飞利浦半导体
初步speci fi cation
肖特基势垒二极管双
特点
低开关损耗
低正向电压
高的击穿电压
快速恢复时间
保护环
塑料SMD封装。
应用
低功耗,开关模式
电源
整流器阳离子
极性保护。
1
2
3
1
PBYR2150CT
描述
该PBYR2150CT是肖特基势垒二极管双,编造平面
技术,封装在一个SOT223塑料SMD封装。
4
4
3
2
钉扎
针
1
2
3
4
描述
阳极(一个
1
)
共阴极
阳极(一个
2
)
共阴极
顶视图
MAM086
标识代码:
BYR215.
Fig.1简化外形( SOT223 ) ,引脚配置和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
每二极管
V
R
V
RRM
V
RWM
I
F( AV )
I
FSM
连续反向电压
反向重复峰值电压
峰值反向工作电压
平均正向电流
T
AMB
= 85
°C;
R
日J-一
= 70 K / W ;
注意1 ; V
R(当量)
= 0.2 V ;注意2
150
150
150
1
10
V
V
V
A
A
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
非重复峰值正向电流T = 8.3 ms半正弦波;
JEDEC的方法
1996年10月14日
2
飞利浦半导体
初步speci fi cation
肖特基势垒二极管双
PBYR2150CT
符号
每二极管
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
参数
条件
分钟。
马克斯。
单位
°C
°C
°C
储存温度
结温
工作环境温度
65
65
+150
+150
80
1.参考SOT223标准安装条件。
2.对于肖特基势垒二极管的热失控,必须考虑,因为在一些应用中,反向功率
损耗P
R
是的总功率损耗的显著一部分。列线图测定的反向功率损耗
P
R
我
F( AV )
评级将根据要求提供。
电气特性
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
每二极管
V
F
正向电压
见图2
I
F
= 0.1 A;注1
I
F
= 0.5 A;注1
I
F
= 1 ;注1
I
F
= 1 ;牛逼
j
= 100
°C;
注1
I
R
反向电流
V
R
= V
RRMmax
;注意1 ;见图3
V
R
= V
RRMmax
; T
j
= 100
°C;
注意1 ;
看科幻G.3
C
d
记
1.脉冲测试:吨
p
= 300
s; δ
= 0.02.
热特性
符号
R
日J-一
记
1.参考SOT223标准安装条件。
参数
从结点到环境的热阻
注1
条件
价值
70
单位
K / W
二极管电容
V
R
= 4 V ; F = 1兆赫;见图4
400
650
850
690
1
10
100
mV
mV
mV
mV
mA
mA
pF
参数
条件
马克斯。
单位
1996年10月14日
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飞利浦半导体
初步speci fi cation
肖特基势垒二极管双
包装外形
PBYR2150CT
手册,全页宽
0.95
0.85
S
0.32
0.24
飞机座位
6.7
6.3
3.1
2.9
0.1 S
B
4
0.2
M
A
A
0.10
0.01
3.7
3.3
o
7.3
6.7
16
o
最大
16
1
1.80
最大
10
o
最大
2.3
4.6
2
0.80
0.60
3
0.1
M
B
(4x)
MSA035 - 1
尺寸(mm) 。
图5 SOT223 。
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
给定的限值按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。强调以上一个或
更多的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或系统中使用,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1996年10月14日
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此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。