飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33879
REV 3.0 ， 06/2004
初步信息
可配置8路串联开关
与负载开路检测电流
关闭
的33879设备是一个8输出的硬件配置的，高边/低边
开关与16位串行输入控制。两个输出端的可控制
直接通过微处理器进行PWM应用。在33879整合
SMARTMOS技术， CMOS逻辑，双极/ MOS模拟电路，和
DMOS功率MOSFET。在33879控制各种电感性，白炽灯，
或通过与微控制器直接连接的LED负载。该电路的
创新的监控和保护功能包括非常低的待机
电流，级联故障报告，内部+ 45V钳位电压低侧
配置， -20 V高端配置，输出特定的诊断和
独立超温保护。
特点
设计工作5.5 V < V
PWR
< 26.5 V
16位SPI控制与故障报告， 3.3 V / 5.0 V兼容
为电流限制输出（ 0.5 A至1.0 A）来驱动白炽灯
灯
输出电压钳位， + 45V （低端）和-20 V（高端）在
电感式开关
开路负载的开/关控制检测电流（ LED应用）
在V内部电池反向保护
PWR
地面或供应的消失，不通电负荷或损坏IC
最大5.0
A
I
PWR
待机电流为13.0 V V
PWR
R
DS （ ON）
1.0
在25 ° C典型
短路检测和自动重试限流
独立的过热保护
摩托罗拉公司现在提供无铅封装后缀为EK
简化应用图
33879简化应用图
VPWR
+5.0 V
33879
可配置8路串联
开关负载开路
探测现在DISABLE
飞思卡尔半导体公司...
EK （无铅）后缀
DWB后缀
CASE 1437至1401年
32引脚SOICW -EP
订购信息
设备
PC33879DWB/R2
PC33879EK/R2
温度
范围（T
A
)
-40
°
C至125
°
C
包
32 SOICW -EP
33879
VDD VPWR
EN
DI
SCLK
CS
DO
IN5
IN6
D1
D2
D3
D4
S1
S2
S3
S4
VBAT
MCU
A0
MOSI
SCLK
CS
MISO
PWM1
PWM2
高端驱动
M
D5
D6
D7
D8
S5
S6
S7
S8
H桥配置
VBAT
VBAT
低侧驱动器
GND
本文件包含有关正在开发中的产品信息。
摩托罗拉保留不另行通知变更或终止本产品的权利。
摩托罗拉公司2004年
欲了解更多有关该产品，
转到： www.freescale.com
飞思卡尔半导体公司
GND
V
DD
S8
NC
D8
S2
D2
NC
NC
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
DO
V
PWR
NC
S7
D7
S4
D4
NC
NC
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
飞思卡尔半导体公司...
引脚功能说明
针
1
2
3
4, 8, 9, 24,
25, 30
5
6
7
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
26
27
28
29
31
32
引脚名称
GND
V
DD
S8
NC
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
V
PWR
DO
正式名称
地
逻辑电源电压
源输出8
没有连接
漏输出8
源输出2
漏输出2
源输出1
漏输出1
漏输出6
源输出6
命令输入6
使能输入
SPI时钟
串行数据输入
SPI片选
命令输入5
源输出5
漏输出5
漏输出3
源输出3
漏输出4
源输出4
漏输出7
源输出7
电池输入
串行数据输出
数字地。
逻辑电源的SPI接口。随着V
DD
该器件的低将处于睡眠模式。
输出8 MOSFET的源极引脚。
此引脚无内部连接。
输出8 MOSFETdrain引脚。
输出两路MOSFET的源极引脚。
输出两路MOSFET漏极引脚。
输出一个MOSFET源极引脚。
输出一个MOSFET漏极引脚。
输出6 MOSFET漏极引脚。
输出6 MOSFET的源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
IC启用。高电平有效。与EN低电平时，器件处于休眠模式。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33879.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33879.逻辑[ 0 ]允许数据
转让英寸
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
输出5 MOSFET漏极引脚。
输出3 MOSFET漏极引脚。
输出3 MOSFET的源极引脚。
输出4 MOSFET漏极引脚。
输出4 MOSFET的源极引脚。
输出7 MOSFET漏极引脚。
输出7 MOSFET的源极引脚。
电源引脚到33879. V
PWR
有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33879到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的具体
输出有故障。
德网络nition
摩托罗拉模拟集成电路设备数据
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33879
3
飞思卡尔半导体公司
最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。
等级
V
DD
电源电压
（注1 ）
CS
， DI ， DO ， SCLK ， IN5 ， IN6 ，和EN
（注1 ）
符号
V
DD
–
V
PWR
E
钳
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-16到40
50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
mJ
V
V
PWR
电源电压
（注1 ）
输出钳位能源
（注2 ）
ESD电压
人体模型
（注3）
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
C
T
J
T
J
P
D
±2000
±200
-55到150
-40至125
-40至150
-40至150
1.7
飞思卡尔半导体公司...
机器型号
（注4 ）
储存温度
工作温度
工作结温
最高结温
功耗
（注5 ）
热阻
结到环境
所述模具与所述裸露模垫之间
°
C
°
C
°
C
°
C
W
°
C / W
R
θ
JA
R
θ
JC
71
1.2
笔记
1.超出这些限制可能造成故障或永久损坏设备。
在150 2.最大输出钳位能量的能力
°
采用单一的非重复脉冲法I = 350毫安C的结温。
3. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
).
4.
5.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
).
在T最大功耗
A
= 25
°
下与没有使用散热片。
33879
4
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飞思卡尔半导体公司
摩托罗拉
半导体技术资料
文档顺序号： MC33879
REV 3.0 ， 06/2004
初步信息
可配置8路串联开关
与负载开路检测电流
关闭
的33879设备是一个8输出的硬件配置的，高边/低边
开关与16位串行输入控制。两个输出端的可控制
直接通过微处理器进行PWM应用。在33879整合
SMARTMOS技术， CMOS逻辑，双极/ MOS模拟电路，和
DMOS功率MOSFET。在33879控制各种电感性，白炽灯，
或通过与微控制器直接连接的LED负载。该电路的
创新的监控和保护功能包括非常低的待机
电流，级联故障报告，内部+ 45V钳位电压低侧
配置， -20 V高端配置，输出特定的诊断和
独立超温保护。
特点
设计工作5.5 V < V
PWR
< 26.5 V
16位SPI控制与故障报告， 3.3 V / 5.0 V兼容
为电流限制输出（ 0.5 A至1.0 A）来驱动白炽灯
灯
输出电压钳位， + 45V （低端）和-20 V（高端）在
电感式开关
开路负载的开/关控制检测电流（ LED应用）
在V内部电池反向保护
PWR
地面或供应的消失，不通电负荷或损坏IC
最大5.0
A
I
PWR
待机电流为13.0 V V
PWR
R
DS （ ON）
1.0
在25 ° C典型
短路检测和自动重试限流
独立的过热保护
摩托罗拉公司现在提供无铅封装后缀为EK
简化应用图
33879简化应用图
VPWR
+5.0 V
33879
可配置8路串联
开关负载开路
探测现在DISABLE
飞思卡尔半导体公司...
EK （无铅）后缀
DWB后缀
CASE 1437至1401年
32引脚SOICW -EP
订购信息
设备
PC33879DWB/R2
PC33879EK/R2
温度
范围（T
A
)
-40
°
C至125
°
C
包
32 SOICW -EP
33879
VDD VPWR
EN
DI
SCLK
CS
DO
IN5
IN6
D1
D2
D3
D4
S1
S2
S3
S4
VBAT
MCU
A0
MOSI
SCLK
CS
MISO
PWM1
PWM2
高端驱动
M
D5
D6
D7
D8
S5
S6
S7
S8
H桥配置
VBAT
VBAT
低侧驱动器
GND
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摩托罗拉公司2004年
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飞思卡尔半导体公司
GND
V
DD
S8
NC
D8
S2
D2
NC
NC
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
DO
V
PWR
NC
S7
D7
S4
D4
NC
NC
S3
D3
D5
S5
IN5
CS
DI
飞思卡尔半导体公司...
引脚功能说明
针
1
2
3
4, 8, 9, 24,
25, 30
5
6
7
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
26
27
28
29
31
32
引脚名称
GND
V
DD
S8
NC
D8
S2
D2
S1
D1
D6
S6
IN6
EN
SCLK
DI
CS
IN5
S5
D5
D3
S3
D4
S4
D7
S7
V
PWR
DO
正式名称
地
逻辑电源电压
源输出8
没有连接
漏输出8
源输出2
漏输出2
源输出1
漏输出1
漏输出6
源输出6
命令输入6
使能输入
SPI时钟
串行数据输入
SPI片选
命令输入5
源输出5
漏输出5
漏输出3
源输出3
漏输出4
源输出4
漏输出7
源输出7
电池输入
串行数据输出
数字地。
逻辑电源的SPI接口。随着V
DD
该器件的低将处于睡眠模式。
输出8 MOSFET的源极引脚。
此引脚无内部连接。
输出8 MOSFETdrain引脚。
输出两路MOSFET的源极引脚。
输出两路MOSFET漏极引脚。
输出一个MOSFET源极引脚。
输出一个MOSFET漏极引脚。
输出6 MOSFET漏极引脚。
输出6 MOSFET的源极引脚。
直接PWM控制输入引脚输出6 IN6是“或”与SPI位。
IC启用。高电平有效。与EN低电平时，器件处于休眠模式。
SPI控制时钟输入引脚。
来自MCU的SPI控制数据输入引脚连接到33879.逻辑[ 1 ]激活输出。
来自MCU的SPI控制片选输入引脚连接到33879.逻辑[ 0 ]允许数据
转让英寸
直接PWM控制输入引脚进行输出5. IN5是“或”与SPI位。
输出5 MOSFET的源极引脚。
输出5 MOSFET漏极引脚。
输出3 MOSFET漏极引脚。
输出3 MOSFET的源极引脚。
输出4 MOSFET漏极引脚。
输出4 MOSFET的源极引脚。
输出7 MOSFET漏极引脚。
输出7 MOSFET的源极引脚。
电源引脚到33879. V
PWR
有内部电池反向保护。
SPI控制数据输出引脚从33879到MCU 。 DO = 0无故障， DO = 1的具体
输出有故障。
德网络nition
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33879
3
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最大额定值
所有电压都是相对于地，除非另有说明。
等级
V
DD
电源电压
（注1 ）
CS
， DI ， DO ， SCLK ， IN5 ， IN6 ，和EN
（注1 ）
符号
V
DD
–
V
PWR
E
钳
价值
-0.3 7.0
-0.3 7.0
-16到40
50
单位
V
DC
V
DC
V
DC
mJ
V
V
PWR
电源电压
（注1 ）
输出钳位能源
（注2 ）
ESD电压
人体模型
（注3）
V
ESD1
V
ESD2
T
英镑
T
C
T
J
T
J
P
D
±2000
±200
-55到150
-40至125
-40至150
-40至150
1.7
飞思卡尔半导体公司...
机器型号
（注4 ）
储存温度
工作温度
工作结温
最高结温
功耗
（注5 ）
热阻
结到环境
所述模具与所述裸露模垫之间
°
C
°
C
°
C
°
C
W
°
C / W
R
θ
JA
R
θ
JC
71
1.2
笔记
1.超出这些限制可能造成故障或永久损坏设备。
在150 2.最大输出钳位能量的能力
°
采用单一的非重复脉冲法I = 350毫安C的结温。
3. ESD1测试是按照人体模型进行（C
ZAP
= 100 pF的，R
ZAP
= 1500
).
4.
5.
ESD2测试是根据机器型号进行（C
ZAP
= 200 pF的，R
ZAP
= 0
).
在T最大功耗
A
= 25
°
下与没有使用散热片。
33879
4
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