PC3SF21YVZ系列
PC3SF21YVZ
系列
V
DRM
： 600V ，加强绝缘型
零交叉型
DIP 6PIN
可控硅耦合器触发
非零交叉型也可用。
(PC3SF11YVZ
系列）
■
描述
PC3SF21YVZ系列
加强绝缘型
可控硅耦合器包括一个红外发光二极管
（ IRED ）光耦合到一个输出可控硅。
这些器件具有全波控制的，
理想的隔离驱动程序中，高电流双向晶闸管。
DIP封装提供5.0kV隔离输入
输出具有超强的交换抗干扰能力。
■
机构认证/合规
1.通过UL1577 （双重保护隔离）认可，
文件号E64380 （如型号
3SF21)
2.通过CSA认证，文件号CA95323 （如型号
3SF21)
3.通过BSI认证： BS- EN60065 ，文件编号6690 / BS-
EN60950 ，编号7421的文件， （如型号
3SF21)
4. SEMKO ， EN60065 / EN60950 ，文件号文核准
0033029 （如型号
3SF21)
5. DEMKO ， EN60065 / EN60950 ，文件号文核准
310107 （如型号
3SF21)
6. FIMKO ， EN60065 / EN60950 ，文件号文核准
15795 （如型号
3SF21)
7.批准通过VDE
(
)
（ DIN EN 60747-5-2 ） ，文件编号
40008189 （如型号
3SF21)
8.包装树脂： UL阻燃等级（ 94V- 0 ）
()
■
特点
1.高重复峰值断态电压（V
DRM
: 600V)
2.零交叉功能（V
OX
： MAX 。 20V ）
3. I
FT
排在这可用（见车型阵容节
数据表）
4. 6引脚DIP封装
5.加强绝缘型（ MIN 。 0.4毫米内部
分离）
6.卓越的抗噪声能力（的dV / dt ： MIN 1 000V /μs的）
7.无铅组件也可（请参阅模型
在此资料阵容节）
8.双转移模具制造（理想的流量
焊接）
输入和输出之间9.高隔离电压
(V
ISO
（RMS ） ： 5.0kV ）
DIN EN60747-5-2 ： DIN VDE0884的接班人标准
最新的代码"RD" （ 2003年12月） ， DIN批准
VDE0884.
从日期代码"S1" （ 2004年1月） ， DIN批准
EN60747-5-2.
■
应用
1.用于触发双向可控硅用来打开和关闭
需要交流负载设备。
例如加热器，风机，电机，电磁阀和
阀门。
2. AC线控制在电源应用中。
注意数据表的内容如有更改，恕不另行通知。
在没有CON连接细则第十五通过特定的设备连接阳离子表，夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录，数据手册等所刊载的设备。
1
表号： D2- A08101EN
日期三月31， 2004
夏普公司
PC3SF21YVZ系列
■
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
参数
符号
等级
单位
I
F
50
mA
正向电流
输入
V
R
6
V
反向电压
I
T
（ RMS）
0.1
A
RMS通态电流
*3
产量
峰值一个周期浪涌电流
1.2
I
浪涌
A
600
V
重复峰值断态电压V
DRM
*1
5.0
V
ISO
（ RMS）
kV
隔离电压
30
to
+100
T
OPR
C
工作温度
55
to
+125
T
英镑
C
储存温度
*2
270
*4
T
SOL
C
焊接温度
* 1 4060 ％RH下，交流时间1分钟中，f = 60Hz的
* 2 10秒
* 3 F = 50Hz正弦波
* 4铅焊料电镀型号： 260C
焊接区
■
光电特性
参数
正向电压
输入
反向电流
Repentitive峰值断态电流
通态电压
产量
保持电流
断态电压临界上升率
过零电压
转最小触发电流
字符
开创性意义绝缘电阻
开启时间
A级
等级B
符号
V
F
I
R
I
DRM
V
T
I
H
dv / dt的
V
OX
I
FT
R
ISO
t
on
条件
I
F
=20mA
V
R
=3V
V
D
=V
DRM
I
T
=0.1A
V
D
=4V
V
D
=1/√
2
·V
DRM
I
F
=15mA,
阻性负载
V
D
=4V,
R
L
=100
DC500V ， 40 60％RH的
V
D
=4V,
R
L
=100,
I
F
=20mA
MIN 。 TYP 。
1.2
0.1
1 000 2 000
5×10
10
10
11
1mm
(T
a
=25C)
马克斯。
1.4
10
1
2.5
3.5
20
10
7
50
单位
V
A
A
V
mA
V / μs的
V
mA
s
表号： D2- A08101EN
4
PC3SF21YVZ系列
PC3SF21YVZ
系列
V
DRM
： 600V ，加强绝缘型
零交叉型
DIP 6PIN
可控硅耦合器触发
非零交叉型也可用。
(PC3SF11YVZ
系列）
■
描述
PC3SF21YVZ系列
加强绝缘型
可控硅耦合器包括一个红外发光二极管
（ IRED ）光耦合到一个输出可控硅。
这些器件具有全波控制的，
理想的隔离驱动程序中，高电流双向晶闸管。
DIP封装提供5.0kV隔离输入
输出具有超强的交换抗干扰能力。
■
机构认证/合规
1.通过UL1577 （双重保护隔离）认可，
文件号E64380 （如型号
3SF21)
2.通过CSA认证，文件号CA95323 （如型号
3SF21)
3.通过BSI认证： BS- EN60065 ，文件编号6690 / BS-
EN60950 ，编号7421的文件， （如型号
3SF21)
4. SEMKO ， EN60065 / EN60950 ，文件号文核准
0033029 （如型号
3SF21)
5. DEMKO ， EN60065 / EN60950 ，文件号文核准
310107 （如型号
3SF21)
6. FIMKO ， EN60065 / EN60950 ，文件号文核准
15795 （如型号
3SF21)
7.批准通过VDE
(
)
（ DIN EN 60747-5-2 ） ，文件编号
40008189 （如型号
3SF21)
8.包装树脂： UL阻燃等级（ 94V- 0 ）
()
■
特点
1.高重复峰值断态电压（V
DRM
: 600V)
2.零交叉功能（V
OX
： MAX 。 20V ）
3. I
FT
排在这可用（见车型阵容节
数据表）
4. 6引脚DIP封装
5.加强绝缘型（ MIN 。 0.4毫米内部
分离）
6.卓越的抗噪声能力（的dV / dt ： MIN 1 000V /μs的）
7.无铅组件也可（请参阅模型
在此资料阵容节）
8.双转移模具制造（理想的流量
焊接）
输入和输出之间9.高隔离电压
(V
ISO
（RMS ） ： 5.0kV ）
DIN EN60747-5-2 ： DIN VDE0884的接班人标准
最新的代码"RD" （ 2003年12月） ， DIN批准
VDE0884.
从日期代码"S1" （ 2004年1月） ， DIN批准
EN60747-5-2.
■
应用
1.用于触发双向可控硅用来打开和关闭
需要交流负载设备。
例如加热器，风机，电机，电磁阀和
阀门。
2. AC线控制在电源应用中。
注意数据表的内容如有更改，恕不另行通知。
在没有CON连接细则第十五通过特定的设备连接阳离子表，夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录，数据手册等所刊载的设备。
1
表号： D2- A08101EN
日期三月31， 2004
夏普公司
PC3SF21YVZ系列
■
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
参数
符号
等级
单位
I
F
50
mA
正向电流
输入
V
R
6
V
反向电压
I
T
（ RMS）
0.1
A
RMS通态电流
*3
产量
峰值一个周期浪涌电流
1.2
I
浪涌
A
600
V
重复峰值断态电压V
DRM
*1
5.0
V
ISO
（ RMS）
kV
隔离电压
30
to
+100
T
OPR
C
工作温度
55
to
+125
T
英镑
C
储存温度
*2
270
*4
T
SOL
C
焊接温度
* 1 4060 ％RH下，交流时间1分钟中，f = 60Hz的
* 2 10秒
* 3 F = 50Hz正弦波
* 4铅焊料电镀型号： 260C
焊接区
■
光电特性
参数
正向电压
输入
反向电流
Repentitive峰值断态电流
通态电压
产量
保持电流
断态电压临界上升率
过零电压
转最小触发电流
字符
开创性意义绝缘电阻
开启时间
A级
等级B
符号
V
F
I
R
I
DRM
V
T
I
H
dv / dt的
V
OX
I
FT
R
ISO
t
on
条件
I
F
=20mA
V
R
=3V
V
D
=V
DRM
I
T
=0.1A
V
D
=4V
V
D
=1/√
2
·V
DRM
I
F
=15mA,
阻性负载
V
D
=4V,
R
L
=100
DC500V ， 40 60％RH的
V
D
=4V,
R
L
=100,
I
F
=20mA
MIN 。 TYP 。
1.2
0.1
1 000 2 000
5×10
10
10
11
1mm
(T
a
=25C)
马克斯。
1.4
10
1
2.5
3.5
20
10
7
50
单位
V
A
A
V
mA
V / μs的
V
mA
s
表号： D2- A08101EN
4
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