PC2SD11NTZ系列
PC2SD11NTZ
系列
V
DRM
: 400V
非零交叉型
DIP 6PIN
可控硅耦合器触发
V
DRM
: 600V型也可提供。
(PC3SD11NTZ
系列)
■
描述
PC2SD11NTZ系列
可控硅耦合器包括
红外发光二极管( IRED )光耦合到一个
输出可控硅。
这些器件具有全波控制的,
理想的隔离驱动程序中,高电流双向晶闸管。
DIP封装提供5.0kV隔离输入
输出具有超强的交换抗干扰能力。
■
机构认证/合规
1.通过UL1577 (双重保护隔离)认可,
文件号E64380 (如型号
2SD11)
2.通过CSA认证,文件号CA95323 (如型号
2SD11)
3.封装树脂: UL阻燃等级( 94V- 0 )
■
应用
1.用于触发双向可控硅用来打开和关闭
需要交流负载设备。
例如加热器,风机,电机,电磁阀和
阀门。
2.用于触发双向可控硅用于实施阶段
在应用中如照明控制和控制
温度控制( HVAC) 。
3. AC线控制在电源应用中。
■
特点
1.高重复峰值断态电压(V
DRM
: 400V)
2.非过零功能
3. 6引脚DIP封装
4.卓越的抗噪声能力(的dV / dt : MIN 1 000V /μs的)
5.无铅组件也可(请参阅模型
在此资料阵容节)
6.双转移模具制造(理想的流量
焊接)
输入和输出之间7.高隔离电压
(V
ISO
(RMS ) : 5.0kV )
注意数据表的内容如有更改,恕不另行通知。
在没有CON连接细则第十五通过特定的设备连接阳离子表,夏普需要使用任何夏普设备可能出现的任何缺陷承担责任
在使用任何夏普元器件之前获取最新的设备特定网络阳离子表中产品目录,数据手册等所刊载的设备。
1
表号: D2- A07401EN
日期三月31, 2004
夏普公司
PC2SD11NTZ系列
■
绝对最大额定值
(T
a
=25C)
参数
符号
等级
单位
I
F
50
mA
正向电流
输入
V
R
6
V
反向电压
0.1
I
T
( RMS)
A
RMS通态电流
*3
产量
峰值一个周期浪涌电流
1.2
I
浪涌
A
400
V
DRM
V
重复峰值断态电压
*1
5.0
V
ISO
( RMS)
kV
隔离电压
30
to
+100
T
OPR
C
工作温度
55
to
+125
T
英镑
C
储存温度
*2
270
*4
T
SOL
C
焊接温度
* 1 4060 %RH下,交流时间1分钟中,f = 60Hz的
* 2 10秒
* 3 F = 50Hz正弦波
* 4铅焊料电镀型号: 260C
焊接区
■
光电特性
参数
正向电压
输入
反向电流
Repentitive峰值断态电流
通态电压
产量
保持电流
断态电压临界上升率
A级
转最小触发电流
字符绝缘电阻
开创性意义接通时间
符号
V
F
I
R
I
DRM
V
T
I
H
dv / dt的
I
FT
R
ISO
t
on
条件
I
F
=20mA
V
R
=3V
V
D
=V
DRM
I
T
=0.1A
V
D
=6V
V
D
=1/√
2
·V
DRM
V
D
=6V,
R
L
=100
DC500V , 40 60%RH的
V
D
=6V,
R
L
=100,
I
F
=20mA
MIN 。 TYP 。
1.2
-
-
-
-
-
-
-
-
0.1
1 000 2 000
-
-
10
10
11
5×10
-
-
1mm
(T
a
=25C)
马克斯。
1.4
10
1
2.5
3.5
-
10
-
100
单位
V
A
A
V
mA
V / μs的
mA
s
表号: D2- A07401EN
4