3.3 V 16M
×
72分之64位SDRAM模块
3.3 V 32M
×
72分之64位SDRAM模块
3.3 V 64M
×
72分之64位SDRAM模块
PC100-168针无缓冲DIMM模块
初步信息
HYS 64 / 72V16200GU
HYS 64 / 72V32220GU
HYS 64 / 72V32200GU
HYS 64 / 72V64220GU
168引脚无缓冲的8字节双列直插式SDRAM模块用于PC的主存储器的应用
一个银行16M
×
64, 16M
×
72, 32M
×
64和32M
×
72组织
两个银行32M
×
64, 32M
×
72, 64M
×
64和64M
×
72组织
优化字节写非奇偶校验或ECC应用
完全的PC板布局兼容Intel的1.0版模块规格
JEDEC标准同步DRAM （ SDRAM ）
SDRAM性能：
-8
-8B
100
6
单位
兆赫
ns
f
CK
t
AC
时钟频率（最大）
时钟存取时间
100
6
编程潜伏期：
产品速度
-8
-8B
PC100
PC100
CL
2
3
t
RCD
2
2
t
RP
2
3
单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）电源
可编程CAS延迟，突发长度和换行序列
（顺序&交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
安装在基板去耦电容
所有输入，输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用32M
×
8 SDRAM的在TSOPII -54封装
采用SIEMENS的128Mbit和的256Mbit SDRAM组件
金触点垫
卡片尺寸： 133.35毫米
×
31.75 mm
×
4.00 mm
半导体集团
1
1998-08-01
HYS 64 （ 72 ） V16200 / 3222 （ 0 ） 0 / 64220GU
SDRAM模块
该HYS 64 / 72V1600 ， HYS 64 / 72V32220 ， HYS 64 / 72V32200和HYS 64 / 72V64220是行业
标准的168针8字节双列直插式内存模块（DIMM ），该组织为16M
×
64,
16M
×
72, 32M
×
64和32M
×
1银行和32M 72
×
64, 32M
×
72, 64M
×
64和64M
×
在72
设计有128M和256M的同步DRAM两家银行的高速存储阵列
（ SDRAM芯片）用于非奇偶校验和ECC应用。在使用的DIMM -8 -8B速度排序为16M
×
8
和32M
×
在TSOP- 54封装8的SDRAM器件，以满足PC100的要求。脱钩
电容器被安装在PC板上。根据Intel的PC 100的PC板设计
模块规格。
DIMM安装有一个串行存在检测，具有串行执行é
2
使用PROM两个引脚I
2
C
协议。第128个字节是由该DIMM制造利用与第二128字节是
提供给最终用户。
西门子所有168针的DIMM提供高性能，灵活的133.35毫米8字节接口
长的足迹，用1.25 “ （ 31.75毫米）的高度。
订购信息
TYPE
HYS 64V16200GU - 8
HYS 72V16200GU - 8
HYS 64V32220GU - 8
HYS 72V32220GU - 8
HYS 64V16200GU -8B
HYS 72V16200GU -8B
HYS 64V32220GU -8B
HYS 72V32220GU -8B
HYS 64V32200GU - 8
HYS 72V32200GU - 8
HYS 64V64220GU - 8
HYS 72V64220GU - 8
订购代码
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-323-620
PC100-323-620
PC100-323-620
PC100-323-620
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-222-620
包
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
说明
PC100 16M
×
64银行1
SDRAM模块
PC100 16M
×
72银行1
SDRAM模块
PC100 32M
×
64 2银行
SDRAM模块
PC100 32M
×
72 2银行
SDRAM模块
PC100 16M
×
64银行1
SDRAM模块
PC100 16M
×
72银行1
SDRAM模块
PC100 32M
×
64 2银行
SDRAM模块
PC100 32M
×
72 2银行
SDRAM模块
PC100 32M
×
64银行1
SDRAM模块
PC100 32M
×
72银行1
SDRAM模块
PC100 64M
×
64 2银行
SDRAM模块
PC100 64M
×
72 2银行
SDRAM模块
模块
高度
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
半导体集团
2
1998-08-01
HYS 64 （ 72 ） V16200 / 3222 （ 0 ） 0 / 64220GU
SDRAM模块
订购信息
（续）
TYPE
HYS 64V32200GU -8B
HYS 72V32200GU -8B
HYS 64V64220GU -8B
HYS 72V64220GU -8B
订购代码
PC100-323-620
PC100-323-620
PC100-323-620
PC100-323-620
包
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
L-DIM-168-30
说明
PC100 32M
×
64银行1
SDRAM模块
PC100 32M
×
72银行1
SDRAM模块
PC100 64M
×
64 2银行
SDRAM模块
PC100 64M
×
72 2银行
SDRAM模块
模块
高度
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
引脚名称
A0-A12
BA0 ， BA1
DQ0 - DQ63
CB0-CB7
RAS
CAS
WE
CKE0 ， CKE1
地址输入
CLK0 - CLK3
（ RA0 RA10 / CA0 CA9 ）
银行选择
数据输入/输出
校验位
（ × 72组织只）
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
DQMB0 - DQMB7
CS0 - CS3
时钟输入
数据屏蔽
芯片选择
电源（ + 3.3伏）
地
时钟设备检测
串行数据输出的存在
检测
无连接
V
CC
V
SS
SCL
SDA
北卡罗来纳州/杜
地址格式
产品型号
行列行
SELECT
10
10
10
10
2
2
2
2
刷新周期
4k
4k
8k
8k
64ms
64ms
64ms
64ms
间隔
15.6
15.6
7.8
7.8
16M
×
64/72 HYS 64 / 12 72V16200GU
32M
×
64/72 HYS 64 / 12 72V32220GU
32M
×
64/72 HYS 64 / 13 72V32220GU
64M
×
64/72 HYS 64 / 13 72V64220GU
半导体集团
3
1998-08-01
HYS 64 （ 72 ） V16200 / 3222 （ 0 ） 0 / 64220GU
SDRAM模块
引脚配置
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
符号
针＃
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
针＃
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
针＃
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
DU
CS2
DQMB2
DQMB3
DU
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
SS
CKE0
CS3
DQMB6
DQMB7
NC
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
CC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
CC
NC
NC
NC （ CB2 ）
NC （ CB3 ）
V
CC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
CC
DQ20
NC
DU
CKE1
V
CC
DQ52
NC
DU
NC
V
CC
DQ14
DQ15
NC （ CB0 ）
NC （ CB1 ）
V
CC
DQ46
DQ47
NC （ CB4 ）
NC （ CB5 ）
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
CC
WE
DQMB0
DQMB1
CS0
DU
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
CC
CAS
DQMB4
DQMB5
CS1
RAS
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
CC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
V
CC
V
CC
CLK0
V
CC
CLK1
A12
V
CC
V
CC
注： Pinnames括号内为X72 ECC版本
半导体集团
4
1998-08-01
HYS 64 （ 72 ） V16200 / 3222 （ 0 ） 0 / 64220GU
SDRAM模块
WE
CS0
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D8
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
CB（ 7：0 ）
CS2
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D3
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
C
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D7
E
2
PROM （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47 k
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
A0 - A11 （ A12 ） ， BA0 ， BA1
V
CC
V
SS
RAS
CAS
CKE0
时钟布线
32 ×64
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
32 X 72
5 SDRAM
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
SPB03970
注： D8只在X72 ECC版本中使用。
框图16M
×
64/72 & 32M
×
64/72一家银行SDRAM DIMM模块
（ HYS 64 / 72V16200GU & HYS 64 / 72V32200GU ）
半导体集团
5
1998-08-01
3.3 V 8M
×
72分之64位1银行SDRAM模块
3.3 V 16M
×
72分之64位2行SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
HYS 64 / 72V8200GU
HYS 64 / 72V16220GU
168 PC100引脚兼容的缓冲8字节双列直插式SDRAM模块
用于PC的主存储器的应用
1银行8M
×
64, 8M
×
72和2个银行16M
×
64, 16M
×
72组织
优化字节写非奇偶校验或ECC应用
JEDEC标准同步DRAM （ SDRAM ）
完全的PC板布局兼容Intel的1.0版模块规格
SDRAM性能
-8
-8B
100
6
-10
66
8
单位
兆赫
ns
f
CK
t
AC
时钟频率（最大）
时钟存取时间
100
6
编程的潜伏期
产品速度
-8
-8B
-10
PC100
PC100
PC66
CL
2
3
2
t
RCD
2
2
2
t
RP
2
3
2
单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）电源
可编程CAS延迟，突发长度和换行序列
（顺序&交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用8M
×
8 SDRAM的在TSOPII -54封装
4096刷新周期每64毫秒
133.35 mm
×
31.75 mm
×
4.00毫米卡的大小与金触点垫
半导体集团
1
1998-08-01
HYS 64 （72） V8200 / 16220GU -8 / -10
SDRAM模块
的HYS 64 （72） 8200和HYS 64 （72） 16220顷工业标准168针8字节的双列直插式
内存模块（DIMM ），该组织为8M
×
64, 8M
×
1银行和16M 72
×
64和
16M
×
两银行72高速存储阵列设计与64M同步DRAM
（ SDRAM芯片）用于非奇偶校验和ECC应用。在使用的DIMM -8 -8B速度排序
在TSOP- 54封装8M 8 SDRAM器件，以满足PC100的要求。该模块使用
-10部件只适合PC66的应用。去耦电容安装在PC上
板。根据Intel的PC SDRAM版本1.0模块规格的PCB板设计。
DIMM安装有一个串行存在检测，具有串行执行é
2
使用PROM两个引脚I
2
C
协议。第128个字节是由该DIMM制造利用与第二128字节是
提供给最终用户。
西门子所有168针的DIMM提供高性能，灵活的133.35毫米8字节接口
长的足迹，用1.25 “ （ 31.75毫米）的高度。
订购信息
TYPE
HYS 64V8200GU - 8
HYS 72V8200GU - 8
HYS 64V16220GU - 8
HYS 72V16220GU - 8
HYS 64V8200GU -8B
订购代码封装
说明
模块
高度
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
PC100-222-620 L- DIM - 168-30 100 MHz的8M
×
64银行1
SDRAM模块
PC100-222-620 L- DIM - 168-30 100 MHz的8M
×
72银行1
SDRAM模块
PC100-222-620 L- DIM - 168-30 100 MHz的16M
×
64 2银行
SDRAM模块
PC100-222-620 L- DIM - 168-30 100 MHz的16M
×
72 2银行
SDRAM模块
PC100-323-620 L- DIM - 168-30 100 MHz的8M
×
64银行1
SDRAM模块
HYS 64V16220GU -8B PC100-323-620 L- DIM - 168-30 100 MHz的16M
×
64 2银行
SDRAM模块
HYS 64V8200GU - 10
HYS 72V8200GU - 10
PC66-222-920
PC66-222-920
L- DIM - 168-30 66 MHz的8M
×
64银行1
SDRAM模块
L- DIM - 168-30 66 MHz的8M
×
72银行1
SDRAM模块
L- DIM - 168-30 66 MHz的16M
×
64 2银行
SDRAM模块
L- DIM - 168-30 66 MHz的16M
×
72 2银行
SDRAM模块
HYS 64V16220GU - 10 PC66-222-920
HYS 72V16220GU - 10 PC66-222-920
半导体集团
2
1998-08-01
HYS 64 （72） V8200 / 16220GU -8 / -10
SDRAM模块
引脚名称
A0 - A11
BA0 ， BA1
DQ0 - DQ63
CB0 - CB7
RAS
CAS
WE
CKE0 ， CKE1
地址输入
银行选择
数据输入/输出
校验位（ × 72
组织只）
行地址选通
列地址选通
读/写输入
时钟使能
CLK0 - CLK3
DQMB0 -
DQMB7
CS0 - CS3
时钟输入
数据屏蔽
芯片选择
电源（ + 3.3伏）
地
时钟设备检测
串行数据输出的设备检测
无连接
V
CC
V
SS
SCL
SDA
北卡罗来纳州
地址格式
产品型号
8M
×
64
8M
×
72
HYS 64V8200GU
HYS 72V8200GU
排
12
12
12
12
列银行
SELECT
9
9
9
9
2
2
2
2
刷新
4k
4k
4k
4k
期
64毫秒
64毫秒
64毫秒
64毫秒
间隔
15.6
s
15.6
s
15.6
s
15.6
s
16M
×
64 HYS 64V16220GU
16M
×
72 HYS 72V16220GU
半导体集团
3
1998-08-01
HYS 64 （72） V8200 / 16220GU -8 / -10
SDRAM模块
引脚配置
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
符号
针＃
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
针＃
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
针＃
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
V
SS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
V
SS
DU
CS2
DQMB2
DQMB3
DU
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
SS
CKE0
CS3
DQMB6
DQMB7
NC
V
CC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
V
CC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
CC
NC
NC
NC （ CB2 ）
NC （ CB3 ）
V
CC
NC
NC
CB6
CB7
V
SS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
V
SS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
CC
DQ20
NC
DU
CKE1
V
CC
DQ52
NC
DU
NC
V
CC
DQ14
DQ15
NC （ CB0 ）
NC （ CB1 ）
V
CC
DQ46
DQ47
NC （ CB4 ）
NC （ CB5 ）
V
SS
DQ21
DQ22
DQ23
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
NC
NC
V
SS
NC
NC
V
CC
WE
DQMB0
DQMB1
CS0
DU
V
SS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
V
CC
CAS
DQMB4
DQMB5
CS1
RAS
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
CC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
V
CC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
BA1
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
SS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
V
SS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
V
CC
V
CC
CLK0
V
CC
CLK1
NC
V
CC
V
CC
注： Pinnames括号内为X72 ECC版本
半导体集团
4
1998-08-01
HYS 64 （72） V8200 / 16220GU -8 / -10
SDRAM模块
WE
CS0
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D8
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
CB（ 7：0 ）
CS2
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D3
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
C0-C15, (C16, C17)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
D0-D7, (D8)
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
WE
DQM
DQ0-DQ7
D7
E
2
PROM （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47 k
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
A0 -A11 ， BA0 ， BA1
V
CC
V
SS
RAS
CAS
CKE0
时钟布线
16一M× 64
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
16一M× 72
5 SDRAM
终止
4 SDRAM + 3.3 pF的
终止
SPB03958
注： D8只在X72 ECC版本中使用。
框图8M
×
64/72 SDRAM DIMM模块（ HYS 64 / 72V8200GU ）
半导体集团
5
1998-08-01
3.3V 2M ×64 /72- 1位BANK SDRAM模块
3.3V 4M ×64 /72- 2位BANK SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
HYS64/72V2200GU-8/-10
HYS64/72V4220GU-8/-10
168针PC100和PC66兼容的缓冲8字节双列直插式SDRAM模块
用于PC的主存储器的应用
1银行2M ×64 ， 2米x 72和2个银行4M ×64 ， 4M X 72组织
优化字节写非奇偶校验或ECC应用
JEDEC标准同步DRAM （ SDRAM ）
完全的PC板布局兼容Intel的1.0版模块规格
s
SDRAM性能：
-8
f
CK
t
AC
时钟频率（最大）
时钟存取时间
100
6
-8-3
100
6
-10
66
8
单位
兆赫
ns
编程潜伏期：
产品速度
-8
-8-3
-10
PC100
PC100
PC66
CL
2
3
2
tRCD的
2
2
2
激进党
2
3
2
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）电源
可编程CAS延迟，突发长度和换行序列
（顺序&交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用2M ×8的SDRAM的TSOPII -44封装
4096刷新周期每64毫秒
133,35毫米× 31.75毫米X 4.00毫米卡片尺寸与金触点垫
半导体集团
1
6.98
HYS64(72)V2200/4220GU-8/-10
SDRAM模块
该HYS64 （ 72 ） 2200 HYS64 （ 72 ） 4220顷工业标准168针8字节的双列直插式内存模块
（ DIMM）的该组织为2M ×64 ， 2米x 72合1的银行和4M ×64和4M X 72在两家银行高速
设计有同步DRAM（SDRAM ）的非奇偶校验和ECC应用存储器阵列。安装DIMM
使用-8速度排序2M ×8 SDRAM器件TSOP44封装，以满足PC100的要求。该模块
使用-10部件只适合PC66的应用。去耦电容器被安装在PC板上。该
根据Intel的PC SDRAM Rev.1.0规格模块PCB板设计。
s
DIMM安装有一个串行存在检测，具有串行执行é
2
使用PROM两个引脚I
2
C协议。该
前128个字节由该DIMM制造商使用和第二128字节是提供给最终用户。
西门子所有168针的DIMM提供高性能，在133,35毫米长的足迹灵活的8字节接口，
1,25 “ （ 31,75毫米）高度
订购信息
TYPE
HYS 64V2200GU - 8
HYS 72V2200GU - 8
HYS 64V4220GU - 8
HYS 72V4220GU - 8
HYS 64V2200GU - 8-3
HYS 72V2200GU - 8-3
HYS 64V4220GU - 8-3
HYS 72V4220GU - 8-3
HYS 64V2200GU - 10
HYS 72V2200GU - 10
HYS 64V4220GU - 10
HYS 72V4220GU - 10
订购代码
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-222-620
PC100-323-620
PC100-323-620
PC100-323-620
PC100-323-620
PC66-222-920
PC66-222-920
PC66-222-920
PC66-222-920
包
说明
模块
高度
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
1,25“
L-DIM-168-29
100MHz的2M ×64 1银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
100 MHz的2米x 72 1银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
100MHz的4M ×64的2个银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
100MHz的4M X 72 2银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
100MHz的2M ×64 1银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
100 MHz的2米x 72 1银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
100MHz的4M ×64的2个银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
100MHz的4M X 72 2银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
66兆赫2M ×64 1银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
66 MHz的2米x 72 1银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
66兆赫4M ×64 2银行SDRAM模块
L-DIM-168-29
66兆赫4M X 72 2银行SDRAM模块
引脚名称
地址输入
银行地址
数据输入/输出
校验位（ X72
组织只）
RAS
行地址选通
CAS
列地址选通
读/写输入
WE
CKE0 ， CKE1时钟使能
A0-A10
BA
DQ0 - DQ63
CB0-CB7
CLK0 - CLK3
DQMB0 - DQMB7
CS0 - CS3
VCC
VSS
SCL
SDA
北卡罗来纳州
时钟输入
数据屏蔽
芯片选择
功率（ 3.3伏）
地
时钟设备检测
串行数据输出的设备检测
无连接
地址格式：
2M ×64
2米x 72
4M ×64
4M X 72
产品型号
HYS 64V2200GU
HYS 72V2200GU
HYS 64V4220GU
HYS 72V4220GU
排
11
11
11
11
柱
9
9
9
9
银行
1
1
1
1
刷新
4k
4k
4k
4k
期
64毫秒
64毫秒
64毫秒
64毫秒
间隔
15,6
s
15,6
s
15,6
s
15,6
s
半导体集团
2
HYS64(72)V2200/4220GU-8/-10
SDRAM模块
引脚配置
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
NC （ CB0 ）
NC （ CB1 ）
VSS
NC
NC
VCC
WE
DQMB0
DQMB1
CS0
DU
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
A10
NC
VCC
VCC
CLK0
针＃
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
VSS
DU
CS2
DQMB2
DQMB3
DU
VCC
NC
NC
NC （ CB2 ）
NC （ CB3 ）
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
DU
CKE1
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
CLK2
NC
WP
SDA
SCL
VCC
针＃
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
NC （ CB4 ）
NC （ CB5 ）
VSS
NC
NC
VCC
CAS
DQMB4
DQMB5
CS1
RAS
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
BA
NC
VCC
CLK1
NC
针＃
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
VSS
CKE0
CS3
DQMB6
DQMB7
NC
VCC
NC
NC
CB6
CB7
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
DU
NC
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
CLK3
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
注： Pinnames括号内为X72 ECC版本
半导体集团
3
HYS64(72)V2200/4220GU-8/-10
SDRAM模块
WE
CS0
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS WE
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS WE
DQM
CB（ 7：0 ）
CS2
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
CS WE
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS WE
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQM
DQ0-DQ7
D3
D0 - D7,(D8)
D0 - D7,(D8)
C0-C7,(C8)
VSS
RAS
CAS
CKE0
D0 - D7,(D8)
D0 - D7,(D8)
D0 - D7,(D8)
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
时钟布线
2M ×64
2米x 72
4 SDRAM + 3.3pF 5 SDRAM
终止
终止
4 SDRAM + 3.3pF 4 SDRAM + 3.3pF
终止
终止
D0 - D7,(D8)
E
2
PROM （ 256wordx8bit ）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
DQM
DQ0-DQ7
D7
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS WE
CS WE
DQ0-DQ7
D8
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
DQM
DQ0-DQ7
D5
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS WE
CS WE
A0-A10,BA
VCC
SDA
WP
47k
注： D8只在X72 ECC版本中使用
框图2米x 64/72 SDRAM DIMM模块（ HYS64 / 72V2200GU ）
半导体集团
4
HYS64(72)V2200/4220GU-8/-10
SDRAM模块
CS1
CS0
CS
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQM
DQM
DQM
DQ0-DQ7
D8
CS
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
DQM
CS
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
DQM
CS
DQM
DQ0-DQ7
D12
CS
CS
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
D1
D9
CS
DQM
DQ0-DQ7
D16
CS
DQM
DQ0-DQ7
D17
DQ0-DQ7
DQ0-DQ7
D5
D13
CB（ 7：0 ）
CS3
CS2
CS
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQM
DQ0-DQ7
D3
DQM
DQM
CS
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
DQM
DQ0-DQ7
D10
CS
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
DQM
DQ0-DQ7
D11
CS
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
DQM
DQ0-DQ7
D7
CS
DQ0-DQ7
D14
CS
DQ0-DQ7
D15
A0-A10,BA
VDD
VSS
D0 - D15,(D16,D17)
D0 - D15,(D16,D17)
C0-C31,(C32..C35)
D0 - D7,(D8)
D0 - D15,(D16,D17)
D0 - D7,(D16)
VDD
E
2
PROM （ 256wordx8bit ）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47k
RAS ， CAS ， WE
CKE0
10k
CKE1
D9 - D15,(D17)
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
时钟布线
4M ×64
4M X 72
4 SDRAM + 3.3pF 5 SDRAM
4 SDRAM + 3.3pF 5 SDRAM
4 SDRAM + 3.3pF 4 SDRAM + 3.3pF
4 SDRAM + 3.3pF 4 SDRAM + 3.3pF
注： D16 & D17仅用于在X72 ECC的版本和所有的电阻值是10欧姆，除了另有说明。
框图4M X 64/72 SDRAM DIMM模块（ HYS64 / 72V4220GU ）
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
