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飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
特点
低正向电压降
快速开关
反向浪涌能力
高的热循环性能
低热阻
PBYR345CTD系列
符号
快速参考数据
V
R
= 40 V/ 45 V
I
O( AV )
= 3 A
V
F
0.57 V
SOT428
描述
TAB
a1
1
k 2
a2
3
概述
双肖特基整流二极管
打算用作输出整流器
在低电压,高频率
开关模式电源。
该PBYR345CTD系列
在SOT428表面提供
安装包。
钉扎
1
2
3
TAB
阳极1
阴极
1
阳极2
2
阴极
1
3
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O( AV )
I
FRM
I
FSM
反向重复峰值
电压
工作峰值反向
电压
连续反向电压
平均整流输出
电流(两个二极管
导通)
正向重复峰值
目前每二极管
非重复性峰值正向
目前每二极管
反向重复峰值
浪涌电流每二极管
工作结
温度
储存温度
条件
PBYR3
-
-
T
mb
115 C
方波;
δ
= 0.5;
T
mb
142 C
方波;
δ
= 0.5;
T
mb
142 C
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
正弦;牛逼
j
前= 125℃ ,以
浪涌;与重新加V
RRM (最大)
脉冲宽度和重复频率
限制T
j max的情况
-
-
-
-
-
-
-
- 65
分钟。
马克斯。
40CTD
40
40
40
3
3
55
60
1
150
175
45CTD
45
45
45
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
C
C
I
RRM
T
j
T
英镑
1
这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2
1998年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
每二极管
两个二极管
PCB安装,最小的足迹, FR4
PBYR345CTD系列
分钟。
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
50
5
4
-
K / W
K / W
K / W
电气特性
所有的特点是每个二极管在T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
V
F
I
R
C
d
正向电压
反向电流
结电容
条件
I
F
= 1.5 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 3 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 3 A
V
R
= V
RWM
V
R
= V
RWM
; T
j
= 100C
V
R
= 5 V ; F = 1 MHz时,T
j
= 25℃ 125℃
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
0.51
0.62
0.71
0.05
3.2
65
0.57
0.7
0.84
0.2
8
-
V
V
V
mA
mA
pF
1998年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
PBYR345CTD系列
1.5
正向损耗, PF ( W) PBYR345CTD TMB (最大值) / C
VO = 0.44 V
卢比= 0.0867欧姆
142.5
100mA
反向电流IR ( A)
PBYR345CTD
D = 1.0
0.5
1
0.2
0.1
0.5
t
p
T
t
1mA
100 C
10mA
145
125 C
I
t
p
D=
147.5
100uA
75 C
50 C
T
0
0
0.5
1
1.5
2
平均正向电流IF ( AV ) (A )
150
2.5
TJ = 25℃
10uA
0
25
反向电压VR (V )
50
图1 。每二极管的最大正向损耗
P
F
= F(我
F( AV )
) ;方电流波形,其中
I
F( AV )
=I
F( RMS )
x
D.
图4 。每个二极管的典型反向漏电流;
I
R
= F(V
R
) ;参数T
j
1.4
1.2
1
正向损耗, PF ( W)
VO = 0.44 V
卢比= 0.0867欧姆
PBYR345CTD TMB (最大值) / C
143
144
1000
结电容,镉(PF )
PBYR345CTD
a = 1.57
2.2
0.8
4
0.6
0.4
0.2
0
0
0.5
1
平均正向电流IF ( AV ) (A )
2.8
1.9
145
146
100
147
148
149
150
1.5
10
1
10
反向电压VR (V )
100
图2 。每二极管的最大正向损耗
P
F
= F(我
F( AV )
) ;正弦电流波形,其中
A =外形= I
F( RMS )
/ I
F( AV )
.
PBYR345CTD
图5 。每二极管的典型结电容;
C
d
= F(V
R
) ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25℃至125℃ 。
6
5
4
3
2
正向电流IF ( A)
TJ = 25℃
TJ = 125℃
典型值
最大
10
瞬态热阻抗,第Z J- MB (K / W)
1
0.1
0.01
1
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压VR (V )
1.2
1.4
0.001
1us
T
10us
100us
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
脉冲宽度TP (多个)
PBYR345CTD
如图3所示。典型和最大正向特性
每个二极管我
F
= F(V
F
) ;参数T
j
图6 。每二极管瞬态热阻抗;
Z
日J- MB
= F (T
p
).
1998年9月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
机械数据
尺寸(mm) :净重: 1.4克
飞机座位
6.73最大
1.1
2.38最大
0.93最大
5.4
PBYR345CTD系列
TAB
4分钟
6.22最大
10.4最大
4.6
2
1
3
0.5分钟
0.3
0.5
0.5
0.8最大
(x2)
2.285 (x2)
图7 。 SOT428 :中心引脚连接到安装基座。
安装说明
尺寸(mm)
7.0
7.0
2.15
2.5
1.5
4.57
图8 。 SOT428 :焊图案表面安装。
笔记
1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件(ESDS ),以防止
损坏MOS栅氧化物。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年9月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
PBYR345CTD系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子公司1998年N.V。
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1998年9月
5
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
特点
低正向电压降
快速开关
反向浪涌能力
高的热循环性能
低热阻
PBYR345CTD系列
符号
快速参考数据
V
R
= 40 V/ 45 V
I
O( AV )
= 3 A
V
F
0.57 V
SOT428
描述
TAB
a1
1
k 2
a2
3
概述
双肖特基整流二极管
打算用作输出整流器
在低电压,高频率
开关模式电源。
该PBYR345CTD系列
在SOT428表面提供
安装包。
钉扎
1
2
3
TAB
阳极1
阴极
1
阳极2
2
阴极
1
3
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )极限值
符号参数
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O( AV )
I
FRM
I
FSM
反向重复峰值
电压
工作峰值反向
电压
连续反向电压
平均整流输出
电流(两个二极管
导通)
正向重复峰值
目前每二极管
非重复性峰值正向
目前每二极管
反向重复峰值
浪涌电流每二极管
工作结
温度
储存温度
条件
PBYR3
-
-
T
mb
115 C
方波;
δ
= 0.5;
T
mb
142 C
方波;
δ
= 0.5;
T
mb
142 C
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
正弦;牛逼
j
前= 125℃ ,以
浪涌;与重新加V
RRM (最大)
脉冲宽度和重复频率
限制T
j max的情况
-
-
-
-
-
-
-
- 65
分钟。
马克斯。
40CTD
40
40
40
3
3
55
60
1
150
175
45CTD
45
45
45
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
C
C
I
RRM
T
j
T
英镑
1
这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2
1998年9月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
每二极管
两个二极管
PCB安装,最小的足迹, FR4
PBYR345CTD系列
分钟。
-
-
-
典型值。马克斯。单位
-
-
50
5
4
-
K / W
K / W
K / W
电气特性
所有的特点是每个二极管在T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
V
F
I
R
C
d
正向电压
反向电流
结电容
条件
I
F
= 1.5 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 3 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 3 A
V
R
= V
RWM
V
R
= V
RWM
; T
j
= 100C
V
R
= 5 V ; F = 1 MHz时,T
j
= 25℃ 125℃
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
0.51
0.62
0.71
0.05
3.2
65
0.57
0.7
0.84
0.2
8
-
V
V
V
mA
mA
pF
1998年9月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
PBYR345CTD系列
1.5
正向损耗, PF ( W) PBYR345CTD TMB (最大值) / C
VO = 0.44 V
卢比= 0.0867欧姆
142.5
100mA
反向电流IR ( A)
PBYR345CTD
D = 1.0
0.5
1
0.2
0.1
0.5
t
p
T
t
1mA
100 C
10mA
145
125 C
I
t
p
D=
147.5
100uA
75 C
50 C
T
0
0
0.5
1
1.5
2
平均正向电流IF ( AV ) (A )
150
2.5
TJ = 25℃
10uA
0
25
反向电压VR (V )
50
图1 。每二极管的最大正向损耗
P
F
= F(我
F( AV )
) ;方电流波形,其中
I
F( AV )
=I
F( RMS )
x
D.
图4 。每个二极管的典型反向漏电流;
I
R
= F(V
R
) ;参数T
j
1.4
1.2
1
正向损耗, PF ( W)
VO = 0.44 V
卢比= 0.0867欧姆
PBYR345CTD TMB (最大值) / C
143
144
1000
结电容,镉(PF )
PBYR345CTD
a = 1.57
2.2
0.8
4
0.6
0.4
0.2
0
0
0.5
1
平均正向电流IF ( AV ) (A )
2.8
1.9
145
146
100
147
148
149
150
1.5
10
1
10
反向电压VR (V )
100
图2 。每二极管的最大正向损耗
P
F
= F(我
F( AV )
) ;正弦电流波形,其中
A =外形= I
F( RMS )
/ I
F( AV )
.
PBYR345CTD
图5 。每二极管的典型结电容;
C
d
= F(V
R
) ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25℃至125℃ 。
6
5
4
3
2
正向电流IF ( A)
TJ = 25℃
TJ = 125℃
典型值
最大
10
瞬态热阻抗,第Z J- MB (K / W)
1
0.1
0.01
1
0
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
正向电压VR (V )
1.2
1.4
0.001
1us
T
10us
100us
1ms
10毫秒100毫秒
1s
10s
脉冲宽度TP (多个)
PBYR345CTD
如图3所示。典型和最大正向特性
每个二极管我
F
= F(V
F
) ;参数T
j
图6 。每二极管瞬态热阻抗;
Z
日J- MB
= F (T
p
).
1998年9月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
机械数据
尺寸(mm) :净重: 1.4克
飞机座位
6.73最大
1.1
2.38最大
0.93最大
5.4
PBYR345CTD系列
TAB
4分钟
6.22最大
10.4最大
4.6
2
1
3
0.5分钟
0.3
0.5
0.5
0.8最大
(x2)
2.285 (x2)
图7 。 SOT428 :中心引脚连接到安装基座。
安装说明
尺寸(mm)
7.0
7.0
2.15
2.5
1.5
4.57
图8 。 SOT428 :焊图案表面安装。
笔记
1.请遵守一般注意事项对静电放电敏感器件(ESDS ),以防止
损坏MOS栅氧化物。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年9月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
PBYR345CTD系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子公司1998年N.V。
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1998年9月
5
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    PBYR340
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:247773782 复制

电话:755-83252273
联系人:郑
地址:中航路新亚洲二期N3D039
PBYR340
NXP
24+
90000
SOT223
绝对全新原装/自己库存现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
PBYR340
NXP/恩智浦
21+
32000
SOT223
全新原装现货,质量保证,可开税票,可出样品!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
PBYR340
NXP/恩智浦
2413+
31145
SOT223
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
PBYR340
PHILIPS/飞利浦
2413+
30000
SOT223
原装正品假一罚百/门市现货一只起售
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
PBYR340
NXP/恩智浦
2443+
23000
SOT223
一级代理专营,原装现货,价格优势
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
PBYR340
√ 欧美㊣品
▲10/11+
9024
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
PBYR340
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10103
贴◆插
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