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分立半导体
数据表
AGE
MBD128
PBSS5240Y
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品speci fi cation
取代2001年的数据10月24日
2002年2月28日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
由于减少热量提高设备的可靠性
GENERATION
替代SOT89 / SOT223封装标准
晶体管由于增强的性能。
应用
供电线路开关电路
电池管理应用程序
DC / DC转换器应用
频闪闪光灯
重型电池供电的设备（电动机和灯
驱动程序）。
描述
PNP低V
CESAT
晶体管在SOT363 （ SC- 88 ）塑料
封装。
NPN补充： PBSS4240Y 。
记号
手册， halfpage
PBSS5240Y
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
I
C
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
描述
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
集电极电流（ DC ）
导通电阻的等效
马克斯。
40
3
2
<200
单位
V
A
A
m
6
5
4
1, 2, 5, 6
3
4
类型编号
PBSS5240Y
记
1. * = P ：在香港进行。
* = T：在马来西亚进行。
52*
记号
CODE
(1)
1
2
顶视图
3
MAM464
Fig.1
简化外形（ SOT363 ， SC -88 ）和
符号。
2002年2月28日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PBSS5240Y
马克斯。
40
40
5
2
3
300
270
430
+150
150
+150
V
V
V
A
A
单位
mA
mW
mW
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
热阻结到
环境
注1
注2
条件
价值
463
291
单位
K / W
K / W
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
2002年2月28日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
条件
300
260
210
100
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
EB
=
4
V ;我
C
= 0
V
CE
=
2
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
1000
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
2000
mA
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
750
毫安;我
B
=
15
mA
I
C
=
1000
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
2000
毫安;我
B
=
200
mA
V
BESAT
V
BEON
C
c
F
T
基射极饱和
电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
=
2000
毫安;我
B
=
200
mA
分钟。
PBSS5240Y
马克斯。
100
50
100
100
110
225
225
350
1.1
0.75
40
单位
nA
A
nA
集电极 - 基极截止电流V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
pF
兆赫
基极 - 发射极导通电压V
CE
=
2
V ;我
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的100
2002年2月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PBSS5240Y
SOT363
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
6
5
4
Q
销1
指数
A
A1
1
e1
e
2
bp
3
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.30
0.20
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e
1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.25
0.15
v
0.2
w
0.2
y
0.1
概要
VERSION
SOT363
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-88
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
2002年2月28日
5
分立半导体
数据表
fpage
MBD128
PBSS5240Y
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品数据表
取代2001年的数据10月24日
2002年2月28日
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
由于减少热量提高设备的可靠性
GENERATION
替代SOT89 / SOT223封装标准
晶体管由于增强的性能。
应用
供电线路开关电路
电池管理应用程序
DC / DC转换器应用
频闪闪光灯
重型电池供电的设备（电动机和灯
驱动程序）。
描述
PNP低V
CESAT
晶体管在SOT363 （ SC- 88 ）塑料
封装。
NPN补充： PBSS4240Y 。
记号
手册， halfpage
PBSS5240Y
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
I
C
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
描述
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
集电极电流（ DC ）
导通电阻的等效
马克斯。
40
3
2
<200
单位
V
A
A
mΩ
6
5
4
1, 2, 5, 6
3
4
类型编号
PBSS5240Y
记
1. * = P ：在香港进行。
* = T：在马来西亚进行。
52*
记号
CODE
(1)
1
2
顶视图
3
MAM464
Fig.1
简化外形（ SOT363 ， SC -88 ）和
符号。
2002年2月28日
2
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PBSS5240Y
马克斯。
40
40
5
2
3
300
270
430
+150
150
+150
V
V
V
A
A
单位
mA
mW
mW
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
热阻结到
环境
注1
注2
条件
价值
463
291
单位
K / W
K / W
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
2002年2月28日
3
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
条件
300
260
210
100
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
EB
=
4
V ;我
C
= 0
V
CE
=
2
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
1
000毫安
V
CE
=
2
V ;我
C
=
2
000毫安
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
750
毫安;我
B
=
15
mA
I
C
=
1
000毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
2
000毫安;我
B
=
200
mA
V
BESAT
V
BEON
C
c
F
T
基射极饱和
电压
基射极导通电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
=
2
000毫安;我
B
=
200
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
分钟。
PBSS5240Y
马克斯。
100
50
100
100
110
225
225
350
1.1
0.75
40
单位
nA
μA
nA
集电极 - 基极截止电流V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
pF
兆赫
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的100
2002年2月28日
4
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
包装外形
PBSS5240Y
塑料表面贴装封装; 6引线
SOT363
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
6
5
4
Q
销1
指数
A
A1
1
e1
e
2
bp
3
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.30
0.20
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e
1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.25
0.15
v
0.2
w
0.2
y
0.1
概要
VERSION
SOT363
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-88
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
2002年2月28日
5
分立半导体
数据表
AGE
MBD128
PBSS5240Y
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品speci fi cation
取代2001年的数据10月24日
2002年2月28日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
由于减少热量提高设备的可靠性
GENERATION
替代SOT89 / SOT223封装标准
晶体管由于增强的性能。
应用
供电线路开关电路
电池管理应用程序
DC / DC转换器应用
频闪闪光灯
重型电池供电的设备（电动机和灯
驱动程序）。
描述
PNP低V
CESAT
晶体管在SOT363 （ SC- 88 ）塑料
封装。
NPN补充： PBSS4240Y 。
记号
手册， halfpage
PBSS5240Y
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
CM
I
C
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
描述
参数
集电极 - 发射极电压
峰值集电极电流
集电极电流（ DC ）
导通电阻的等效
马克斯。
40
3
2
<200
单位
V
A
A
m
6
5
4
1, 2, 5, 6
3
4
类型编号
PBSS5240Y
记
1. * = P ：在香港进行。
* = T：在马来西亚进行。
52*
记号
CODE
(1)
1
2
顶视图
3
MAM464
Fig.1
简化外形（ SOT363 ， SC -88 ）和
符号。
2002年2月28日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PBSS5240Y
马克斯。
40
40
5
2
3
300
270
430
+150
150
+150
V
V
V
A
A
单位
mA
mW
mW
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
热阻结到
环境
注1
注2
条件
价值
463
291
单位
K / W
K / W
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
2002年2月28日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
参数
条件
300
260
210
100
V
CB
=
30
V ;我
E
= 0; T
j
= 150
°C
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
V
EB
=
4
V ;我
C
= 0
V
CE
=
2
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
1000
mA
V
CE
=
2
V ;我
C
=
2000
mA
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
750
毫安;我
B
=
15
mA
I
C
=
1000
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
2000
毫安;我
B
=
200
mA
V
BESAT
V
BEON
C
c
F
T
基射极饱和
电压
集电极电容
跃迁频率
I
C
=
2000
毫安;我
B
=
200
mA
分钟。
PBSS5240Y
马克斯。
100
50
100
100
110
225
225
350
1.1
0.75
40
单位
nA
A
nA
集电极 - 基极截止电流V
CB
=
30
V ;我
E
= 0
mV
mV
mV
mV
mV
V
V
pF
兆赫
基极 - 发射极导通电压V
CE
=
2
V ;我
C
=
100
mA
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
I
C
=
100
毫安; V
CE
=
10
V ; F = 100 MHz的100
2002年2月28日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PBSS5240Y
SOT363
D
B
E
A
X
y
HE
v
M
A
6
5
4
Q
销1
指数
A
A1
1
e1
e
2
bp
3
w
M
B
细节X
Lp
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
1.1
0.8
A1
最大
0.1
bp
0.30
0.20
c
0.25
0.10
D
2.2
1.8
E
1.35
1.15
e
1.3
e
1
0.65
HE
2.2
2.0
Lp
0.45
0.15
Q
0.25
0.15
v
0.2
w
0.2
y
0.1
概要
VERSION
SOT363
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
SC-88
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
2002年2月28日
5
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PDT1441-AI-ST
PL34120191000BJDC
PRV61LCHCR
PDZ6.2B
PT2398
PSLD0E108M
PSB21525-F
PTV09A-2215S-B502
PLL520-08
PIC16LC73B-/JW
PA7128S2
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