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飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
概述
双镍硅化物肖特基势垒
整流二极管在一个塑料外壳
具有低正向压降
并没有存储电荷。这些
设备可以承受反向
电压
瞬变
保证反向浪涌能力。
该设备被设计用于使用
开关电源用
3 V - 3.3 V输出,或作为的OR-ing
二极管容错电源
系统。
PBYR2525CT系列
快速参考数据
符号
V
RRM
V
F
I
O( AV )
参数
PBYR25-
反向重复峰值
电压
正向电压
平均输出电流(均
二极管导通)
马克斯。
20CT
20
0.41
30
马克斯。
25CT
25
0.41
30
单位
V
V
A
钉扎 - TO220AB
1
2
3
TAB
描述
阳极1的(a )
阴极( K)
阳极2的(a )
阴极( K)
引脚配置
TAB
符号
a1
1
k2
1 23
a2
3
极限值
按照绝对最大系统( IEC 134 )的限制值。
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
O( AV )
I
O( RMS)
I
FRM
I
FSM
参数
条件
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
-
-20
20
20
20
30
43
30
180
200
马克斯。
-25
25
25
25
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
反向重复峰值电压
峰值反向工作电压
连续反向电压
T
mb
109 C
平均输出电流(均
二极管导通)
RMS输出电流(均
二极管导通)
重复峰值正向电流
每二极管
非重复性峰值正向
目前,每个二极管
方波;
δ
= 0.5;
T
mb
135 C
I
2
t
I
RRM
I
RSM
T
英镑
T
j
t = 25
s; δ
= 0.5;
T
mb
135 C
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
正弦牛逼
j
前= 125℃
暴涨;与重新申请
V
RRM (最大)
I
2
吨融合
T = 10毫秒
反向重复峰值电流T
p
= 2
s; δ
= 0.001
每二极管
非重复性峰值反向
t
p
= 100
s
目前每二极管
储存温度
工作结温
-
-
-
-65
-
162
2
2
175
150
A
2
s
A
A
C
C
1997年1月
1
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
热阻
符号
R
日J- MB
R
日J-一
参数
热阻结到
安装底座
热阻结到
环境
条件
每二极管
两个二极管
在自由空气
PBYR2525CT系列
分钟。
-
-
-
典型值。
-
-
60
马克斯。
1.5
1.0
-
单位
K / W
K / W
K / W
静态特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号
V
F
I
R
C
d
参数
正向电压(每二极管)
反向电流(每二极管)
结电容(每
二极管)
条件
I
F
= 15 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 30 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 30 A
V
R
= V
RRM
V
R
= V
RRM
; T
j
= 100 C
F = 1MHz的; V
R
= 5V ;牛逼
j
= 25
125 C
分钟。
-
-
-
-
-
-
典型值。
0.33
0.43
0.51
2.0
30
900
马克斯。
0.41
0.50
0.60
10
80
-
单位
V
V
V
mA
mA
pF
1997年1月
2
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
PBYR2525CT系列
12
10
8
6
4
2
PF / W
VO = 0.27 V
卢比= 0.00875欧姆
PBYR1625
TMB (最大值) / C
D = 1.0
0.5
132
135
138
141
10000
CD / PF
PBYR1625
0.1
0.2
1000
I
t
p
D=
t
p
T
t
144
147
T
0
0
5
10
15
IF ( AV ) / A
20
150
25
100
1
10
VR / V
100
图1 。最大正向功耗P
F
= F(我
F( AV )
)元
二极管;方电流波形,其中
I
F( AV )
=I
F( RMS )
x
D.
PBYR1625
图4 。每二极管的典型结电容;
C
d
= F(V
R
) ; F = 1兆赫;牛逼
j
= 25℃至125℃ 。
50
IF / A
TJ = 25℃
TJ = 125℃
第i个J- MB (K / W)
10
40
典型值
30
最大
1
20
0.1
10
P
D
t
p
t
0
0
0.2
0.4
VF / V
0.6
0.8
1
0.01
10us
1ms
TP /秒
0.1s
10s
图2 。典型和最大正向特性
I
F
= F(V
F
) ;参数T
j
PBYR1625
图5 。每二极管瞬态热阻抗;
Z
日J- MB
= F (T
p
).
1A
100mA
IR / A
150 C
125 C
10毫安100℃
1mA
100uA
TJ = 25℃
10uA
1uA
0
5
10
VR / V
15
20
25
75 C
50 C
如图3所示。每个二极管的典型反向漏电流;
I
R
= F(V
R
) ;参数T
j
1997年1月
3
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
机械数据
尺寸(mm)
净重: 2克
PBYR2525CT系列
4,5
最大
10,3
最大
1,3
3,7
2,8
5,9
15,8
最大
3,0最大
不镀锡
3,0
13,5
1,3
最大
1 2 3
(2x)
2,54 2,54
0,9最大值(3×)
0,6
2,4
图6 。 TO220AB ; 2脚连接安装基座。
笔记
1.请参阅安装用于TO220信封的说明。
2.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1997年1月
4
启1.000
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
PBYR2525CT系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。应力大于1
以上的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点,部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子N.V. 1997
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息,它被认为是
准确和可靠的,没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示(或暗示)专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,装置或系统,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1997年1月
5
启1.000
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