PC929
PC929
s
特点
1.内置IGBT短路保护电路
2.内置的IGBT驱动器直接驱动电路
(峰值输出电流...我
O1P
, I
O2P
: MAX 。 0.4A )
3.高响应速度(T
PLH
, t
PHL
: MAX 。 0.5
s)
4.高绝缘电压(V
ISO
: 4000V
RMS
)
5.半管脚间距( P = 1.27毫米)封装类型
6.通过UL认证,文件号E64380
短路保护电路
内置的光电耦合器适用
对于逆变器驱动MOS -FET / IGBT
s
外形尺寸
14 13 12 11 10
9
8
g
TV ( VDE 0884 )认证的型号也可以作为一种选择。
(单位:毫米)
主
侧标志
1
2
3
4
5
6
7
s
应用
1. IGBT控制逆变器驱动器
9.22
6.5
PC929
7.62
3.5
0.35
14
-
0.6
12
-
1.27
0.26
1.0
10.0
1.0
内部连接图
14
13
12
11
10
9 8
1
2
3
4
5
6
7
阴极
阴极
阳极
NC
NC
NC
NC
8
9
10
11
12
13
14
FS
C
GND
O
2
O
1
V
CC
GND
s
绝对最大额定值
(大=范围Topr除非另有说明)
单位
mA
V
V
A
A
A
A
V
mW
V
mA
V
mA
mW
VRMS
C
C
C
不变
电压电路
IGBT保护
电路
接口
安培。
3
4
5
6
7
参数
符号
等级
*1
I
F
20
正向电流
输入
反向电压
V
R
6例(Ta = 25℃)
电源电压
V
CC
35
O
1
输出电流
0.1
I
O1
*4
I
O1P
0.4
O
1
峰值输出电流
O
2
输出电流
0.1
I
O2
*4
I
O2P
0.4
O
2
峰值输出电流
输出
1
输出电压
35
V
O1
*2
P
O
500
功耗
过电流检测电压
V
C
V
CC
过电流检测电流
I
C
30
误差信号输出电压V
FS
V
CC
误差信号输出电流
I
FS
20
*3
550
总功耗P
合计
*5
V
ISO
4 000
隔离电压
- 25 + 80
工作温度
T
OPR
- 55至+ 125
储存温度
T
英镑
焊接温度
T
SOL
260( 10秒)
端子4到7 :
短路的元素
1
2
* "OPIC" (光集成电路)是夏普公司的注册商标。
一个OPIC由一个光检测元件和信号处理电路的
集成到一个芯片上。
操作真值表显示下一个页面上。
* 1 ,2,3的减少的绝对最大的环境温度范围内。评级:图中所示为图1和图2 。
*4
脉冲宽度< = 0.15
s,
占空比= 0.01
*5
4060 %RH下,交流进行1分钟,钽= 25℃
“
在没有确认元器件规格说明书中,夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备,在目录显示不承担任何责任,
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本。
”
PC929
s
光电特性( 1 )
参数
输入
正向电压
反向电流
终端电容
工作电源电压
O
1
低电平输出电压
O
2
高电平输出电压
产量
O
2
低电平输出电压
漏电流
高水平的电源电流
低电平电源电流
*7
(大=范围Topr除非另有说明)
条件
分钟。
典型值。
T
a
= 25 ° C,I
F
= 10毫安
-
1.6
T
a
= 25 ° C,I
F
= 0.2毫安
1.2
1.5
T
a
= 25 ° C,V
R
= 5V
-
-
T
a
= 25 ,V = 0 , F = 1kHz时
-
30
T
a
= - 10 60℃下
15
-
-
15
-
V
CC1
= 12V, V
CC2
= - 12V
-
0.2
I
O1
= 0.1A ,我
F
= 5毫安
*8
V
CC
= V
O1
= 24V ,我
O2
= - 0.1A
20
22
I
F
= 5毫安
*8
V
CC
= V
O1
= 24V ,我
O2
= 0.1A ,我
F
= 0毫安* 8
-
1.2
-
-
T
a
= 25 ° C,V
CC
= V
O1
= 35V ,我
F
= 0毫安* 8
T
a
= 25 ° C,V
CC
= V
O1
= 24V ,我
F
= 5毫安* 8
-
10
V
CC
= V
O1
= 24V ,我
F
= 5毫安
-
-
*8
T
a
= 25 ° C,V
CC
= V
O1
= 24V ,我
F
= 0毫安* 8
-
11
-
-
V
CC
= V
O1
= 24V ,我
F
= 0毫安
*8
0.3
1.5
T
a
= 25 ° C,V
CC
= V
O1
= 24V
*8
0.2
-
V
CC
= V
O1
= 24V
*8
10
T
a
= 25 , DC500V , 40 to60 %RH
5 x 10
1 x 10
11
-
0.3
T
a
= 25 ° C,V
CC
= V
O1
= 24V
-
0.3
R
G
= 47 , C
G
= 3 000pF ,我
F
= 5毫安
-
0.2
*8
-
0.2
T
a
= 25 ° C,V
CC
= V
O1
= 24V ,我
F
= 5毫安
- 1 500
-
V
CM
= 600V (峰值),
V
O2H
= 2.0V *8
T
a
= 25 ° C,V
CC
= V
O1
= 24V ,我
F
= 0毫安
1 500
-
V
CM
= 600V (峰值),
V
O2L
= 2.0V *8
马克斯。
1.75
-
10
250
30
24
0.4
-
2.0
500
17
19
18
20
3.0
5.0
-
0.5
0.5
0.5
0.5
-
-
单位
V
V
A
pF
V
V
V
V
V
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
s
s
s
s
V/
s
(7)
V/
s
测量
电路
符号
V
F1
V
F2
I
R
C
t
V
CC
V
O1L
V
O2H
V
O2L
V
O1L
I
CCH
I
CCL
I
FLH
R
ISO
t
PLH
t
PHL
t
r
t
f
CM
H
CM
L
-
-
-
-
-
(1)
(2)
(3)
(4)
(6)
"Low → High"
阈值输入电流
(5)
-
传输特性
绝缘电阻
"Low → High"传播延迟时间
"High → Low"传播延迟时间
上升时间
下降时间
瞬时共模抑制
电压"Output :高level"
瞬时共模抑制
电压"Output :低level"
响应时间
(8)
* 6当测量输出和传输特性,连接一个旁路电容( 0.01
V的F以上)
CC
13和14接地装置附近。
*7 I
FLH
表示当输出变为从"Low"到"High"正向电流。
* 8 FS = OPEN ,V
C
=0V
s
真值表
输入
ON
关闭
C输入/输出
低层
高层
低层
高层
O
2
产量
高层
低层
低层
低层
FS输出
高层
低层
高层
高层
为了保护操作
PC929
s
电光特性( 2)
*9
(大=范围Topr除非另有说明)
条件
T
a
= 25 ° C,I
F
= 5毫安
V
CC
= V
01
= 24V ,R
G
= 47
C
G
= 3 000pF , FS = OPEN
T
a
= 25C
V
CC
= V
01
= 24V ,我
F
= 5毫安
C
G
= 3 000pF ,R
G
= 47
C
P
= 1 000pF ,R
C
= 1k
FS =打开
T
a
= 25 ° C,I
F
= 5毫安,我
FS
= 10毫安
V
CC
= V
O1
= 24V ,R
G
= 47 , C
G
= 3 000pF ,
C = OPEN
T
a
= 25 ° C,I
F
= 5毫安,V
FS
= 24V
V
CC
= V
O1
= 24V ,R
G
= 47 , C
G
= 3 000pF ,
V
C
= 0V
T
a
= 25 ° C,R
FS
= 1.8k
V
CC
= V
O1
= 24V ,我
F
= 5毫安
C
G
= 3 000pF ,R
G
= 47
C
P
= 1 000pF ,R
C
= 1k
分钟。典型值。马克斯。
V
CC
- V
CC
- V
CC
-
6.5
6.0
5.5
1
2
3
-
2
-
-
4
5
-
0.2
10
-
2
0.4
单位
V
V
s
s
V
V
(10)
(11)
(13)
测试电路
(9)
保护输出过流
发现
*10
参数
过电流检测电压
过电流检测电压
滞后幅度
O
2
"High → Low"延迟时间
为防止过流
O
2
下降时间在保护
过流
O
2
输出电压保护
过流
低级别的错误
信号电压
高水平的错误
信号电流
误差信号"High → Low"
延迟时间
误差信号输出脉冲宽度
符号
V
CTH
V
CHIS
t
pcoHL
t
pcotf
V
OE
V
FSL
*9
*9
误差信号输出
I
FSH
t
pCFHL
t
FS
-
-
20
-
1
35
100
5
-
A
s
(12)
(14)
s
* 9当测量过电流,保护输出和误差信号的输出特性,连接一个旁路电容器(0.01
V的F以上)
CC
13和14接地装置附近。
*10 V
CTH
表示C端电压O时
2
输出变为从"High"到"Low" 。
图。 1正向电流与环境
温度
60
图。 2功耗与环境
温度
600
550
50
功耗P合计,宝(MW )
0
25
50
75 80
100
125
500
正向电流I
F
(MA )
40
400
30
300
20
200
10
0
- 25
100
0
- 25
0
25
50
75 80
100
125
环境温度Ta (C )
环境温度Ta (C )