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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第388页 > PBYL1025B
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
特点
低正向电压降
快速开关
反向浪涌能力
高的热循环性能
低热阻
PBYL1025B系列
符号
快速参考数据
V
R
= 20 V/ 25 V
k
TAB
a
3
I
F（ AV ）
= 10 A
V
F
≤
0.4 V
概述
肖特基整流二极管意
用作输出整流器在低
电压，高频率的切换
式电源。
该PBYL1025B系列供应
在SOT404表面贴装
封装。
钉扎
针
1
2
3
TAB
描述
无连接
阴极
1
阳极
SOT404
TAB
2
阴极
1
3
极限值
按照绝对最大系统（ IEC 134 ）极限值
符号参数
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F（ AV ）
I
FRM
I
FSM
反向重复峰值
电压
工作峰值反向
电压
连续反向电压
平均整流器前向编
当前
正向重复峰值
当前
非重复性峰值正向
当前
反向重复峰值
浪涌电流
工作结
温度
储存温度
条件
PBYL10
-
-
T
mb
≤
119 C
方波;
δ
= 0.5; T
mb
≤
132 C
方波;
δ
= 0.5; T
mb
≤
132 C
T = 10毫秒
T = 8.3毫秒
正弦;牛逼
j
前= 125℃ ，以
浪涌;与重新加V
RRM （最大）
脉冲宽度和重复频率
限制T
j max的情况
-
-
-
-
-
-
-
- 65
分钟。
20B
20
20
20
10
20
130
150
1
150
175
马克斯。
25B
25
25
25
单位
V
V
V
A
A
A
A
A
C
C
I
RRM
T
j
T
英镑
1
这是无法接受的连接到SOT428封装的管脚2
1998年10月
1
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
热阻
符号参数
R
日J- MB
R
日J-一
热阻结
安装基座
热阻结
到环境
条件
PBYL1025B系列
分钟。
-
典型值。马克斯。单位
-
50
3
-
K / W
K / W
PCB安装，最小的足迹， FR4
板
-
电气特性
T
j
= 25 C除非另有说明
符号参数
V
F
正向电压
条件
I
F
= 10 A;牛逼
j
= 150C
I
F
= 10 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 20 A;牛逼
j
= 125C
I
F
= 20 A
V
R
= V
RWM
V
R
= V
RWM
; T
j
= 100C
V
R
= 5 V ; F = 1 MHz时，T
j
= 25℃ 125℃
分钟。
-
-
-
-
-
-
-
典型值。马克斯。单位
0.33
0.39
0.54
0.57
0.2
15
580
0.4
0.45
0.61
0.64
5
30
-
V
V
V
V
mA
mA
pF
I
R
C
d
反向电流
结电容
1998年10月
2
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
PBYL1025B系列
10
8
6
正向损耗， PF （ W）
VO = 0.29 V
卢比= 0.016欧姆
PBYL1025
TMB （最大值） / C
120
126
132
100mA
反向电流IR （ A）
125 C
PBYR725D
D = 1.0
0.5
0.2
0.1
10mA
100 C
1mA
75 C
50 C
4
I
t
p
D=
t
p
T
138
100uA
TJ = 25℃
2
0
T
t
144
150
15
10uA
0
5
10
平均正向电流IF （ AV ） （A ）
1uA
0
5
10
15
反向电压VR （V ）
20
25
图1 。最大正向功耗P
F
= F（我
F（ AV ）
);
方电流波形在哪里
F（ AV ）
=I
F（ RMS ）
x
√
D.
图4 。典型的反向漏电流;我
R
= F（V
R
);
参数T
j
8
7
6
5
4
3
2
1
0
正向损耗， PF （ W）
VO = 0.29 V
卢比= 0.016欧姆
PBYL1025
TMB （最大值） / C
126
10000
结电容，镉（PF ）
PBYR725D
a = 1.57
4
2.8
2.2
1.9
132
138
1000
144
0
2
4
6
8
平均正向电流IF （ AV ） （A ）
150
10
100
1
10
反向电压VR （V ）
100
图2 。最大正向功耗P
F
= F（我
F（ AV ）
);
方电流波形在哪里
F（ AV ）
=I
F（ RMS ）
x
√
D.
正向电流IF （ A）
TJ = 25℃
TJ = 125℃
典型值
10
最大
PBYR725D
图5 。典型结电容;
d
= F（V
R
);
F = 1兆赫;牛逼
j
= 25℃至125℃ 。
瞬态热阻抗，第Z J- MB （K / W）
15
10
1
0.1
5
0.01
P
D
t
p
D=
t
p
T
t
0
0
0.2
0.4
0.6
正向电压VR （V ）
0.8
1
0.001
1us
T
10us
100us的1毫秒
10毫秒100毫秒
1s
10s
脉冲宽度TP （多个）
PBYL1025
如图3所示。典型和最大正向特性
I
F
= F（V
F
） ;参数T
j
图6 。瞬态热阻抗;
日J- MB
= F （T
p
).
1998年10月
3
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
机械数据
尺寸（mm）
净重： 1.4克
10.3最大
4.5最大
1.4最大
PBYL1025B系列
11最大
15.4
2.5
0.85最大
(x2)
2.54 (x2)
0.5
图7 。 SOT404 ：中心引脚连接到安装基座。
安装说明
尺寸（mm）
11.5
9.0
17.5
2.0
3.8
5.08
图8 。 SOT404 ：焊图案表面安装。
笔记
1.环氧符合UL94 V0的8"分之1 。
1998年10月
4
启1.100
飞利浦半导体
产品speci fi cation
整流二极管
肖特基势垒
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
产品speci fi cation
极限值
PBYL1025B系列
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
初步规格此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
限制值以符合绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。应力大于1
以上的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只和
该器件在这些或高于任何其他条件的特点，部分给定的操作
本规范是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
飞利浦电子公司1998年N.V。
保留所有权利。严禁复制全部或部分未经事先书面同意
著作权人。
本文档不构成任何报价或合同的一部分中提供的信息，它被认为是
准确和可靠的，没有通知可以被改变。无责任将由出版商对任何被接受
因此它的使用。发布本文件并不表示（或暗示）专利或其他任何许可
工业或知识产权。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这些应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦造成的任何损坏
从这样的不当使用或销售。
1998年10月
5
启1.100
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