PC3H510NIP0F
PC3H510NIP0F
4通道封装形式也可以。
(型号
PC3Q510NIP0F)
微型扁平半间距封装,
达林顿晶体管输出,
低输入电流
光电耦合器
■
描述
PC3H510NIP0F
包含一个红外发光二极管光耦合
到一个光电晶体管。
它封装在一个4针mini-平,半间距类型。
输入输出隔离电压(有效值)为2.5kV的。
CTR是MIN 。 600%在0.5毫安的输入电流。
■
机构认证/合规
1.通过UL1577 (双重保护隔离)认可,
文件号E64380 (如型号
PC3H51)
2.包装树脂: UL阻燃等级( 94V- 0 )
■
应用
1.可编程控制器
2.传真机
3.电话
■
特点
1. 4针微型扁平半间距封装(引脚间距:
1.27mm)
2.双击压注模封装(非常适合流
焊接)
3.低输入电流型(I
F
=0.5mA)
4.达林顿晶体管输出( CTR : MIN 600 %
在我
F
=0.5mA,
V
CE
=2V)
(输入和输出之间5.隔离电压V
异( rms)的
:
2.5kV)
6.无铅和RoHS指令标准
注意数据表的内容如有更改,恕不另行通知。
在没有CON连接细则第十五通过特定的设备连接阳离子表,夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录,数据手册等所刊载的设备。
1
表号: D2- A02302EN
日期六月30, 2005
夏普公司
PC3H510NIP0F
■
绝对最大额定值
参数
符号
正向电流
I
F
*1
最大正向电流
I
FM
反向电压
V
R
功耗
P
集电极 - 发射极电压V
首席执行官
发射极 - 集电极电压V
ECO
I
C
集电极电流
集电极耗散功率
P
C
P
合计
总功耗
T
OPR
工作温度
T
英镑
储存温度
*2
隔离电压
V
异( rms)的
*3
焊接温度
T
SOL
(T
a
=25C)
等级
单位
10
mA
200
mA
V
6
15
mW
V
35
6
V
80
mA
150
mW
170
mW
30
to
+100
C
40
to
+125
C
2.5
kV
260
C
* 1脉冲width≤100μs ,占空比: 0.001
* 2 4060 %RH下,交流,1分钟中,f = 60Hz的
* 3 10秒
■
光电特性
参数
符号
正向电压
V
F
I
R
反向电流
终端电容
C
t
集电极暗电流
I
首席执行官
集电极 - 发射极击穿电压BV
首席执行官
发射极 - 集电极击穿电压BV
ECO
电流传输比
I
C
集电极 - 发射极饱和电压V
CE (SAT)
绝缘电阻
R
ISO
杂散电容
C
f
上升时间
t
r
响应时间
下降时间
t
f
条件
I
F
=5mA
V
R
=4V
V = 0 , F = 1kHz时
V
CE
=10V,
I
F
=0
I
C
=0.1mA,
I
F
=0
I
E
=10A,
I
F
=0
I
F
=0.5mA,
V
CE
=2V
I
F
=1mA,
I
C
=2mA
DC500V , 40 60%RH的
V = 0 , F = 1MHz的
产量
输入
输入
产量
转让
字符
开创性意义
V
CE
=2V,
I
C
=10mA,
R
L
=100
分钟。
35
6
3
5×10
10
典型值。
1.2
30
14
1×10
11
0.6
60
53
马克斯。
1.4
10
250
1000
60
1.0
1.0
300
250
(T
a
=25C)
单位
V
A
pF
nA
V
V
mA
V
pF
s
s
表号: D2- A02302EN
4