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分立半导体

数据表

书， halfpage

M3D186

PBSS5350SA

50 V低V

CESAT

PNP晶体管

客观的特定网络阳离子

2002年10月22日

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

50 V低V

CESAT

PNP晶体管

特点

低集电极 - 发射极饱和电压V

CESAT

和

相应的R

CESAT

高集电极电流能力我

C

我

CM

高集电极电流增益

FE

减少热量的产生导致更高的效率。

应用

低功率和中功率DC / DC转换器

低电压调节器（LDO ）

MOSFET驱动器

供电线路开关

电池充电器。

描述

PNP低V

CESAT

晶体管在SOT54塑料包装。

NPN补充： PBSS4350SA 。

1

手册， halfpage

PBSS5350SA

快速参考数据

符号

V

首席执行官

I

C

I

CRP

R

CESAT

钉扎

针

1

2

3

集热器

BASE

辐射源

描述

参数

集电极 - 发射极电压

集电极电流（ DC ）

重复峰值集电极

当前

导通电阻的等效

马克斯。

50

2

3

135

单位

V

A

A

m

记号

类型编号

PBSS5350SA

标识代码

5350SA

2

3

1

2

3

MAM280

Fig.1

简体外形（ SOT54 ）和符号。

2002年10月22日

2

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

50 V低V

CESAT

PNP晶体管

极限值

按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ）。

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CRP

I

CM

I

B

P

合计

参数

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流（ DC ）

重复峰值集电极电流

峰值集电极电流

基极电流（DC）的

总功耗

T

AMB

≤

25

°C;

注2

T

AMB

≤

25

°C;

注3

T

AMB

≤

25

°C;

注1和2

T

英镑

T

j

T

AMB

笔记

脉冲条件下1.操作：脉冲宽度t

p

≤

100毫秒;占空比

δ ≤

0.25.

储存温度

结温

工作环境温度

注1

单峰

条件

发射极开路

开基

集电极开路

65

65

分钟。

PBSS5350SA

马克斯。

50

50

5

2

3

5

0.5

830

900

1.2

+150

150

+150

V

V

V

A

A

A

A

单位

mW

mW

W

°C

°C

°C

2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。

3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米

2

.

热特性

符号

R

日J-一

参数

热阻结到

环境

条件

在自由空气中;注1和2

在自由空气中;注3

在自由空气中;注意2

笔记

脉冲条件下1.操作：脉冲宽度t

p

≤

100毫秒;占空比

δ ≤

0.25.

2.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;标准的足迹。

3.器件安装在一块印刷电路板上;单面铜;镀锡;安装垫集热1厘米

2

.

价值

104

127

150

单位

K / W

K / W

K / W

2002年10月22日

3

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

50 V低V

CESAT

PNP晶体管

特征

T

AMB

= 25

°C

除非另有规定ED 。

符号

I

CBO

I

EBO

h

FE

参数

条件

200

200

200

130

80

100

V

CB

=

50

V ;我

E

= 0; T

j

= 150

°C

发射极 - 基极截止电流

直流电流增益

V

EB

=

5

V ;我

C

= 0

V

CE

=

2

V ;我

C

=

100

mA

V

CE

=

2

V ;我

C

=

500

mA

V

CE

=

2

V ;我

C

=

1

A;注1

V

CE

=

2

V ;我

C

=

2

A;注1

V

CE

=

2

V ;我

C

=

3

A;注1

V

CESAT

集电极 - 发射极饱和

电压

I

C

=

500

毫安;我

B

=

50

mA

I

C

=

1

A;我

B

=

50

mA

I

C

=

2

A;我

B

=

100

毫安;注1

I

C

=

2

A;我

B

=

200

毫安;注1

I

C

=

3

A;我

B

=

300

毫安;注1

R

CESAT

V

BESAT

V

BEON

f

T

C

c

记

1.脉冲测试：吨

p

≤

300

s; δ ≤

0.02.

导通电阻的等效

基射极饱和

电压

I

C

=

2

A;我

B

=

200

毫安;注1

I

C

=

2

A;我

B

=

100

毫安;注1

I

C

=

3

A;我

B

=

300

毫安;注1

I

C

=

100

毫安; V

CE

=

5

V;

F = 100 MHz的

V

CB

=

10

V ;我

E

= I

e

= 0; F = 1 MHz的

分钟。

90

PBSS5350SA

典型值。

马克斯。

100

50

100

90

180

320

270

390

135

1.1

1.2

1.2

35

单位

nA

A

nA

集电极 - 基极截止电流V

CB

=

50

V ;我

E

= 0

mV

mV

mV

mV

mV

m

V

V

V

兆赫

pF

基极 - 发射极导通电压V

CE

=

2

V ;我

C

=

1

A;注1

跃迁频率

集电极电容

2002年10月22日

4

飞利浦半导体

客观的特定网络阳离子

50 V低V

CESAT

PNP晶体管

PBSS5350SA

手册， halfpage

1000

MLD885

手册， halfpage

1200

VBE

（毫伏）

MLD886

的hFE

800

(1)

(1)

800

(2)

600

400

(2)

(3)

400

200

(3)

0

10

1

1

10

10

2

10

3

10

4

IC （MA ）

0

10

1

1

10

10

2

10

3

10

4

IC （MA ）

V

CE

=

2

V.

(1) T

AMB

= 150

°C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

=

55 °C.

V

CE

=

2

V.

(1) T

AMB

=

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.2

直流电流增益作为集电体的功能

电流;典型值。

Fig.3

基极 - 发射极间电压的一个函数

集电极电流;典型值。

手册， halfpage

1300

MLD887

手册， halfpage

1300

MLD888

VBEsat

（毫伏）

900

(1)

(2)

VBEsat

（毫伏）

900

(1)

(2)

(3)

(3)

500

500

100

10

1

1

10

10

2

10

3

10

4

IC （MA ）

100

10

1

1

10

10

2

10

3

10

4

IC （MA ）

I

C

/I

B

= 10.

(1) T

AMB

=

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

I

C

/I

B

= 20.

(1) T

AMB

=

55 °C.

(2) T

AMB

= 25

°C.

(3) T

AMB

= 150

°C.

Fig.4

基极 - 发射极饱和电压作为

集电极电流的函数;典型值。

Fig.5

基极 - 发射极饱和电压作为

集电极电流的函数;典型值。

2002年10月22日

5

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