【PC812PC812s特点1.高降噪（共模抑制电压VCM： TYP 。 1.5KV在dV/ DT =】,IC型号PC812C,PC812C PDF资料,PC812C经销商,ic,电子元器件-51电子网

PC812

s

特点

1.高降噪

（共模抑制电压

V

CM

： TYP 。 1.5KV在d

V

/ DT = 2kV的/

s,

R

L

= 470

, V

np

= 100mV的）

2.高电流传输比

（ CTR ：最小90 ％，在我

F

= 5毫安，V

CE

= 5V)

输入和3之间的高隔离电压

输出（Ⅴ

ISO

: 5 000V

RMS

)

4.紧凑型双列直插式封装

高抗噪音型

光电耦合器

s

外形尺寸

点击率排名大关

（单位：毫米）

内部连接

图

4

3

4

2.54

±

0.25

3

6.5

±

0.5

阳极大关

PC812

1

0.9

±

0.2

1.2

±

0.3

4.58

±

0.5

0.5TYP.

3.5

±

0.5

2

1

2

阳极

阴极

2

3

4

辐射源

集热器

7.62

±

0.3

s

应用

1.电机控制电路

2.计算机终端

3.系统设备，测量仪器

4.电路之间的信号传输

不同的潜能和阻抗

3.0

±

0.5

±

0.1

θ

=

0到13

θ

0.26

±

0.1

s

绝对最大额定值

参数

正向电流

*1

最大正向电流

反向电压

功耗

集电极 - 发射极电压

发射极 - 集电极电压

集电极电流

集电极耗散功率

总功耗

*2

隔离电压

工作温度

储存温度

*3

焊接温度

符号

I

F

I

FM

V

R

P

V

首席执行官

V

ECO

I

C

P

C

P

合计

V

ISO

T

OPR

T

英镑

T

SOL

( T

a

= 25C )

等级

50

1

6

70

35

6

50

150

200

5 000

- 30至+ 100

- 55至+ 125

260

单位

mA

A

V

mW

V

mA

mW

V

RMS

C

输入

产量

* 1脉冲宽度< = 100

S，占空比： 0.001

* 2 4060 ％RH下，交流进行1分钟

* 3在10秒

“

在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，

数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本。

”

PC812

s

光电特性

参数

符号

条件

分钟。

正向电压

V

F

-

I

F

= 20mA下

-

峰值正向电压

V

F M

I

F M

= 0.5A

-

反向电流

I

R

V

R

= 4V

-

终端电容

C

t

V = 0 ， F = 1kHz时

-

集电极暗电流

I

首席执行官

V

CE

= 20V ，我

F

= 0

*4

（C T） R I

F

= 5毫安，V

CE

= 5V

90

电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）

I

F

= 20mA时，我

C

= 1毫安

-

5 x 10

10

绝缘电阻

R

ISO

DC500V ， 40 60％RH的

V = 0 ， F = 1MHz的

-

杂散电容

C

f

V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安，R

L

= 100

,

- 3分贝

15

截止频率

f

c

上升时间

-

t

r

*4

响应时间

V

CE

= 2V ，我

C

= 2毫安，R

L

= 100

-

下降时间

t

f

*5

共模电压抑制

-

V

CM

d

V

/ DT = 2kV的/

之间，R

L

= 470

,

V

np

= 100mV的，我

F

= 0

* 5测试电路V

CM

模型

秩

号

标志

PC812A

A

PC812B

B

PC812C

C

PC812

A， B○ R C

测量

条件

CTR （％）

90至180

150至180

240 480

90 480

I = 5毫安

V

CE

= 5V

T

a

= 25C

t

r

(

s)

t

f

(

s)

TYP 。 MAX 。 TYP 。 MAX 。

3

14

4

16

4

16

5

18

5

18

7

20

4

18

5

20

V

CE

= 2V

I

C

= 2毫安

R

L

= 100

T

a

= 25C

典型值。

1.2

-

30

-

0.1

10

11

0.6

80

4

5

1.5

（大= 25℃）

马克斯。

1.4

3.0

10

200

10

- 7

480

0.2

-

1.0

-

18

20

-

单位

V

A

pF

A

%

V

pF

千赫

s

kV

输入

产量

转让

字符

开创性意义

*的电流传输比4分类表如下所示。

V

CC

=

9V

R

L

VNP

V

CM

V

CM

:

共模抑制

电压

（脉搏波高值）

d

V

/ DT

:

电压的上升因素

测试条件

V

np

=

为100mV ，R

L

=

470

d

V

/ DT

=

2kV/

S，I

F

=

0

图。 1正向电流与

环境温度

60

图。 2集电极耗散功率对比

环境温度

200

（ mW）的

C

50

（MA ）

40

30

集电极耗散功率P

0

25

50

75

a

150

正向电流I

F

100

20

50

10

0

- 30

100

( C )

125

0

- 30

0

25

50

75

a

100

( C )

125

环境温度T

PC812

图。 3峰值正向电流与占空比

10 000

最大正向电流I

FM

（MA ）

5 000

2 000

1 000

500

200

100

50

20

10

5

图。 4正向电流与正向电压

500

200

正向电流I

F

（MA ）

100

50

20

10

5

2

1

T

a

= 75C

50C

25C

0C

- 25C

脉冲宽度< = 100

s

T

a

= 25C

10

-3

2

5

10

-2

2

5

10

-1

2

5

1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

占空比

正向电压V

F

( V )

图。 5电流传输比主场迎战

正向电流

500

V

CE

= 5V

T

a

= 25C

电流传输比CTR （％）

图。 6集电极电流 -

集电极 - 发射极电压

40

I

F

= 30毫安

35

（MA ）

30

25

20

15

10

5mA

20mA

10mA

P

C

（ MAX 。）

T

a

= 25C

400

300

200

100

5

0

1

2

5

10

20

50

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

正向电流I

F

（MA ）

集电极电流I

C

集电极 - 发射极电压V

CE

( V )

图。 7相电流传输比主场迎战

环境温度

150

I

F

= 5毫安

V

CE

= 5V

图。 8集电极 - 发射极饱和电压

- 环境温度

0.16

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）

( V )

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

I

F

= 20mA下

I

C

= 1毫安

相对电流传输比（％）

100

50

0

- 30

0

25

50

75

100

125

环境温度T

a

( C )

PC812

图。 9集电极暗电流与

环境温度

10

集电极暗电流I

首席执行官

( A )

-6

图10响应时间与负载电阻

500

200

100

50

响应时间（

s )

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.01

t

f

t

r

t

s

t

d

V

CE

= 2V

I

C

= 2毫安

T

a

= 25C

5

V

CE

= 20V

-7

5

10

-8

5

10

-9

5

10

- 10

5

- 11

5

10

- 12

- 30

0

100 120 140

环境温度T

a

( C )

40

60

80

20

0.1

1

10

负载阻抗R

L

( k

)

50

图11频率响应

测试电路的响应时间

0

电压增益A

v

（ dB）的

V

CE

= 5V

I

C

= 2毫安

T

a

= 25C

V

CC

-5

100

- 10

R

L

= 10k

1k

t

d

t

r

t

s

t

f

输入

R

D

R

L

产量

输入

产量

10%

90%

- 15

- 20

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

500

频率f（ kHz）的

图12集电极 - 发射极饱和电压与

正向电流

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）

( V )

8

7

6

3mA

5

5mA

4

7mA

3

2

1

0

I

C

- 0.5毫安

1mA

T

a

= 25C

测试电路Frepuency响应

V

CC

R

D

R

L

产量

q

请参考章节

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

“使用注意事项”

正向电流I

F

（MA ）

PC812

s

特点

1.高降噪

（共模抑制电压

V

CM

： TYP 。 1.5KV在d

V

/ DT = 2kV的/

s,

R

L

= 470

, V

np

= 100mV的）

2.高电流传输比

（ CTR ：最小90 ％，在我

F

= 5毫安，V

CE

= 5V)

输入和3之间的高隔离电压

输出（Ⅴ

ISO

: 5 000V

RMS

)

4.紧凑型双列直插式封装

高抗噪音型

光电耦合器

s

外形尺寸

点击率排名大关

（单位：毫米）

内部连接

图

4

3

4

2.54

±

0.25

3

6.5

±

0.5

阳极大关

PC812

1

0.9

±

0.2

1.2

±

0.3

4.58

±

0.5

0.5TYP.

3.5

±

0.5

2

1

2

阳极

阴极

2

3

4

辐射源

集热器

7.62

±

0.3

s

应用

1.电机控制电路

2.计算机终端

3.系统设备，测量仪器

4.电路之间的信号传输

不同的潜能和阻抗

3.0

±

0.5

±

0.1

θ

=

0到13

θ

0.26

±

0.1

s

绝对最大额定值

参数

正向电流

*1

最大正向电流

反向电压

功耗

集电极 - 发射极电压

发射极 - 集电极电压

集电极电流

集电极耗散功率

总功耗

*2

隔离电压

工作温度

储存温度

*3

焊接温度

符号

I

F

I

FM

V

R

P

V

首席执行官

V

ECO

I

C

P

C

P

合计

V

ISO

T

OPR

T

英镑

T

SOL

( T

a

= 25C )

等级

50

1

6

70

35

6

50

150

200

5 000

- 30至+ 100

- 55至+ 125

260

单位

mA

A

V

mW

V

mA

mW

V

RMS

C

输入

产量

* 1脉冲宽度< = 100

S，占空比： 0.001

* 2 4060 ％RH下，交流进行1分钟

* 3在10秒

“

在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，

数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本。

”

PC812

s

光电特性

参数

符号

条件

分钟。

正向电压

V

F

-

I

F

= 20mA下

-

峰值正向电压

V

F M

I

F M

= 0.5A

-

反向电流

I

R

V

R

= 4V

-

终端电容

C

t

V = 0 ， F = 1kHz时

-

集电极暗电流

I

首席执行官

V

CE

= 20V ，我

F

= 0

*4

（C T） R I

F

= 5毫安，V

CE

= 5V

90

电流传输比

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）

I

F

= 20mA时，我

C

= 1毫安

-

5 x 10

10

绝缘电阻

R

ISO

DC500V ， 40 60％RH的

V = 0 ， F = 1MHz的

-

杂散电容

C

f

V

CE

= 5V ，我

C

= 2毫安，R

L

= 100

,

- 3分贝

15

截止频率

f

c

上升时间

-

t

r

*4

响应时间

V

CE

= 2V ，我

C

= 2毫安，R

L

= 100

-

下降时间

t

f

*5

共模电压抑制

-

V

CM

d

V

/ DT = 2kV的/

之间，R

L

= 470

,

V

np

= 100mV的，我

F

= 0

* 5测试电路V

CM

模型

秩

号

标志

PC812A

A

PC812B

B

PC812C

C

PC812

A， B○ R C

测量

条件

CTR （％）

90至180

150至180

240 480

90 480

I = 5毫安

V

CE

= 5V

T

a

= 25C

t

r

(

s)

t

f

(

s)

TYP 。 MAX 。 TYP 。 MAX 。

3

14

4

16

4

16

5

18

5

18

7

20

4

18

5

20

V

CE

= 2V

I

C

= 2毫安

R

L

= 100

T

a

= 25C

典型值。

1.2

-

30

-

0.1

10

11

0.6

80

4

5

1.5

（大= 25℃）

马克斯。

1.4

3.0

10

200

10

- 7

480

0.2

-

1.0

-

18

20

-

单位

V

A

pF

A

%

V

pF

千赫

s

kV

输入

产量

转让

字符

开创性意义

*的电流传输比4分类表如下所示。

V

CC

=

9V

R

L

VNP

V

CM

V

CM

:

共模抑制

电压

（脉搏波高值）

d

V

/ DT

:

电压的上升因素

测试条件

V

np

=

为100mV ，R

L

=

470

d

V

/ DT

=

2kV/

S，I

F

=

0

图。 1正向电流与

环境温度

60

图。 2集电极耗散功率对比

环境温度

200

（ mW）的

C

50

（MA ）

40

30

集电极耗散功率P

0

25

50

75

a

150

正向电流I

F

100

20

50

10

0

- 30

100

( C )

125

0

- 30

0

25

50

75

a

100

( C )

125

环境温度T

PC812

图。 3峰值正向电流与占空比

10 000

最大正向电流I

FM

（MA ）

5 000

2 000

1 000

500

200

100

50

20

10

5

图。 4正向电流与正向电压

500

200

正向电流I

F

（MA ）

100

50

20

10

5

2

1

T

a

= 75C

50C

25C

0C

- 25C

脉冲宽度< = 100

s

T

a

= 25C

10

-3

2

5

10

-2

2

5

10

-1

2

5

1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

占空比

正向电压V

F

( V )

图。 5电流传输比主场迎战

正向电流

500

V

CE

= 5V

T

a

= 25C

电流传输比CTR （％）

图。 6集电极电流 -

集电极 - 发射极电压

40

I

F

= 30毫安

35

（MA ）

30

25

20

15

10

5mA

20mA

10mA

P

C

（ MAX 。）

T

a

= 25C

400

300

200

100

5

0

1

2

5

10

20

50

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

正向电流I

F

（MA ）

集电极电流I

C

集电极 - 发射极电压V

CE

( V )

图。 7相电流传输比主场迎战

环境温度

150

I

F

= 5毫安

V

CE

= 5V

图。 8集电极 - 发射极饱和电压

- 环境温度

0.16

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）

( V )

0.14

0.12

0.10

0.08

0.06

0.04

0.02

0

- 30

0

20

40

60

80

环境温度T

a

( C )

100

I

F

= 20mA下

I

C

= 1毫安

相对电流传输比（％）

100

50

0

- 30

0

25

50

75

100

125

环境温度T

a

( C )

PC812

图。 9集电极暗电流与

环境温度

10

集电极暗电流I

首席执行官

( A )

-6

图10响应时间与负载电阻

500

200

100

50

响应时间（

s )

20

10

5

2

1

0.5

0.2

0.1

0.01

t

f

t

r

t

s

t

d

V

CE

= 2V

I

C

= 2毫安

T

a

= 25C

5

V

CE

= 20V

-7

5

10

-8

5

10

-9

5

10

- 10

5

- 11

5

10

- 12

- 30

0

100 120 140

环境温度T

a

( C )

40

60

80

20

0.1

1

10

负载阻抗R

L

( k

)

50

图11频率响应

测试电路的响应时间

0

电压增益A

v

（ dB）的

V

CE

= 5V

I

C

= 2毫安

T

a

= 25C

V

CC

-5

100

- 10

R

L

= 10k

1k

t

d

t

r

t

s

t

f

输入

R

D

R

L

产量

输入

产量

10%

90%

- 15

- 20

0.5

1

2

5

10

20

50

100

200

500

频率f（ kHz）的

图12集电极 - 发射极饱和电压与

正向电流

集电极 - 发射极饱和电压V

CE （SAT）

( V )

8

7

6

3mA

5

5mA

4

7mA

3

2

1

0

I

C

- 0.5毫安

1mA

T

a

= 25C

测试电路Frepuency响应

V

CC

R

D

R

L

产量

q

请参考章节

0

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

“使用注意事项”

正向电流I

F

（MA ）

应用电路

通告

q用于

提供本出版物中的电路应用实例来解释代表性的应用

夏普元器件，不应以保证任何电路设计或许可任何知识产权

权。 SHARP需要对有关的任何知识产权的任何问题概不负责

第三方因使用夏普的设备产生的。

qContact

夏普在使用任何夏普元器件之前获取最新的元器件规格说明书。

SHARP保留更改的规格，特性，数据，材料的权利，

本文中所描述的结构，和其它内容在任何时候不通知，以便改进设计或

可靠性。生产基地也随时更改，恕不另行通知。

qObserve

在使用本出版物中的任何设备以下几点。夏普概不负责

对于使用不当造成的设备不符合条件的，绝对伤害

使用最高等级的相关规格表中规定，也不符合以下

条件：

（ i）本出版物中的装置被设计用于通用电子设备的设计，如使用：

---个人电脑

---办公自动化设备

---电信设备[端]

---试验和测量设备

---工业控制

---视听设备

---消费类电子产品

（二）采取措施，如失效保护功能和冗余设计，应采取措施，确保可靠性和

当夏普元器件被用于或与设备连接的安全性要求较高的

可靠性如：

---交通控制和安全设备（如飞机，火车，汽车等）。

---交通信号

---燃气泄漏传感器断路器

---报警设备

---各种安全装置等

（三）夏普元器件，不得用于或与设备的连接，需要一个非常

高的可靠性和安全性，例如：

---空间应用

---电信设备[干线]

---核电控制设备

---医疗等生活配套设备（如水肺）。

qContact

拟使用任何"specific" SHARP设备时，请与夏普代表提前

应用比推荐的夏普或者还不清楚哪一类提到的其他

上述控制预期用途。

QIF

本出版物中列出的SHARP设备属于战略性产品中所描述的范围之内

外汇及日本的外贸管理法，就必须取得批准出口

如夏普元器件。

qThis

版权法，本出版物的任何部分不得复制或以任何形式或通过任何传输

装置，电子的或机械的，用于任何用途，在全部或部分，而不明确的书面

夏普的许可。快递也需书面许可，任何使用本出版物之前

可以由第三者进行。

qContact

并用锋利的代表协商，如果有关于这个的内容有任何疑问

出版。

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