FC725V
PC725V
1.
高集电极 - 发射极电压
（维生素C ，O：
300V)
H&h灵敏度， Hqh
Colleotor - emhr Vottage
型光耦合器
大纲
Mensions
,,2 +0.3
x
引脚成形型（W型）和胶带卷轴型（P型）也可提供。 （ pC7z5W / w7z5VP ） （页656 ）
X XTUV （ VDE0884 ）认证的型号作为一个选项也可
（单位：毫米）
内部连接
图
@
@@
2.
高电流传输比
（ CTR ： MIN在IF =为lmA 1 000 ％ ，
VCE=2V)
3.
输入之间的高隔离电压
产量
（ VIW ：
5
Ooovrms ）
4.
低集电极暗电流
（ 1 0 ：最大10
-
“A ，在VC = 200V ）
5.
UL认证，文件号E64380
Ancde
n
az
“ Cb的
I
.
7.w*0.3
–—
“7
1.
电话机，电话交换机
2.
电力设备开关柜
3.
数控机床
4.
直流 - 直流SSRS ，直流电动机控制器
s
Abeolute最大RAM
参数
正向电压
* lPeak正向电压
反向电流
（ T. = 25°C ）
符号
IF
I
FM
VR
Katmg
50
1
ü车辙
mA
A
输入
产量
功耗
集电极发射极电压
集电极电压BAW
发射极基极电压连续
集电极电流
集电极电流（反向）
集电极耗散功率
总功耗
z
*隔离电压
工作温度
储存温度
“焊接温度
P
VCE （ ）
Vcao
VEBU
I
C
- 集成电路
Pc
PT ！
VIW
T .*,
T.tg
TWL
6
70
300
300
6
150
10
300
350
5000
-25 + 100
-40到+125
260
v
mW
v
v
v
mA
mA
mW
mW
v
RMS
‘c
“c
‘c
* 1 PUIS宽度= 100 GS，占空比= 0.001
* 2 40 60℃ ARH ，AC 1分钟
M对10秒
PC725V
fi
电 -
characte-
参数
符号
正向电压
VF
峰值正向电压
vFhi
Reverw电流
IR
终端电容
c,
集电极暗电流
ICEO
电流传输比
CTR
集电极 - 发射极饱和电压VCE （.. T， ）
绝缘电阻
Rlso
（ TA = 25 ° C）
条件
分钟。
IF = 10毫安
—
IFL~=O.5A
VR = 4V
V = O， F = lkHz的
—
VCE = 200V ， IF = O ，
RBE = M
IF =为lmA ， VCE = 2V ， RBE = M
1 000
I = 20mA时， IC = 100mA时
REE = W
–
5
x101°
DC500V ， 40至
60%RH
—
V = O， F = lMHz
1
VEZ2V,
IL = ？ OMA ， RL = 1OQO ， RE = M ， -ja
VCE = 2V ， IC = 20mA下
RL = IOOQ ， RBE = M
典型值。
1.2
—
30
4000
1011
0.6
7
100
20
输入
产量
马克斯。
1.4
3
10
250
10-6
单位
v
v
PA
pF
A
15000
1.2
%
v
转让
特性，端子 -
开创性意义
杂散电容
婴儿床-off频率
上升时间
响应时间下降时间
Cf
f,
t,
tf
–
1.0
—
300
100
a
pF
千赫
， LLS
美国
—
—
图。
1
Fmard
与
Anlbisnt
Tanl -RA
60
50 -
40
\
30
350
300
250
200
150
Ambiant
Tamparatura
\
20
10
25
0
\
100
50
\
~ .3
25
,50
100
环境温度Ta （C ）
-1
125
’25
0
25
50
75
100
125
环境温度T. （ “C ）
-.4
F- ARD与射精
的F i克。
3
PAAK转发加仑主场迎战 RatkI
—
10000
5000
Fotward电压
500
100
I
I
‘ra=75c
I
1
I
!
I
I
I
#.%
I
[
1
I
50
1
I
10
5 &
L
n
H
1.5
1
1
1
I
2
1
5
I
lo~2
5 LFL -J2
HTV慧慧[ >
5102
5
1
o
0.5
1.0
2.0
2.5
3.0
3.5
正向电压VF （ V）
PC725V
v~~
RD
输入
＆ GT ;
RL
产量
ti
频率f（ kHz）的
w
0
RD
RL
产量
*
。请参阅章节“使用注意事项” （第78页至93页）
398
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