飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
PCF8594C-2
512
×
8位CMOS EEPROM与我
2
C- BUS接口
牧师05 - 2004年10月25日
产品数据
1.描述
该PCF8594C -2是一个浮动栅电可擦除可编程只读
存储器（EEPROM）以4千位（512
×
8比特）的非易失性存储。通过使用一个
内部冗余存储的代码，它是容错单比特错误。此功能
相比于传统的EEPROM极大地提高了可靠性。动力
耗低，由于所使用的完整的CMOS技术。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
数据字节被接收并通过串行I发送
2
C总线。多达四个
PCF8594C -2设备可以连接到I
2
C总线。芯片选择完成
由两个地址输入（ A1和A2） 。
对E / W周期的时间进行内部，因此无需外部元件
所需。编程时间控制（ PTC ） ， 7脚，必须连接到无论是V
DD
或保持开路。有使用外部时钟定时的长度的一个选项
中的E / W周期。
2.特点
s
低功耗CMOS ：
x
2.0毫安最大工作电流
x
最大待机电流10
A
（ 6.0 V） ，典型的4
A
s
4千位组织成512的非易失性存储
×
8-bit
s
单电源与全面运作下，以2.5 V
s
片上电压倍增器
s
串行输入/输出I
2
C总线
s
写操作：
x
字节写模式
x
8字节页写模式（最小化每个字节写入总时间）
s
读操作：
x
顺序读取
x
随机读取
s
内部定时器写（无需外部元件）
s
内部上电复位
s
0 kHz到100 kHz的时钟频率
s
通过使用冗余存储代码可靠性高
s
续航能力：100万次擦除/写（ E / W）的周期在T
AMB
= 22
°C
s
10年非易失性数据保留时间
飞利浦半导体
PCF8594C-2
512
×
8位CMOS EEPROM与我
2
C- BUS接口
s
ESD保护超过每JESD22 - A114 2000 V HBM ， 150 V MM元
JESD22 - A115 ，每JESD22 - C101 1000 V CDM
s
闭锁测试是为了JEDEC标准JESD78超过100毫安
s
在提供DIP8和SO8封装。
3.快速参考数据
表1：
符号
V
DD
I
DDR
快速参考数据
参数
电源电压
电源电流读
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DDW
电源电流东/西
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
-
-
-
-
-
-
-
-
0.6
2.0
3.5
10
mA
mA
A
A
-
-
-
-
60
200
A
A
条件
民
2.5
典型值
-
最大
6.0
单位
V
4.订购信息
表2：
订购信息
包
名字
PCF8594C-2P/02
PCF8594C-2T/02
DIP8
SO8
描述
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
VERSION
SOT97-1
类型编号
塑料小外形封装8引脚（直） ; SOT96-1
体宽3.9毫米
4.1订购选项
表3：
订购选项
上部MARK
PCF8594C-2
8594C-2
类型编号
PCF8594C-2P/02
PCF8594C-2T/02
9397 750 14221
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
牧师05 - 2004年10月25日
2 21
xxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx x xxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxx xxx xxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx
xxxxx xxxxxx xx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxx xxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxx
xxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxx xxxxxx xx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxx
xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx xxxxxxxxxxx xxxxx x x
产品数据
牧师05 - 2004年10月25日
A2
A1
3
2
测试模式解码器
VDD
8
4
002aaa258
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
9397 750 14221
5.框图
飞利浦半导体
PCF8594C-2
SCL
SDA
6
5
n
输入
滤波器
I
2
C-总线控制逻辑
1
WP
字节
计数器
3
地址
开关
移
注册
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
地址
高
注册
SEQUENCER
分频器
( 128)
8
EEPROM
4
EE
控制
512
×
8位CMOS EEPROM与我
2
C- BUS接口
定时器
( 16)
7
PTC
上电复位
振荡器
PCF8594C-2
VSS
3 21
图1.框图。
飞利浦半导体
PCF8594C-2
512
×
8位CMOS EEPROM与我
2
C- BUS接口
7，装置寻址
表5：
选择
位
设备
[1]
设备的地址码
器件代码
b7
[1]
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
最显着的位（MSB ） “ B7 ”发送网络连接RST 。
A2和A1的硬件选择引脚A0和软件选择引脚。
系统可以有多达四个PCF8594C - 2在同我的设备
2
C总线，
相当于一个16千比特EEPROM或512字节的内存4个设备。
A0选择较低的（逻辑电平“0” ）或更高（逻辑电平“1” ） 256字节页上的
所选设备。该装置被选中位A2和A1 。
科幻gure 3
示出了各种
地址和页面的组合。
I
2
C总线
PCF8594C-2
设备1
高校的256字节页
LOWER 256字节的页
PCF8594C-2
设备2
高校的256字节页
LOWER 256字节的页
PCF8594C-2
设备3
高校的256字节页
LOWER 256字节的页
PCF8594C-2
设备4
高校的256字节页
LOWER 256字节的页
002aaa260
A2
0
0
A1
0
0
A0
1
0
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0
1
1
1
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1
1
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1
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1
1
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1
1
0
图3.设备寻址。
9397 750 14221
皇家飞利浦电子股份有限公司2004版权所有。
产品数据
牧师05 - 2004年10月25日
5 21
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
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