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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符P型号页 > 首字符P的型号第850页 > PBSS5140V
分立半导体
数据表
M3D744
PBSS5140V
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品数据表
取代2001年的数据10月19日
2002年03月20日
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
300 mW的总功耗
很小1.6毫米
×
1.2 mm
×
0.55毫米超薄
包
由于扁平引线改善热性能
焊接过程中，由于直导线自校准
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
应用
通用开关和静音
LCD背光照明
供电线路开关电路
电池驱动设备（手机，视频
相机和手持设备） 。
描述
PNP低V
CE坐
晶体管在SOT666塑料包装。
NPN补充： PBSS4140V 。
记号
手册， halfpage
PBSS5140V
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
描述
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
40
1
2
单位
V
A
A
mΩ
等效于电阻<340
6
5
4
1, 2, 5, 6
3
类型编号
PBSS5140V
25
标识代码
4
1
顶视图
2
3
MAM446
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2002年03月20日
2
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PBSS5140V
马克斯。
40
40
5
1
2
300
1
300
500
+150
150
+150
单位
V
V
V
A
A
mA
A
mW
mW
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
注1
注2
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
焊接
唯一推荐的焊接是回流焊接。
条件
价值
410
215
单位
K / W
K / W
2002年03月20日
3
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
R
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
μs; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
分钟。
300
300
250
160
150
PBSS5140V
典型值。
80
120
200
240
马克斯。
100
50
100
100
800
140
170
310
<340
1.1
1
12
单位
nA
μA
nA
nA
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0; T
AMB
= 150
°C
mV
mV
mV
mΩ
V
V
兆赫
pF
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
2002年03月20日
4
恩智浦半导体
产品数据表
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
包装外形
PBSS5140V
塑料表面贴装封装; 6引线
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-01-04
01-08-27
2002年03月20日
5
分立半导体
数据表
M3D744
PBSS5140V
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品speci fi cation
取代2001年的数据10月19日
2002年03月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
300 mW的总功耗
很小1.6毫米
×
1.2 mm
×
0.55毫米超薄
包
由于扁平引线改善热性能
焊接过程中，由于直导线自校准
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
应用
通用开关和静音
LCD背光照明
供电线路开关电路
电池驱动设备（手机，视频
相机和手持设备） 。
描述
PNP低V
CE坐
晶体管在SOT666塑料包装。
NPN补充： PBSS4140V 。
记号
手册， halfpage
PBSS5140V
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
描述
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
40
1
2
单位
V
A
A
m
等效于电阻<340
6
5
4
1, 2, 5, 6
3
类型编号
PBSS5140V
25
标识代码
4
1
顶视图
2
3
MAM446
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2002年03月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PBSS5140V
马克斯。
40
40
5
1
2
300
1
300
500
+150
150
+150
单位
V
V
V
A
A
mA
A
mW
mW
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
注1
注2
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
焊接
唯一推荐的焊接是回流焊接。
条件
价值
410
215
单位
K / W
K / W
2002年03月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
R
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
分钟。
300
300
250
160
150
PBSS5140V
典型值。
80
120
200
240
马克斯。
100
50
100
100
800
140
170
310
<340
1.1
1
12
单位
nA
A
nA
nA
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0; T
AMB
= 150
°C
mV
mV
mV
m
V
V
兆赫
pF
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
2002年03月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PBSS5140V
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
SOT666
参考文献：
IEC
JEDEC
EIAJ
欧洲
投影
发行日期
01-01-04
01-08-27
2002年03月20日
5
分立半导体
数据表
M3D744
PBSS5140V
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
产品speci fi cation
取代2001年的数据10月19日
2002年03月20日
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特点
300 mW的总功耗
很小1.6毫米
×
1.2 mm
×
0.55毫米超薄
包
由于扁平引线改善热性能
焊接过程中，由于直导线自校准
低集电极 - 发射极饱和电压
高电流能力
应用
通用开关和静音
LCD背光照明
供电线路开关电路
电池驱动设备（手机，视频
相机和手持设备） 。
描述
PNP低V
CE坐
晶体管在SOT666塑料包装。
NPN补充： PBSS4140V 。
记号
手册， halfpage
PBSS5140V
快速参考数据
符号
V
首席执行官
I
C
I
CM
R
CESAT
钉扎
针
1
2
3
4
5
6
描述
集热器
集热器
BASE
辐射源
集热器
集热器
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
马克斯。
40
1
2
单位
V
A
A
m
等效于电阻<340
6
5
4
1, 2, 5, 6
3
类型编号
PBSS5140V
25
标识代码
4
1
顶视图
2
3
MAM446
Fig.1简化外形（ SOT666 ）和符号。
2002年03月20日
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 60134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
笔记
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
基极电流（DC）的
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
T
AMB
≤
25
°C;
注2
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
PBSS5140V
马克斯。
40
40
5
1
2
300
1
300
500
+150
150
+150
单位
V
V
V
A
A
mA
A
mW
mW
°C
°C
°C
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
热特性
符号
R
日J-一
参数
从结点到环境的热阻
注1
注2
笔记
1.装置安装在一个印刷电路板，单面铜，镀锡和标准的足迹。
2.器件安装在一块印刷电路板，单面铜，镀锡和集电极安装焊盘1厘米
2
.
焊接
唯一推荐的焊接是回流焊接。
条件
价值
410
215
单位
K / W
K / W
2002年03月20日
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
h
FE
参数
集电极 - 基极截止电流
集电极 - 发射极截止电流
发射极 - 基极截止电流
直流电流增益
条件
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0
V
CE
=
30
V ;我
B
= 0
V
EB
=
5
V ;我
C
= 0
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
100
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
500
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
V
CESAT
集电极 - 发射极饱和电压I
C
=
100
毫安;我
B
=
1
mA
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
mA
I
C
=
1
A;我
B
=
100
mA
R
CESAT
V
BESAT
V
BEON
f
T
C
c
记
1.脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
导通电阻的等效
基射极饱和电压
基射极导通电压
跃迁频率
集电极电容
I
C
=
1
A;我
B
=
50
mA
V
CE
=
5
V ;我
C
=
1
A
I
C
=
50
毫安; V
CE
=
10
V;
F = 100 MHz的
分钟。
300
300
250
160
150
PBSS5140V
典型值。
80
120
200
240
马克斯。
100
50
100
100
800
140
170
310
<340
1.1
1
12
单位
nA
A
nA
nA
V
CB
=
40
V ;我
E
= 0; T
AMB
= 150
°C
mV
mV
mV
m
V
V
兆赫
pF
I
C
=
500
毫安;我
B
=
50
毫安;注1
V
CB
=
10
V ;我
E
= I
e
= 0; F = 1 MHz的
2002年03月20日
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
40 V低V
CESAT
PNP晶体管
包装外形
塑料表面贴装封装; 6引线
PBSS5140V
SOT666
D
A
E
X
S
S
HE
6
5
4
PIN 1 INDEX
A
1
e1
e
2
bp
3
w
M
A
Lp
细节X
c
0
1
规模
2 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
0.6
0.5
b
p
0.27
0.17
c
0.18
0.08
D
1.7
1.5
E
1.3
1.1
e
1.0
e
1
0.5
H
E
1.7
1.5
L
p
0.3
0.1
w
0.1
y
0.1
概要
VERSION
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01-01-04
01-08-27
2002年03月20日
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