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PC355NT
PC355NT
s
特点
1.高电流传输比
（ CTR ： MIN 600在I ％
F
= 1mA时， V
CE
= 2V)
2.不透明型，微型扁平封装
PC355NT
（ 1通道）
3. Subminirature类型
（体积比的较小我们
通过尽可能30％的常规的DIP型）
输入和输出之间4.隔离电压
PC355NT
维索： 3 750V
RMS
5.通过UL认证（编号E64380 ）
微型扁平封装，
高灵敏度光电耦合器
s
外形尺寸
PC355NT
2.54
±
0.25
4
355
1
阳极
标志
2
0.4
±
0.1
0.1
±
0.1
2.6
±
0.2
1
C0.4
输入端
2
5.3
±
0.3
3
4.4
±
0.2
内部连接
图
4
3
（单位：毫米）
1
2
3
4
阳极
阴极
辐射源
集热器
3.6
±
0.3
0.5
+
0.4
-
0.2
7.0
+
0.2
-
0.7
6
s
包装规格
型号
PC355NT
大坪规格
大坪卷筒直径178毫米（ 750pcs ）。
s
应用
需要高密度1.混合衬底
安装。
2.可编程控制器
“
在没有确认元器件规格说明书中，夏普需要对发生的任何使用夏普的设备的任何缺陷的设备，在目录显示不承担任何责任，
数据手册等所刊载在使用任何夏普的设备之前获得的元器件规格说明书的最新版本“ 。
0.2
±
0.05
PC355NT
s
绝对最大额定值
参数
正向电流
*1
最大正向电流
反向电压
功耗
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
集电极耗散功率
总功耗
*2
隔离电压
工作温度
储存温度
*3
焊接温度
符号
I
F
I
FM
V
R
P
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
C
P
合计
V
ISO
T
OPR
T
英镑
T
SOL
（大= 25℃）
等级
50
1
6
70
35
6
80
150
170
3 750
- 30至+ 100
- 40至+ 125
260
单位
mA
A
V
mW
V
V
mA
mW
mW
V
RMS
C
C
C
输入
焊接区
0.2毫米以上
产量
* 1脉冲宽度< = 100
s,
占空比： 0.001
* 2 4060 ％RH下，交流进行1分钟
* 3 10 senconds
s
光电特性
参数
正向电压
反向电流
终端电容
集电极暗电流
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
电流传输比
集电极 - 发射极饱和电压
绝缘电阻
杂散电容
上升时间
响应时间
下降时间
符号
V
F
I
R
C
t
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
CTR
V
CE （SAT）
R
ISO
C
f
t
r
t
f
条件
I
F
= 20mA下
V
R
= 4V
V = 0 ， F = 1kHz时
V
CE
= 10V ，我
F
= 0
I
C
= 0.1毫安，我
F
= 0
I
E
= 10
A,
I
F
= 0
I
F
= 1mA时， V
CE
= 2V
I
F
= 20mA时，我
C
= 1毫安
DC500V ， 40 60％RH的
V = 0 ， F = 1MHz的
V
CE
= 2V ，我
C
= 2毫安
R
L
= 100
分钟。
-
-
-
-
35
6
600
-
5 x 10
10
-
-
-
典型值。
1.2
-
30
-
-
-
1 600
0.8
10
11
0.6
60
53
（大= 25℃）
马克斯。
1.4
10
250
10
- 6
-
-
7 500
1.0
-
1.0
300
250
单位
V
A
pF
A
V
V
%
V
pF
s
s
输入
产量
Transfer-
字符
开创性意义
PC355NT
图。 1正向电流与环境
温度
70
二极管功耗为P（mW ）
0
25
50
75
100
125
60
正向电流I
F
（MA ）
50
40
30
20
10
0
- 30
图。 2二极管功耗对比
环境温度
100
80
70
60
40
20
0
- 30
0
50 55
a
100
( C)
环境温度T
a
( C )
环境温度T
图。 3集电极耗散功率对比
环境温度
200
集电极耗散功率P
C
（ mW）的
图。 4总功耗对比
环境温度
300
（ mW）的
合计
250
150
总功耗P
0
25
50
75
100
125
200
170
150
100
100
50
50
0
- 30
0
- 30
0
25
50
100
环境温度T
a
( C)
环境温度T
a
( C)
图。 5峰值正向电流与
占空比
10000
5000
最大正向电流I
FM
（MA ）
2000
1000
500
200
100
50
20
10
5
5
10
- 3
2
5
10
- 2
2
5
10
- 1
2
5
图。 6正向电流与正向电压
500
200
正向电流I
F
（MA ）
100
50
20
10
5
2
1
1
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T
a
= 75C
50C
25C
0C
- 25C
脉冲宽度< = 100
s
T
a
= 25C
占空比
正向电压V
F
( V)
PC355NT
图。 7电流传输比主场迎战
正向电流
5000
V
CE
= 2V
电流传输比CTR （ ％ ）
T
a
= 25C
集电极电流I
C
（MA ）
4000
80
I
F
= 10毫安
P
C
（ MAX 。 ）
60
图。 8集电极电流与集电极
发射极电压
100
T
a
= 25C
5m
A
3000
2000
40
2mA
1000
20
1mA
0
0.1
1
10
100
正向电流I
F
（MA ）
0
0
1
2
3
4
5
集电极 - 发射极电压V
CE
( V )
图。 9相对电流传输比主场迎战
环境温度
150
相对电流传输比（ ％ ）
I
F
= 1毫安
V
CE
= 2V
图10集电极 - 发射极饱和电压
- 环境温度
1.6
1.4
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
( V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
- 30
I
F
= 20mA下
I
C
= 1毫安
100
50
0
- 30
0
20
40
60
80
100
0
20
40
60
80
100
环境温度T
a
( C )
环境温度T
a
( C )
图11集电极暗电流与
环境温度
10
-5
图12性反应的时间与负载电阻
500
V
CE
= 2V
200 I
C
= 2毫安
中T = 25℃
100
a
响应时间（
s )
50
20
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
t
s
t
d
t
r
t
f
5
V
CE
= 10V
集电极暗电流I
首席执行官
( A)
10
-6
5
10
-7
5
10
-8
5
10
-9
5
10
10
- 10
5
- 11
- 30
0
20
40
60
a
80
( C )
100
0.01
0.1
1
L
10
(k
)
100
环境温度T
负载阻抗R
PC355NT
图13集电极 - 发射极饱和电压
与正向电流
6.4
T
a
= 25C
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
( V)
I
C
- 0.5毫安
1mA
3mA
5mA
7mA
3.2
30mA
50mA
测试电路的响应时间
V
CC
输入
输入
R
D
R
L
输出输出
10%
90%
t
d
t
r
t
s
t
f
4.8
1.6
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
正向电流I
F
（MA ）
s
温度曲线回流焊的
（1）一次回流焊接被推荐的温度和时间的条件内
概要如下所示。
30秒
230C
200C
180C
1分钟
25C
2分钟
1.5分钟
1分钟
（2）当使用另一种焊接方法，例如红外线灯，温度可能升高
部分地在所述装置的模具。
保持在器件的封装的温度的上述条件（1）内。
q
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