
瞬态热阻抗Rth的
(J -C )
( ° C / W)
3x10
-1
FRD
1x10
-1
IGBT
3x10
-2
1x10
-2
3x10
-3
1x10
-3
T
C
=25°C
1次脉冲
3x10
-4
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
1
时间t (S )
00
日本インター株式会社
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PCFMB600E6C
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    -
    -
    -
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电话:0755-23140719/23915992
联系人:李先生 李小姐
地址:深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1607室
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电话:0755-82170267
联系人:李经理
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