飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流2.0毫安
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
2- Kbit的组织为256的非易失性存储
×
8-bits
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力
- >500 K E特征/ W-周期在T
AMB
= 22
°C
40年非易失性数据保留时间（典型值）。
引脚和地址兼容
- PCX8570 ， PCF8571 ， PCF8572和PCF8581
- PCX8494X -2， PCX8598X -2 - 家庭。
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDW
电源电流擦/写
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDSB
电源电流待机
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
条件
描述
PCX8582X - 2系列
该PCX8582X -2是一个2千比特（256
×
8比特）的浮置栅极
电可擦除可编程只读存储器
（ EEPROM）中。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性比常规
EEPROM存储器。
功耗很低，由于全CMOS
技术的使用。产生编程电压
片上，用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCX8582X -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1， A2）。
擦/写周期的时序进行
在内部，因此无需外部元件。 7针
（PTC）必须连接在V
DD
或保持开路。
有使用外部时钟来计时的一个选项
长度的擦/写周期。
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
3.5
10
V
单位
A
A
mA
mA
A
A
1994年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCD8582D-2P
PCF8582E-2P
PCA8582F-2P
PCF8582C-2T
PCD8582D-2T
PCF8582E-2T
PCA8582F-2T
设备选择
表1
设备选择的代码
器件代码
b71
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
SO8
塑料小外形
包;
8线索;体宽3.9毫米
SOT96-1
包
名字
DIP8
描述
塑料双列直插式封装;
8引线（ 300万）
VERSION
SOT97-1
PCX8582X - 2系列
温度（℃）
分钟。
40
25
40
40
40
25
40
40
马克斯。
+85
+70
+85
+125
+85
+70
+85
+125
电压（V）
分钟。
2.5
3.0
4.5
4.5
2.5
3.0
4.5
4.5
马克斯。
6.0
6.0
5.5
5.5
6.0
6.0
5.5
5.5
选择
位
设备
记
1. B7 MSB首先发送。
表2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
耐力和数据保留的保证
设备
耐力东/西单车
500000
(1)
数据保存年
40
PCF8582C -2; PCA8582F - 2
记
1.在公布此数据表中的统计历史上还没有足够的时间，以保证10亿东/西
循环性能对这些类型。
1994年12月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
钉扎
符号
A0
A1
A2
V
SS
SDA
SCL
PTC
V
DD
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
地址输入0
地址输入1
地址输入2
负电源电压
串行数据输入/输出（I
2
C总线）
串行时钟输入（我
2
C总线）
编程时间控制输出
正电源电压
A1
A2
VSS
2
手册， halfpage
PCX8582X - 2系列
A0
1
8
7
PCX8582X-2
6
5
MBC792
V DD
PTC
SCL
SDA
3
4
图2引脚配置。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC134 ） 。
符号
V
DD
V
I
I
I
I
O
T
英镑
T
AMB
电源电压
在任何输入引脚电压
目前对任何输入引脚
输出电流
储存温度
工作环境温度
PCF8582C -2; PCF8582E - 2
PCD8582D-2
PCA8582F-2
40
25
40
+85
+70
+125
°C
°C
°C
|Z
I
| > 500
参数
条件
分钟。
0.3
V
SS
0.8
65
马克斯。
+7.0
V
DD
+ 0.8
1
10
+150
V
V
mA
mA
°C
单位
1994年12月
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流2.0毫安
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
2- Kbit的组织为256的非易失性存储
×
8-bits
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力
- >500 K E特征/ W-周期在T
AMB
= 22
°C
40年非易失性数据保留时间（典型值）。
引脚和地址兼容
- PCX8570 ， PCF8571 ， PCF8572和PCF8581
- PCX8494X -2， PCX8598X -2 - 家庭。
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDW
电源电流擦/写
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDSB
电源电流待机
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
条件
描述
PCX8582X - 2系列
该PCX8582X -2是一个2千比特（256
×
8比特）的浮置栅极
电可擦除可编程只读存储器
（ EEPROM）中。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性比常规
EEPROM存储器。
功耗很低，由于全CMOS
技术的使用。产生编程电压
片上，用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCX8582X -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1， A2）。
擦/写周期的时序进行
在内部，因此无需外部元件。 7针
（PTC）必须连接在V
DD
或保持开路。
有使用外部时钟来计时的一个选项
长度的擦/写周期。
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
3.5
10
V
单位
A
A
mA
mA
A
A
1994年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCD8582D-2P
PCF8582E-2P
PCA8582F-2P
PCF8582C-2T
PCD8582D-2T
PCF8582E-2T
PCA8582F-2T
设备选择
表1
设备选择的代码
器件代码
b71
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
SO8
塑料小外形
包;
8线索;体宽3.9毫米
SOT96-1
包
名字
DIP8
描述
塑料双列直插式封装;
8引线（ 300万）
VERSION
SOT97-1
PCX8582X - 2系列
温度（℃）
分钟。
40
25
40
40
40
25
40
40
马克斯。
+85
+70
+85
+125
+85
+70
+85
+125
电压（V）
分钟。
2.5
3.0
4.5
4.5
2.5
3.0
4.5
4.5
马克斯。
6.0
6.0
5.5
5.5
6.0
6.0
5.5
5.5
选择
位
设备
记
1. B7 MSB首先发送。
表2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
耐力和数据保留的保证
设备
耐力东/西单车
500000
(1)
数据保存年
40
PCF8582C -2; PCA8582F - 2
记
1.在公布此数据表中的统计历史上还没有足够的时间，以保证10亿东/西
循环性能对这些类型。
1994年12月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
钉扎
符号
A0
A1
A2
V
SS
SDA
SCL
PTC
V
DD
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
地址输入0
地址输入1
地址输入2
负电源电压
串行数据输入/输出（I
2
C总线）
串行时钟输入（我
2
C总线）
编程时间控制输出
正电源电压
A1
A2
VSS
2
手册， halfpage
PCX8582X - 2系列
A0
1
8
7
PCX8582X-2
6
5
MBC792
V DD
PTC
SCL
SDA
3
4
图2引脚配置。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC134 ） 。
符号
V
DD
V
I
I
I
I
O
T
英镑
T
AMB
电源电压
在任何输入引脚电压
目前对任何输入引脚
输出电流
储存温度
工作环境温度
PCF8582C -2; PCF8582E - 2
PCD8582D-2
PCA8582F-2
40
25
40
+85
+70
+125
°C
°C
°C
|Z
I
| > 500
参数
条件
分钟。
0.3
V
SS
0.8
65
马克斯。
+7.0
V
DD
+ 0.8
1
10
+150
V
V
mA
mA
°C
单位
1994年12月
5
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
1
特点
PCF85xxC -2家族
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力：百万擦除/写（ E / W）的周期为
T
AMB
= 22
°C
10年非易失性数据保留时间
引脚和地址兼容： PCF8570 ， PCF8571 ，
PCF8572和PCF8581 。
2
概述
低功耗CMOS ：
- 最大工作电流：
2.0毫安（ PCF8582C - 2 ）
2.5毫安（ PCF8594C - 2 ）
4.0毫安（ PCF8598C - 2 ）
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
非易失性存储器：
- 2千位组织为256
×
8位（ PCF8582C -2）的
- 4千位组织为512
×
8位（ PCF8594C -2）的
- 8千位组织1024
×
8位（ PCF8598C -2）的
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作：
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作：
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
3
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
该PCF85xxC -2是一个家族的浮动栅的电
可擦可编程只读存储器
存储器（EEPROM ）与2,4和8千位（256 ， 512和
1024
×
8位） 。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性相比
传统的EEPROM 。功耗很低，由于
全CMOS技术的使用。编程电压
片上生成，使用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCF85xxC -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1和A2）。
对E / W周期的时间进行内部，因此没有
外部元件。引脚7 （ PTC ）必须
连接在V
DD
或保持开路。有一个
使用外部时钟定时的长度的选项
东/西循环。
条件
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
0.8
2.5
1.0
4.0
3.5
10
单位
V
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
A
A
I
DDW
电源电流东/西
PCF8582C-2
PCF8594C-2
PCF8598C-2
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
V
DD
= 2.5 V
V
DD
= 6 V
I
DD （ STB ）
待机电源电流
1997年2月13日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
4
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCF8594C-2P
PCF8598C-2P
PCF8582C-2T
PCF8594C-2T
PCF8598C-2T
5
SO8
SO8
DIP8
塑料双列直插式封装; 8引线（ 300万）
包
名字
描述
PCF85xxC -2家族
VERSION
SOT97-1
塑料小外形封装; 8引线（直） ;体宽3.9毫米
塑料小外形封装; 8线索;体宽7.5毫米
SOT96-1
SOT176-1
设备选择
设备选择的代码
器件代码
b7
(1)
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
表1
选择
位
设备
记
1.最高有效位（ MSB ） “ B7 ”首先发送。
1997年2月13日
4
6
PCF85xxC -2家族
产品speci fi cation
图1框图。
手册，全页宽
1997年2月13日
框图
I
2
C-总线控制逻辑
字节
计数器
SEQUENCER
3
4
EE
控制
地址
高
注册
分频器
( 128)
字节
LATCH
（ 8字节）
地址
指针
8
EEPROM
VDD
8
飞利浦半导体
SCL
6
SDA
5
输入
滤波器
n
地址
开关
移
注册
256到1024
×
8位CMOS EEPROM的同
I
2
C- BUS接口
5
定时器
( 16)
7
PTC
A2
A1
A0
3
2
1
测试模式解码器
PCF85xxC-2
上电复位
振荡器
4
MGD927
VSS
在此框图销数字指的是PCF8582C -2。
对于PCF8594C - 2和PCF8598C - 2 ，请参见第7章。
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
特点
低功耗CMOS
- 最大工作电流2.0毫安
- 最大待机电流10
A
（在6.0 V）
典型的4
A
2- Kbit的组织为256的非易失性存储
×
8-bits
单电源与全面运作下，以2.5 V
片上电压倍增器
串行输入/输出I
2
C总线
写操作
- 字节写模式
8字节页写模式
（最大限度地降低每字节写入总时间）
读操作
连续读
- 随机读取
内部定时器写（无需外部元件）
上电复位
通过使用冗余存储代码可靠性高
耐力
- >500 K E特征/ W-周期在T
AMB
= 22
°C
40年非易失性数据保留时间（典型值）。
引脚和地址兼容
- PCX8570 ， PCF8571 ， PCF8572和PCF8581
- PCX8494X -2， PCX8598X -2 - 家庭。
快速参考数据
符号
V
DD
I
DDR
参数
电源电压
电源电流读
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDW
电源电流擦/写
f
SCL
= 100千赫
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
I
DDSB
电源电流待机
V
DD
= 3 V
V
DD
= 6 V
条件
描述
PCX8582X - 2系列
该PCX8582X -2是一个2千比特（256
×
8比特）的浮置栅极
电可擦除可编程只读存储器
（ EEPROM）中。通过使用内部冗余存储代码
它是容错的，以单个比特错误。此功能
极大地增加了可靠性比常规
EEPROM存储器。
功耗很低，由于全CMOS
技术的使用。产生编程电压
片上，用一个电压倍增器。
作为数据字节被接收到并通过串行发送
I
2
C总线，采用8引脚封装就足够了。最多
8 PCX8582X -2设备可以连接到所述
I
2
C总线。片选是由三个地址来完成
输入端（ A0，A1， A2）。
擦/写周期的时序进行
在内部，因此无需外部元件。 7针
（PTC）必须连接在V
DD
或保持开路。
有使用外部时钟来计时的一个选项
长度的擦/写周期。
分钟。
2.5
马克斯。
6.0
60
200
0.6
2.0
3.5
10
V
单位
A
A
mA
mA
A
A
1994年12月
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
订购信息
TYPE
数
PCF8582C-2P
PCD8582D-2P
PCF8582E-2P
PCA8582F-2P
PCF8582C-2T
PCD8582D-2T
PCF8582E-2T
PCA8582F-2T
设备选择
表1
设备选择的代码
器件代码
b71
1
b6
0
b5
1
b4
0
b3
A2
SO8
塑料小外形
包;
8线索;体宽3.9毫米
SOT96-1
包
名字
DIP8
描述
塑料双列直插式封装;
8引线（ 300万）
VERSION
SOT97-1
PCX8582X - 2系列
温度（℃）
分钟。
40
25
40
40
40
25
40
40
马克斯。
+85
+70
+85
+125
+85
+70
+85
+125
电压（V）
分钟。
2.5
3.0
4.5
4.5
2.5
3.0
4.5
4.5
马克斯。
6.0
6.0
5.5
5.5
6.0
6.0
5.5
5.5
选择
位
设备
记
1. B7 MSB首先发送。
表2
芯片使能
b2
A1
b1
A0
读/写
b0
读/写
耐力和数据保留的保证
设备
耐力东/西单车
500000
(1)
数据保存年
40
PCF8582C -2; PCA8582F - 2
记
1.在公布此数据表中的统计历史上还没有足够的时间，以保证10亿东/西
循环性能对这些类型。
1994年12月
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
256× 8位CMOS的EEPROM
与我
2
C- BUS接口
钉扎
符号
A0
A1
A2
V
SS
SDA
SCL
PTC
V
DD
针
1
2
3
4
5
6
7
8
描述
地址输入0
地址输入1
地址输入2
负电源电压
串行数据输入/输出（I
2
C总线）
串行时钟输入（我
2
C总线）
编程时间控制输出
正电源电压
A1
A2
VSS
2
手册， halfpage
PCX8582X - 2系列
A0
1
8
7
PCX8582X-2
6
5
MBC792
V DD
PTC
SCL
SDA
3
4
图2引脚配置。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC134 ） 。
符号
V
DD
V
I
I
I
I
O
T
英镑
T
AMB
电源电压
在任何输入引脚电压
目前对任何输入引脚
输出电流
储存温度
工作环境温度
PCF8582C -2; PCF8582E - 2
PCD8582D-2
PCA8582F-2
40
25
40
+85
+70
+125
°C
°C
°C
|Z
I
| > 500
参数
条件
分钟。
0.3
V
SS
0.8
65
马克斯。
+7.0
V
DD
+ 0.8
1
10
+150
V
V
mA
mA
°C
单位
1994年12月
5
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