飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
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